【技術實現步驟摘要】
本技術實施例涉及半導體結構。
技術介紹
1、光子裝置用于集成電路(ic)中以比使用電信號更快地將信號從一個組件載送到另一組件。電信號在波導的一端處轉換為光信號，光信號沿波導傳播，且光信號在波導的另一端處轉換回電信號。以此方式，組合光及電傳信及處理以進行信號傳輸。
技術實現思路
1、本技術的實施例公開一種半導體結構，其包括：光學裸片，其具有頂面及邊緣；第一邊緣耦合器，其放置于所述光學裸片中且鄰近于所述光學裸片的所述邊緣；及反射層，其放置于所述光學裸片中且鄰近于所述光學裸片的所述邊緣，其中所述反射層放置于所述第一邊緣耦合器上方且與所述第一邊緣耦合器分離。
2、本技術的實施例公開一種半導體結構，其包括：光學裸片；多個邊緣耦合器，其放置于所述光學裸片中，其中所述邊緣耦合器在第一方向上延伸，彼此平行；及金屬層，其放置于所述光學裸片中，其中所述金屬層在不同于所述第一方向的第二方向上延伸，且所述金屬層在不同于所述第一方向及所述第二方向的第三方向上與所述邊緣耦合器分離。
3、本技術的實施例公開一種用于測量光學裸片的方法，其包括：接收包括至少第一邊緣耦合器的襯底，其中所述第一邊緣耦合器通過溝槽的第一側壁暴露；使第一反射層形成于所述溝槽的第二側壁上方，其中所述第二側壁與所述第一側壁相對；將第一入射光引入到所述第一反射層以形成第一反射光，其中所述第一反射光被導引向所述第一邊緣耦合器；及從所述第一邊緣耦合器接收第一測量結果。
【技術保護點】
1.一種半導體結構，其特征在于其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于從平面圖看，所述反射層的延伸方向垂直于所述邊緣耦合器的延伸方向。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器的頂面與所述光學裸片的所述頂面間隔第一距離，且所述反射層的頂面與所述光學裸片的所述頂面間隔第二距離。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述反射層是嵌入所述光學裸片中。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器的側表面與所述反射層的側表面彼此平行。
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器的側表面與所述反射層的側表面形成夾角，且所述夾角是鈍角。
7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述反射層的側表面包含凹面。
8.一種半導體結構，其特征在于其包括：
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器是寬帶耦合器。
10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于所述金屬層包括氮化鎵(GaN)、鋁
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于其包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于從平面圖看，所述反射層的延伸方向垂直于所述邊緣耦合器的延伸方向。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器的頂面與所述光學裸片的所述頂面間隔第一距離，且所述反射層的頂面與所述光學裸片的所述頂面間隔第二距離。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述反射層是嵌入所述光學裸片中。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述邊緣耦合器的側表面與所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃泰鈞，游佳儒，斯帝芬·魯蘇，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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