【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、近年來發(fā)光二極管芯片工藝在各大廠商競(jìng)爭下快速發(fā)展，被廣泛地應(yīng)用于通用照明、特種照明、直顯顯示屏、背光顯示屏、車燈等各個(gè)領(lǐng)域。
2、現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的倒裝發(fā)光二極管芯片在超大電流下使用時(shí)會(huì)出現(xiàn)芯片內(nèi)部溫度高，四周溫度低，這種溫度不均的問題，導(dǎo)致無法將倒裝發(fā)光二極管芯片作為車燈應(yīng)用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，本專利技術(shù)的目的是提供一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制備方法，可以有效解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
2、一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，所述制備方法包括：
3、s1，提供一生長所需的襯底，在所述襯底上依次沉積n型半導(dǎo)體層、有源發(fā)光層以及p型半導(dǎo)體層；
4、s2，在所述p型半導(dǎo)體層表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影工藝去除掉部分光刻膠，形成光刻膠的隔離道以及n型導(dǎo)電通孔的光刻膠掩膜，暴露出部分p型半導(dǎo)體層，然后利用電感耦合等離子體刻蝕工藝去除掉暴露出的部分p型半導(dǎo)體層以及這部分p型半導(dǎo)體層下面的有源發(fā)光層，形成n型導(dǎo)電通孔以及隔離道，然后去除光刻膠；
5、其中，在涂布光刻膠工藝中，所述光刻膠為負(fù)性光刻膠且黏度大于200cp；在曝光工藝中，曝光量為50mj/cm2-100mj/cm2；在顯影工藝中，在進(jìn)行顯影之前需要對(duì)襯底面進(jìn)行加熱處理，加熱處理的溫度為80℃-90℃；在電感耦合等離子體刻蝕工藝中，上基板功率與下基板功率的比值為1:1-3:1，且隨
6、其中，所述隔離道底部寬度l小于1.5um，側(cè)壁夾角α的角度為30°-60°，所述隔離道將整個(gè)芯片分割為若干個(gè)獨(dú)立發(fā)光的小發(fā)光區(qū)，所述小發(fā)光區(qū)的面積由中心向四周線性減小，中心區(qū)域的小發(fā)光區(qū)面積之和大于外圍區(qū)域的小發(fā)光區(qū)面積之和，且外圍最小的獨(dú)立的小發(fā)光區(qū)面積大于10000um2；
7、s3，在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔以及所述隔離道上制備電流擴(kuò)展層；
8、s4，在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔、所述電流擴(kuò)展層以及所述隔離道上制備切割道；
9、s5，在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔、所述電流擴(kuò)展層、所述隔離道以及所述切割道上制備第一絕緣層以及第一絕緣層通孔；
10、s6，在所述第一絕緣層以及所述第一絕緣層通孔上制備p型導(dǎo)電金屬層；
11、其中，所述p型導(dǎo)電金屬層連接每一個(gè)獨(dú)立的小發(fā)光區(qū)的電流擴(kuò)展層；
12、s7，在所述p型導(dǎo)電金屬層以及未被所述p型導(dǎo)電金屬層覆蓋的第一絕緣層上制備第二絕緣層以及第二絕緣層通孔；
13、其中，所述第二絕緣層通孔包括n型第二絕緣層通孔以及p型第二絕緣層通孔，每個(gè)獨(dú)立的小發(fā)光區(qū)的n型導(dǎo)電通孔之上均設(shè)置有一個(gè)n型第二絕緣層通孔，且每個(gè)獨(dú)立的小發(fā)光區(qū)的n型導(dǎo)電通孔之上的n型第二絕緣層通孔面積相同；
14、s8，在所述第二絕緣層以及所述第二絕緣層通孔上制備n型導(dǎo)電金屬層；
15、其中，所述n型導(dǎo)電金屬層通過n型第二絕緣層通孔連接每個(gè)獨(dú)立的小發(fā)光區(qū)的n型導(dǎo)電通孔，在所述n型導(dǎo)電金屬層上設(shè)置有n型導(dǎo)電金屬層通孔，所述n型導(dǎo)電金屬層通孔與所述p型第二絕緣層通孔為同心圓，且所述n型導(dǎo)電金屬層通孔面積大于所述p型第二絕緣層通孔；
16、s9，在所述n型導(dǎo)電金屬層以及所述n型導(dǎo)電金屬層通孔上制備第三絕緣層以及第三絕緣層通孔；
17、其中，所述第三絕緣層通孔包括n型第三絕緣層通孔以及p型第三絕緣層通孔，所述p型第三絕緣層通孔與所述p型第二絕緣層通孔為同心圓，且所述p型第三絕緣層通孔面積小于所述p型第二絕緣層通孔；
18、s10，在所述第三絕緣層以及所述第三絕緣層通孔上制備n型焊盤以及p型焊盤；
19、其中，所述n型焊盤通過所述n型第三絕緣層通孔與所述n型導(dǎo)電金屬層形成電性連接，所述p型焊盤層通過所述p型第三絕緣層通孔與所述p型導(dǎo)電金屬層形成電性連接。
20、進(jìn)一步的，制備所述電流擴(kuò)展層的具體工藝為：
21、在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔以及所述隔離道表面利用磁控濺射工藝沉積氧化銦錫，接著在氧化銦錫表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影去除掉部分光刻膠，暴露出部分氧化銦錫，然后利用氧化銦錫腐蝕液去除掉暴露出的氧化銦錫，然后去除光刻膠，形成所述電流擴(kuò)展層。
22、進(jìn)一步的，制備所述切割道的具體工藝為：
23、在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔、所述電流擴(kuò)展層以及所述隔離道上涂布光刻膠，然后曝光、顯影去除掉部分光刻膠，暴露出位于四周的n型導(dǎo)電通孔，然后利用icp刻蝕工藝去除掉暴露出的n型導(dǎo)電通孔形成所述切割道，然后去除光刻膠。
24、進(jìn)一步的，制備所述第一絕緣層以及所述第一絕緣層通孔的具體工藝為：
25、在所述p型半導(dǎo)體層、所述n型導(dǎo)電通孔、所述電流擴(kuò)展層、所述隔離道以及所述切割道表面利用pecvd工藝沉積一層sio2薄膜作為第一絕緣層，所述第一絕緣層的厚度大于5000?，然后在所述第一絕緣層表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影去除掉部分第一絕緣層表面的光刻膠，暴露出這部分第一絕緣層，然后利用boe溶液，去除掉暴露出的第一絕緣層，形成所述第一絕緣層通孔，然后去除光刻膠。
26、進(jìn)一步的，制備所述p型導(dǎo)電金屬層的具體工藝為：
27、在所述第一絕緣層表面以及所述第一絕緣層通孔內(nèi)涂布負(fù)性光刻膠，然后曝光、顯影去除掉部分光刻膠，然后利用電子束蒸鍍工藝依次蒸鍍ni金屬、ag金屬、ti金屬、ni金屬、ti金屬、ni金屬、ti金屬以及ni金屬，然后利用lift-off工藝去除掉位于光刻膠上面的金屬層，然后去除光刻膠，形成所述p型導(dǎo)電金屬層。
28、進(jìn)一步的，制備所述第二絕緣層以及所述第二絕緣層通孔的具體工藝為：
29、在所述p型導(dǎo)電金屬層以及未被所述p型導(dǎo)電金屬層覆蓋的第一絕緣層表面先利用ald工藝沉積al2o3薄膜，再在al2o3薄膜上利用pecvd工藝沉積sio2薄膜，作為所述第二絕緣層，然后在所述第二絕緣層表面涂布光刻膠，然后曝光顯影去除掉部分第二絕緣層表面的光刻膠，暴露出這部分第二絕緣層，然后利用icp刻蝕工藝去除掉暴露出的第二絕緣層，形成所述第二絕緣層通孔，然后去除光刻膠。
30、進(jìn)一步的，制備所述n型導(dǎo)電金屬層的具體工藝為：
31、在所述第二絕緣層表面以及所述第二絕緣層通孔內(nèi)涂布負(fù)性光刻膠，然后曝光、顯影去除掉部分光刻膠，然后利用電子束蒸鍍工藝依次蒸鍍cr金屬、al金屬、ti金屬、ni金屬、ti金屬、pt金屬以及ti金屬，然后利用lift-off工藝去除掉位于光刻膠上面的金屬層，然后去除光刻膠，形成所述n型導(dǎo)電金屬層。
32、進(jìn)一步的，制備所述第三絕緣層以及所述第三絕緣層通孔的具體工藝為：
33、在所述n型導(dǎo)電金屬層以及所述n型導(dǎo)電金屬層通孔內(nèi)利用pecvd工藝沉積s本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流擴(kuò)展層的具體工藝為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述切割道的具體工藝為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第一絕緣層以及所述第一絕緣層通孔的具體工藝為：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述P型導(dǎo)電金屬層的具體工藝為：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第二絕緣層以及所述第二絕緣層通孔的具體工藝為：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述N型導(dǎo)電金屬層的具體工藝為：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第三絕緣層以及所述第三絕緣層通孔的具體工藝為：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特
10.一種倒裝發(fā)光二極管芯片，其特征在于，由權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法制備而成。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流擴(kuò)展層的具體工藝為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述切割道的具體工藝為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第一絕緣層以及所述第一絕緣層通孔的具體工藝為：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述p型導(dǎo)電金屬層的具體工藝為：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝發(fā)光二...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李文濤，鄒燕玲，張存磊，胡加輝，金從龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江西兆馳半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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