【技術實現步驟摘要】
本申請涉及發光，尤其涉及一種顯示面板的制作方法、顯示面板和顯示裝置。
技術介紹
1、micro?led(micro?light?emitting?diode，微型發光二極管)產品由微米級半導體發光單元陣列組成，是新型顯示技術與led(light?emitting?diode，發光二極管)技術二者復合集成的綜合性技術，其具有自發光、高效率、低功耗、高集成、高穩定性、全天候工作的優點，被認為是最有前途的下一代新型顯示與發光器件之一。然而隨著顯示產品中microled芯片(下稱微型發光芯片)等發光芯片尺寸越來越小，發光芯片數量的也越來越多，顯示產品制作效率不夠高。
2、因此，如何提高顯示產品的制作效率成為亟需解決的問題。
技術實現思路
1、鑒于上述相關技術的不足，本申請的目的在于提供一種顯示面板的制作方法、顯示面板和顯示裝置，旨在解決隨著顯示產品中發光芯片數量的增加，顯示產品的制作效率不夠高的問題。
2、一種顯示面板，包括：
3、提供一鍵合有多顆發光芯片的電路基板；
4、提供透鏡組件，所述透鏡組件包括基板及所述基板上設置的多顆獨立的透鏡，所述透鏡遠離所述基板一側形成內凹表面，在所述內凹表面處設置有量子點材料；
5、使所述透鏡組件上的所述透鏡朝向所述電路基板上的所述發光芯片對準鍵合，一個所述透鏡的對應一個所述發光芯片，所述電路基板上鍵合有量子點材料的顏色不同的至少兩種所述透鏡。
6、上述顯示面板制作方法中，采用透鏡組件
7、可選地，所述提供透鏡組件的步驟包括：
8、在所述基板上沉積氮化鎵材料；
9、通過漸變透明式光刻版對所述氮化鎵材料進行蝕刻，在所述氮化鎵材料遠離所述基板一側形成多個所述內凹表面；
10、在所述氮化鎵材料的所述內凹表面處設置量子點材料；
11、對相鄰所述內凹表面之間的所述氮化鎵材料進行蝕刻，形成多顆相互獨立的透鏡。
12、氮化鎵材料具有較高的折射率和較低的吸收率，用來形成透鏡可以具有較好的提高出光效率的效果，且其是一種半導體材料，光學均勻性較好，其耐高溫的特性也進一步保證了在工作中維持較好的光學性能。并且，在微型發光芯片產品的生產過程中，對于氮化鎵材料的沉積和光刻工藝已經較為成熟，透鏡組件采用氮化鎵材料制作時的所需的額外成本也不高。另外，通過光刻工藝進行加工以形成透鏡，可以獲得更高的加工精細度，透鏡的尺寸可被制作得較小，在一些實施過程中能夠制作出適用于微型發光芯片尺度的透鏡；且形成的各個透鏡的一致性較好，能夠大批量的形成高品質的透鏡，且高效地進行轉移，提升生成效率和產品品質。
13、可選地，所述在所述氮化鎵材料的所述內凹表面處設置量子點材料的步驟包括：
14、在所述氮化鎵材料的所述內凹表面處形成多孔結構；
15、向所述多孔結構中注入量子點材料。
16、通過在氮化鎵材料上形成多孔結構來設置量子點材料，可以提高量子點材料的可靠程度。
17、可選地，所述提供透鏡組件的步驟包括：
18、提供各所述透鏡上設有第一量子點材料的第一透鏡組件、各所述透鏡上設有第二量子點材料的第二透鏡組件以及各所述透鏡上不設有量子點材料的第三透鏡組件，所述第一量子點材料和所述第二量子點材料的顏色不同；
19、所述使所述透鏡組件上的所述透鏡朝向所述電路基板上的所述發光芯片對準鍵合的步驟包括：
20、將所述第一透鏡組件上的所述透鏡轉移到第一發光芯片對應的位置；
21、將所述第二透鏡組件上的所述透鏡轉移到第二發光芯片對應的位置；
22、將所述第三透鏡組件上的所述透鏡轉移到第三發光芯片對應的位置。
23、每種透鏡組件在制作時，只需單一地設置一種量子點材料，降低了透鏡組件的制作難度和復雜度，且形成的透鏡上的量子點材料的品質較好。
24、可選地，所述提供透鏡組件的步驟包括：提供包括至少三種透鏡的所述透鏡組件，其中，第一透鏡和第二透鏡的內凹表面處分別設置有第一量子點材料和第二量子點材料，第三透鏡的內凹表面處不設置有量子點材料；
25、使所述透鏡組件上的所述透鏡朝向所述電路基板上的所述發光芯片對準鍵合的步驟包括：將所述透鏡組件朝向所述發光芯片，所述透鏡組件中的各所述透鏡同時鍵合到所述電路基板。
26、在單個透鏡組件上制作好所需的各種透鏡，一次設置到電路基板上，降低了透鏡向電路基板進行轉移時的難度和復雜度。
27、基于同樣的專利技術構思，本申請還提供一種顯示面板，包括：
28、電路基板；
29、鍵合在所述電路基板上的多顆發光芯片；
30、對應所述發光芯片設置的多顆獨立的透鏡；
31、所述顯示面板通過上述的顯示面板的制作方法制作。
32、上述顯示面板制作效率高，設置的透鏡能夠提高發光芯片的出光效率且使得顯示面板可以顯示多種顏色。
33、基于同樣的專利技術構思，本申請還提供一種顯示裝置，包括：包括框體以及上述的顯示面板，所述顯示面板設于所述框體上。
34、上述顯示裝置使用上述的顯示面板，一些實施過程中生產效率更高，且出光效率高，并可以顯示多種顏色。
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1.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：
3.如權利要求2所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述透鏡的所述內凹表面處設置量子點材料的步驟包括：
4.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：
5.如權利要求4所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述氮化鎵材料的所述內凹表面處設置量子點材料的步驟包括：
6.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：
7.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：提供包括至少三種透鏡的所述透鏡組件，其中，第一透鏡和第二透鏡的內凹表面處分別設置有第一量子點材料和第二量子點材料，第三透鏡的內凹表面處不設置有量子點材料；
8.如權利要求1-7任一項所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述使所述透鏡組件上的所述透鏡朝向所述電路基板上的所述發光芯片對準鍵合
9.一種顯示面板，其特征在于，包括：
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括框體以及權利要求9所述的顯示面板，所述顯示面板設于所述框體上。
...【技術特征摘要】
1.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：
3.如權利要求2所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述透鏡的所述內凹表面處設置量子點材料的步驟包括：
4.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步驟包括：
5.如權利要求4所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述氮化鎵材料的所述內凹表面處設置量子點材料的步驟包括：
6.如權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述提供透鏡組件的步...
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴廣超，張瑋，胡穎，
申請(專利權)人：重慶康佳光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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