【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種半導體結構的形成方法。
技術介紹
1、雙載子-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體(bipolar-complementary?metal?oxide?semiconductor(cmos)-doublediffused?metaloxidesemiconductor(dmos)，bcd，以下簡稱bcd)是一種系統單芯片(system?on?a?chip，soc)工藝，可形成智能功率集成電路(smart?power?integrated?circuit)，bcd工藝能夠在同一芯片上制作雙載子(bipolar)晶體管、互補式金屬氧化物半導體晶體管(cmos)和雙重擴散型金屬氧化物半導體晶體管(dmos)。采用bcd工藝制造的器件廣泛應用于電源管理、顯示驅動、汽車電子、工業控制等領域。
2、bcd工藝可有效地整合功率芯片，其具有大幅節省封裝費用、降低功率耗損以及提高系統效能等優勢，隨著電子產品越來越趨向高密集度和小型化，bcd工藝也越來越常被用于制造半導體裝置。
3、然而，現有技術中bcd工藝過程中仍存在諸多問題。
技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題是提供一種半導體結構的形成方法，以提升半導體結構的性能。
2、為解決上述問題本專利技術技術方案中提供了一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底內形成初始埋置層，所述初始埋置層內具有摻雜離子；對所述初始埋置層進行退火處理形成埋置層，所述退火處
3、可選的，所述惰性氣體包括：氬氣或氦氣。
4、可選的，所述氫的同位素氣體包括：氕氣、氘氣或氚氣。
5、可選的，所述惰性氣體的氣體流量為：15slm～25slm；所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量為：0.5slm～1.5slm。
6、可選的，所述退火處理的工藝參數包括：升溫速率為80攝氏度/秒～200攝氏度/秒；降溫速率為20攝氏度/秒～50攝氏度/秒；反應溫度為1000攝氏度～1200攝氏度；反應時間為5小時～8小時。
7、可選的，所述初始埋置層內的摻雜離子濃度大于1e18atoms/cm3。
8、可選的，在所述襯底內形成初始埋置層的方法包括：在所述襯底上形成圖形化層，所述圖形化層暴露出部分所述襯底的頂部表面；以所述圖形化層為掩膜向所述襯底內注入所述摻雜離子，形成所述初始埋置層。
9、可選的，所述摻雜離子包括：n型離子或p型離子；所述n型離子包括：磷離子、砷離子或銻離子；所述p型離子包括硼離子、硼氟離子或銦離子。
10、可選的，在形成所述埋置層之后，還包括：在所述襯底上形成外延層。
11、可選的，所述外延層的形成工藝包括：金屬有機物化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、分子束外延法、氫化物氣相外延法、液相外延法和氯化物氣相外延法中的一種或多種。
12、與現有技術相比，本專利技術的技術方案具有以下優點：
13、本專利技術技術方案的半導體結構的形成方法中，對所述初始埋置層進行退火處理形成埋置層，所述退火處理的氣體包括惰性氣體和氫氣，或者惰性氣體和氫的同位素氣體。由于所述退火處理的氣體中不含氧氣，因此不會對所述初始埋置層造成過渡的消耗，進而使得所述埋置層的表面出現明顯凹陷，以此提升后續在所述埋置層上形成的器件結構的性能。
14、另外，硅材質的所述襯底表面存在懸掛健，采用氫氣退火可以使氫原子進入硅晶體后和懸掛鍵結合，從而達到消除界面態的目的。與氫元素相比，氫的同位素與硅之間的鍵能更大，因而更不容易斷裂，從而達到更好消除界面態的目的。而且，高溫氫氣或氫的同位素氣體退火還可以消除所述襯底表面以及內部的空洞缺陷，改善所述襯底表面的粗糙度。因此，采用氫氣或氫的同位素氣體進行退火處理能夠促進所述襯底原生缺陷的消除，以此提升最終形成的半導體結構的性能。
15、進一步，所述惰性氣體的氣體流量為：15slm～25slm；所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量為：0.5slm～1.5slm。當所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量低于0.5slm時，氫氣或氫的同位素氣體占比較少，對所述埋置層的表面出現凹陷的處理效果不明顯；當所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量高于1.5slm時，由于氫氣或氫的同位素氣體是活潑氣體，其含過高且在高溫環境下會與硅或自然氧化層等出現復雜反應，從而增加硅材質的所述襯底表面的粗糙度。
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1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體包括：氬氣或氦氣。
3.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氫的同位素氣體包括：氕氣、氘氣或氚氣。
4.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體的氣體流量為：15slm～25slm；所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量為：0.5slm～1.5slm。
5.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火處理的工藝參數包括：升溫速率為80攝氏度/秒～200攝氏度/秒；降溫速率為20攝氏度/秒～50攝氏度/秒；反應溫度為1000攝氏度～1200攝氏度；反應時間為5小時～8小時。
6.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始埋置層內的摻雜離子濃度大于1E18atoms/cm3。
7.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述襯底內形成初始埋置層的方法包括：在所述襯底上形成圖形化層，所述圖形化層暴露出部分所述襯底的頂部表面；
8.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述摻雜離子包括：N型離子或P型離子；所述N型離子包括：磷離子、砷離子或銻離子；
9.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成所述埋置層之后，還包括：在所述襯底上形成外延層。
10.如權利要求9所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述外延層的形成工藝包括：金屬有機物化學氣相沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、分子束外延法、氫化物氣相外延法、液相外延法和氯化物氣相外延法中的一種或多種。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體包括：氬氣或氦氣。
3.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氫的同位素氣體包括：氕氣、氘氣或氚氣。
4.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體的氣體流量為：15slm～25slm；所述氫氣或氫的同位素氣體的氣體流量為：0.5slm～1.5slm。
5.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火處理的工藝參數包括：升溫速率為80攝氏度/秒～200攝氏度/秒；降溫速率為20攝氏度/秒～50攝氏度/秒；反應溫度為1000攝氏度～1200攝氏度；反應時間為5小時～8小時。
6.如權利要求1所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述初始埋置層內的摻雜...
【專利技術屬性】
技術研發人員：滕巧，吳永玉，高大為，
申請(專利權)人：浙江創芯集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
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