【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件，具體涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。
技術(shù)介紹
1、垂直led芯片因其低電壓、高散熱、耐大電流優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于特殊照明、投影儀、車燈等領(lǐng)域，但其工藝相對復(fù)雜。一般地，垂直led芯片的外延層形成在生長基板上，后續(xù)將生長基板激光剝離后需在外延層與生長基板相結(jié)合的一側(cè)對外延層進行深刻蝕至暴露出下層的絕緣層并形成溝道，然而經(jīng)過激光剝離后外延層表面往往會不平整，尤其是基于圖形化襯底形成的外延層，外延層表面的不平整容易使得在深刻蝕外延層時，在溝道的底部或側(cè)斜面形成不平整表面，在不平整的表面極容易吸附導(dǎo)電雜質(zhì)，導(dǎo)致漏電。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本專利技術(shù)的目的在于提供一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，以避免發(fā)光二極管發(fā)生p、n導(dǎo)通，導(dǎo)致漏電。
2、為了實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供一種發(fā)光二極管，發(fā)光二極管包括：
3、基板；
4、功能層，設(shè)置于基板上，功能層的表面上包括有第一區(qū)域和第二區(qū)域；
5、外延層，疊置于功能層的第一區(qū)域上，構(gòu)成發(fā)光區(qū)；
6、電極，設(shè)置于功能層的第二區(qū)域上，并通過功能層與外延層形成電連接；電極與外延層之間的第二區(qū)域上形成有隔離槽；
7、第一擋墻，設(shè)置于電極與外延層之間的隔離槽的底壁上，以將電極與外延層相隔離，電極與第一擋墻之間、外延層與第一擋墻之間具有間隔。
8、根據(jù)本專利技術(shù)的一個方面，還提供一種發(fā)光裝置，包括電路板以及設(shè)置于電路板上的至
9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)所述的發(fā)光二極管及發(fā)光裝置至少具備如下有益效果：
10、本專利技術(shù)的發(fā)光二極管包括基板、功能層、外延層、電極及第一擋墻。其中，功能層設(shè)置于基板上，功能層的表面上包括有第一區(qū)域和第二區(qū)域。外延層疊置于功能層的第一區(qū)域上，構(gòu)成發(fā)光區(qū)。電極設(shè)置于功能層的第二區(qū)域上，并通過功能層與外延層形成電連接。電極與外延層之間的第二區(qū)域上形成有隔離槽。第一擋墻設(shè)置于電極與外延層之間的隔離槽的底壁上，以將電極與外延層相隔離，電極與第一擋墻之間、外延層與第一擋墻之間具有間隔。進而，本專利技術(shù)通過第一擋墻將電極與外延層相隔離，一方面，可以避免出現(xiàn)打線打偏或者隔離槽內(nèi)金屬顆粒遺漏導(dǎo)致的漏電問題，從而提升發(fā)光二極管的可靠性；另一方面，通過在電極與發(fā)光區(qū)之間增加擋墻，既可以增加光的反射，還可以減少電極對光的吸收，進而提升發(fā)光二極管的亮度。
11、進一步地，本專利技術(shù)的發(fā)光裝置包括上述發(fā)光裝置，同樣地也具備上述技術(shù)效果。
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1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻的厚度d1的范圍為0.1μm≤d1≤100μm；所述第一擋墻的厚度d1、所述電極與所述第一擋墻之間的間隔d2與所述外延層與所述第一擋墻之間的間隔d3的總和范圍為1μm≤d1+d2+d3≤300μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻、第二擋墻與所述外延層等高。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻包括設(shè)置于所述外延層的外圍的第一部分及設(shè)置于所述電極的外圍的第二部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分是連接的，以形成圍合擋墻將所述外延層及所述電極包圍至所述圍合擋墻內(nèi)，所述第一擋墻與所述第二擋墻連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻包括第一端和第二端，所述第一擋墻在所述電極與所述外延層之間
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，位于每個電極外圍的所述第二擋墻的第二部分與所述第一擋墻連接分別形成圍合擋墻，以將所述電極圍合于圍合擋墻內(nèi)，每個所述圍合擋墻與所述第二擋墻的第一部分?jǐn)嚅_。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分是連接的，以形成圍合擋墻將所述外延層及所述電極包圍至所述圍合擋墻內(nèi)，所述第一擋墻與所述第二擋墻不連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電極包括第一電極及第二電極，所述第一電極與所述外延層的第一半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極與所述外延層的第二半導(dǎo)體層電連接，所述第二擋墻包括設(shè)置于所述外延層的外圍的第一部分及設(shè)置于所述第一電極及所述第二電極的外圍的第二部分，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分連接形成圍合擋墻，所述第一擋墻的兩端分別與所述圍合擋墻連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電極包括第一電極及第二電極，所述第一電極與所述外延層的第一半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極與所述外延層的第二半導(dǎo)體層電連接，所述第一擋墻包括設(shè)置于所述第一電極與所述外延層之間的第一部分及設(shè)置于所述第二電極與所述外延層之間的第二部分，所述第二擋墻包括設(shè)置于所述外延層的外圍的第一部分及設(shè)置于所述第一電極及所述第二電極的外圍的第二部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻的第一部分與所述第一擋墻的第二部分連接，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分連接形成圍合擋墻，所述第一擋墻的兩端分別與所述圍合擋墻連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻的第一部分與所述第一擋墻的第二部分?jǐn)嚅_；所述第二擋墻的第二部分包括設(shè)置于第一電極的外圍的第一分部及設(shè)置于所述第二電極的外圍的第二分部，所述第一分部與所述第二分部斷開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一分部與所述第一擋墻的第一部分連接，所述第二分部與所述第一擋墻的第二部分連接，所述第二擋墻的第一部分在靠近所述第二擋墻的第二部分的位置存在間斷點。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻的第一部分、第二部分還分別與所述第二擋墻的第一部分?jǐn)嚅_，每個分部分別包括靠近所述第二擋墻的第一部分的第一子部和遠(yuǎn)離所述第二擋墻的第一部分的第二子部，所述第一子部與所述第二子部斷開，且每個所述第一子部還與所述第二擋墻的第一部分連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻還包括間隔設(shè)置于第一電極與第二電極之間的第三部分和第四部分，所述第三部分靠近所述第一電極設(shè)置，所述第四部分靠近所述第二電極設(shè)置，所述第一擋墻的第一部分與所述第三部分及第二擋墻的第一分部圍合形成第一圍合擋墻，以將所述第一電極包圍；所述第一擋墻的第二部分與所述第四部分及第二擋墻的第二分部圍合形成第二圍合擋墻，以將所述第二電極包圍，且所述第一圍合擋墻、第二圍合擋墻中至少一個與所述第二擋墻的第一部分?jǐn)嚅_。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一圍合擋墻、所述第二圍合擋墻的側(cè)壁由多個間隔設(shè)置的反光柱形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述功能層自靠近所述基板的...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻的厚度d1的范圍為0.1μm≤d1≤100μm；所述第一擋墻的厚度d1、所述電極與所述第一擋墻之間的間隔d2與所述外延層與所述第一擋墻之間的間隔d3的總和范圍為1μm≤d1+d2+d3≤300μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻、第二擋墻與所述外延層等高。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻包括設(shè)置于所述外延層的外圍的第一部分及設(shè)置于所述電極的外圍的第二部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分是連接的，以形成圍合擋墻將所述外延層及所述電極包圍至所述圍合擋墻內(nèi)，所述第一擋墻與所述第二擋墻連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一擋墻包括第一端和第二端，所述第一擋墻在所述電極與所述外延層之間沿所述第一端至所述第二端延伸，所述第一端與所述圍合擋墻連接，所述第二端與所述圍合擋墻連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，位于每個電極外圍的所述第二擋墻的第二部分與所述第一擋墻連接分別形成圍合擋墻，以將所述電極圍合于圍合擋墻內(nèi)，每個所述圍合擋墻與所述第二擋墻的第一部分?jǐn)嚅_。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分是連接的，以形成圍合擋墻將所述外延層及所述電極包圍至所述圍合擋墻內(nèi)，所述第一擋墻與所述第二擋墻不連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電極包括第一電極及第二電極，所述第一電極與所述外延層的第一半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極與所述外延層的第二半導(dǎo)體層電連接，所述第二擋墻包括設(shè)置于所述外延層的外圍的第一部分及設(shè)置于所述第一電極及所述第二電極的外圍的第二部分，所述第二擋墻的第一部分與所述第二擋墻的第二部分連接形成圍合擋墻，所述第一擋墻的兩端分別與所述圍合擋墻連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述電極包括第一電極及第二電極，所述第一電極與所述外延層的第一半導(dǎo)體層電連接，所述第二電極與所述外延層的第二半導(dǎo)體層電連接，所述第一擋墻包括設(shè)置于所述第一電極與所述外延層之間的第一部分及設(shè)置于所述第二電極與所述外延層之間的第二部...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳功，臧雅姝，黃秀麗，于艷玲，曾煒竣，陳思河，張中英，蔡吉明，徐瑾，
申請(專利權(quán))人：廈門三安光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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