【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及l(fā)ed，具體涉及一種超窄型半導(dǎo)體引線框架。
技術(shù)介紹
1、引線框架是半導(dǎo)體ic和器件模塑封裝的基本材料，引線框架有三個(gè)主要作用：
2、1.為芯片提供機(jī)械支撐，在灌封以及后續(xù)使用中都依賴框架的支撐；
3、2.提供電氣連接，溝通芯片和外部電路，所有信號(hào)，電源都通過管腳傳輸；
4、3.提供散熱散熱通路，管腳相對(duì)塑封有更低的熱阻，是主要的散熱渠道。
5、對(duì)于半導(dǎo)體器件使用中需要安裝在電路板pcb上，而這依賴引腳焊接固定到焊盤上，這引腳就是引線框架提供的。
6、傳統(tǒng)引線框架單體為了保證其結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和強(qiáng)度，其寬度一般都在1.5mm以上，這種寬度尺寸的引線框架單體在市場(chǎng)較為普遍，并不具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決
技術(shù)介紹
存在的技術(shù)問題，本技術(shù)提出的一種超窄型半導(dǎo)體引線框架。
2、本技術(shù)提出的一種超窄型半導(dǎo)體引線框架，包括：
3、引線框架單體，其具有長(zhǎng)度方向和寬度方向，且其寬度方向小于其長(zhǎng)度方向，其寬度小于1.25mm；引線框架單體包括由導(dǎo)體材料制成的底座和由絕緣材料經(jīng)注膠工藝與底座結(jié)合的杯體；
4、杯體為敝口結(jié)構(gòu)，其底部具有與其一體注膠成型的絕緣分隔帶，且絕緣分隔帶沿引線框架單體的寬度方向傾斜設(shè)置并與底座共同構(gòu)成了杯體的杯底結(jié)構(gòu)；
5、底座位于杯體內(nèi)側(cè)的區(qū)域經(jīng)絕緣分隔帶隔斷形成位于絕緣分隔帶一側(cè)的第一焊盤與位于絕緣分隔帶另一側(cè)的第二焊盤。
6、優(yōu)選地，
7、優(yōu)選地，絕緣分隔帶的傾斜角度大于70°小于90°。
8、優(yōu)選地，底座位于其與杯體結(jié)合面處且位于第一焊盤與第二焊盤遠(yuǎn)離端的端部位置設(shè)有封裝防潮槽體，封裝防潮槽體包括至少一個(gè)沿引線框架寬度方向設(shè)置的溝槽。
9、優(yōu)選地，底座位于遠(yuǎn)離杯體杯口的一面具有沿其輪廓邊設(shè)置且高度低于其表面以與其表面形成高度差的沉降面，且杯體在注膠成型過程中將沉降面包裹在其內(nèi)部以使得沉降面嵌入到杯體內(nèi)部。
10、優(yōu)選地，引線框架單體位于其長(zhǎng)度方向的外側(cè)壁且位于其底座與杯體結(jié)合處設(shè)有向其內(nèi)側(cè)壓制而成的擠壓槽，且擠壓槽為沿引線框架單體長(zhǎng)度方向延伸的線性槽。
11、優(yōu)選地，底座長(zhǎng)度向端部的中心部位高于其兩側(cè)部位以形成凸起面，凸起面的端面鍍有銀層。
12、優(yōu)選地，還包括構(gòu)成底座的導(dǎo)電基材，導(dǎo)電基材經(jīng)沖壓形成若干個(gè)單顆底座沖壓區(qū)，每個(gè)單顆底座沖壓區(qū)內(nèi)均具有貫通導(dǎo)電基材的型槽，型槽包括相對(duì)設(shè)置的第一槽腔與第二槽腔、以及位于第一槽腔與第二槽腔之間并連通二者的隔離溝，單顆底座沖壓區(qū)位于隔離溝兩側(cè)的區(qū)域構(gòu)成引線框架單體中第一焊盤與第二焊盤；
13、每n個(gè)單顆底座沖壓區(qū)形成一個(gè)組，每組中的所有單顆底座沖壓區(qū)呈線性排列，且每組相鄰兩個(gè)單顆底座沖壓區(qū)之間均設(shè)有連通二者型槽的連通橋；連通橋的中心部位具有用于注入絕緣材料的注膠口；每組相鄰兩個(gè)單顆底座沖壓區(qū)經(jīng)位于二者之間的注膠口注膠在每個(gè)單顆底座沖壓區(qū)內(nèi)形成杯體，各杯體分別與位于其底部的單顆底座沖壓區(qū)結(jié)合以在導(dǎo)電基材上構(gòu)成一顆顆引線框架單體。
14、優(yōu)選地，導(dǎo)電基材為具有長(zhǎng)度方向和寬度方向的帶狀金屬片，在其寬度方向上，任意相鄰的兩組單顆底座沖壓區(qū)組之間均預(yù)留有間距以形成縱向間隔帶，在其長(zhǎng)度方向上，任意相鄰的兩組單顆底座沖壓區(qū)組之間均預(yù)留有間距以形成橫向間隔帶，且任意一個(gè)橫向隔離帶與縱向隔離帶交匯處均設(shè)有通孔。
15、優(yōu)選地，導(dǎo)電基材的長(zhǎng)度邊和寬度邊上均設(shè)有切口，且長(zhǎng)度邊上的切口的中心位于縱向隔離帶的中心線上，寬度邊上的切口的中心位于橫向隔離帶的中心線上，長(zhǎng)度邊和寬度邊上的切口形狀不同。
16、優(yōu)選地，導(dǎo)電基材一側(cè)長(zhǎng)度邊上的切口形狀為v形，且v形兩側(cè)的端口邊設(shè)有c倒角。
17、優(yōu)選地，導(dǎo)電基材另一側(cè)長(zhǎng)度邊的切口形狀為梯形。
18、優(yōu)選地，導(dǎo)電基材寬度邊上的切口為半圓形。
19、本技術(shù)，將絕緣分隔帶沿引線框架單體的寬度方向傾斜設(shè)置，這種設(shè)置能夠彌補(bǔ)因其引線框架單體寬度變窄而造成其底座和杯體結(jié)合面積減小不足，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和強(qiáng)度減弱的問題，繼而能夠在保障整個(gè)引線框架單體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時(shí)，使得該引線框架單體能夠做到更窄的寬度，通過減小產(chǎn)品寬度，可以將后端常規(guī)使用的2.0mm導(dǎo)光板更替為1.5mm寬度規(guī)格的導(dǎo)光板，導(dǎo)光板直接成本降低約1/4，大大提升了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
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1.一種超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)，其具有長(zhǎng)度方向和寬度方向，且其寬度方向小于其長(zhǎng)度方向，其寬度小于1.25mm；引線框架單體(1)包括由導(dǎo)體材料制成的底座(11)和由絕緣材料經(jīng)注膠工藝與底座(11)結(jié)合的杯體(12)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)的長(zhǎng)度大于3.90mm，其杯體(12)的內(nèi)杯口寬度小于0.95mm,杯底內(nèi)側(cè)壁的寬度小于0.80mm,杯體(12)長(zhǎng)度向側(cè)壁厚度大于150um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，絕緣分隔帶(121)的傾斜角度大于70°小于90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)位于其與杯體(12)結(jié)合面處且位于第一焊盤(111)與第二焊盤(112)遠(yuǎn)離端的端部位置設(shè)有封裝防潮槽體(113)，封裝防潮槽體(113)包括至少一個(gè)沿引線框架寬度方向設(shè)置的溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)位于遠(yuǎn)離杯體(12)杯口的一面具有沿其輪廓
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)位于其長(zhǎng)度方向的外側(cè)壁且位于其底座(11)與杯體(12)結(jié)合處設(shè)有向其內(nèi)側(cè)壓制而成的擠壓槽，且擠壓槽為沿引線框架單體(1)長(zhǎng)度方向延伸的線性槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)長(zhǎng)度向端部的中心部位高于其兩側(cè)部位以形成凸起面(115)，凸起面(115)的端面鍍有銀層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，還包括構(gòu)成底座(11)的導(dǎo)電基材(2)，導(dǎo)電基材(2)經(jīng)沖壓形成若干個(gè)單顆底座沖壓區(qū)(21)，每個(gè)單顆底座沖壓區(qū)(21)內(nèi)均具有貫通導(dǎo)電基材(2)的型槽(3)，型槽(3)包括相對(duì)設(shè)置的第一槽腔與第二槽腔、以及位于第一槽腔與第二槽腔之間并連通二者的隔離溝，單顆底座沖壓區(qū)(21)位于隔離溝兩側(cè)的區(qū)域構(gòu)成引線框架單體(1)中第一焊盤(111)與第二焊盤(112)；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，導(dǎo)電基材(2)為具有長(zhǎng)度方向和寬度方向的帶狀金屬片，在其寬度方向上，任意相鄰的兩組單顆底座沖壓區(qū)(21)組之間均預(yù)留有間距以形成縱向間隔帶，在其長(zhǎng)度方向上，任意相鄰的兩組單顆底座沖壓區(qū)(21)組之間均預(yù)留有間距以形成橫向間隔帶，且任意一個(gè)橫向隔離帶與縱向隔離帶交匯處均設(shè)有通孔(6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，導(dǎo)電基材(2)的長(zhǎng)度邊和寬度邊上均設(shè)有切口(7)，且長(zhǎng)度邊上的切口(7)的中心位于縱向隔離帶的中心線上，寬度邊上的切口(7)的中心位于橫向隔離帶的中心線上，長(zhǎng)度邊和寬度邊上的切口(7)形狀不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，導(dǎo)電基材(2)一側(cè)長(zhǎng)度邊上的切口(7)形狀為V形，且V形兩側(cè)的端口邊設(shè)有C倒角。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，導(dǎo)電基材(2)另一側(cè)長(zhǎng)度邊的切口(7)形狀為梯形。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，導(dǎo)電基材(2)寬度邊上的切口(7)為半圓形。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)，其具有長(zhǎng)度方向和寬度方向，且其寬度方向小于其長(zhǎng)度方向，其寬度小于1.25mm；引線框架單體(1)包括由導(dǎo)體材料制成的底座(11)和由絕緣材料經(jīng)注膠工藝與底座(11)結(jié)合的杯體(12)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)的長(zhǎng)度大于3.90mm，其杯體(12)的內(nèi)杯口寬度小于0.95mm,杯底內(nèi)側(cè)壁的寬度小于0.80mm,杯體(12)長(zhǎng)度向側(cè)壁厚度大于150um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，絕緣分隔帶(121)的傾斜角度大于70°小于90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)位于其與杯體(12)結(jié)合面處且位于第一焊盤(111)與第二焊盤(112)遠(yuǎn)離端的端部位置設(shè)有封裝防潮槽體(113)，封裝防潮槽體(113)包括至少一個(gè)沿引線框架寬度方向設(shè)置的溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)位于遠(yuǎn)離杯體(12)杯口的一面具有沿其輪廓邊設(shè)置且高度低于其表面以與其表面形成高度差的沉降面(114)，且杯體(12)在注膠成型過程中將沉降面(114)包裹在其內(nèi)部以使得沉降面(114)嵌入到杯體(12)內(nèi)部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，引線框架單體(1)位于其長(zhǎng)度方向的外側(cè)壁且位于其底座(11)與杯體(12)結(jié)合處設(shè)有向其內(nèi)側(cè)壓制而成的擠壓槽，且擠壓槽為沿引線框架單體(1)長(zhǎng)度方向延伸的線性槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超窄型半導(dǎo)體引線框架，其特征在于，底座(11)長(zhǎng)度向端部的中心部位高于其兩側(cè)部位以形成...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊風(fēng)帆，于福軒，許長(zhǎng)樂，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安徽盛燁電子科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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