【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于封裝微電子組件，具體涉及一種微電子組件生產封裝工藝。
技術介紹
1、csp的全稱為chipscalepackage，即芯片級封裝。依據ipc標準j－std－012對csp的定義，指的是封裝尺寸與芯片尺寸之比不大于1.2倍的功能完整的封裝器件。cspled的小尺寸、大電流、高可靠的特點，使得cspled被業界視為未來主流的產品，特別是手機閃光燈、背光、車燈等領域。目前，多顆芯片封裝的光源比單顆芯片封裝的光源熱阻小，而溫度對多器件組裝pcb的熱應力和可靠性有一定的影響。cspled的封裝以熒光膠為封裝材料，起光轉換輸出、保護芯片、加快散熱、降低芯片與空氣折射率差和增強光輸出作用。目前常用的封裝材料主要有硅膠和環氧樹脂，但是硅膠和環氧樹脂自身導熱效果差，長時間工作后造成led性能退化。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種微電子組件生產封裝工藝，用于提高led封裝用熒光膠的導熱性能。
2、本專利技術的目的可以通過以下技術方案實現：
3、一種微電子組件生產封裝工藝，包括以下步驟：
4、s1、取基板浸于無水乙醇中超聲清洗，于熱氮機中干燥，完成對基板的清洗；
5、s2、取若干led芯片按照生產要求排片至所述清洗后的基板上；
6、s3、配置熒光膠，固化成膜，剪裁，貼于所述排片后的基板上，壓膜，烘烤，得到貼膜后的基板；
7、s4、對所述貼膜后的基板進行線條切割清洗，解膠，分光，編帶，測試，包裝，得到封裝
8、作為本專利技術的一種優選技術方案，所述熒光膠的制備方法包括以下步驟：
9、a1、于氮氣氛圍中，取1,5-環辛二烯二氯化鈀、四(3,5-二(三氟甲基)苯基)硼酸鈉、丙烯酸甲酯、乙醚混合，室溫攪拌，過濾，取液相減壓旋蒸，洗滌，低溫條件下在二氯甲烷中重結晶，抽濾，取固相得到物料a；
10、a2、于乙烯氛圍中，取二氯甲烷、6-溴-1-己基丙烯酸酯混合，攪拌，加入所述物料a，攪拌，加入四氫呋喃、甲醇，攪拌，過濾，取沉淀洗滌，真空干燥，得到物料b；
11、a3、于氮氣氛圍中，取所述物料b、丙烯酸十六酯、甲苯混合，攪拌，加入五甲基二亞乙基三胺，攪拌，循環凍融處理，然后升溫至75℃，加入溴化亞銅，繼續攪拌，加入四氫呋喃、甲醇，攪拌，過濾，取沉淀洗滌，真空干燥，得到物料c；
12、a4、取氨基化多壁碳納米管、n，n-二甲基乙酰胺混合，超聲分散，得到物料d；
13、a5、于氮氣氛圍中，取4,4'-二氨基二苯醚、對苯二胺、n，n-二甲基乙酰胺混合，攪拌，邊攪拌邊加入3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐至體系粘度為100-120pa·s，加入所述物料d，超聲分散，真空脫泡，于烘箱中升溫處理，然后轉移至炭化爐中于氬氣氛圍中石墨化處理，冷卻至室溫，得到物料e；
14、a6、于氬氣氛圍中，取所述物料c、物料e、三氯甲烷混合，超聲攪拌，離心分離，取液相，得到物料f；
15、a7、于真空氛圍中，取環氧樹脂、固化劑、促進劑混合，加熱攪拌，加入所述物料f、檸檬酸鈉、鄰苯二甲酸二甲酯、熒光粉，超聲分散，即得所述熒光膠。
16、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a1中，所述1,5-環辛二烯二氯化鈀、四(3,5-二(三氟甲基)苯基)硼酸鈉、丙烯酸甲酯、乙醚的配量比為1.13mmo?l：1.13mmo?l：112μl：25ml。
17、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a2中，所述二氯甲烷、6-溴-1-己基丙烯酸酯、物料a、四氫呋喃、甲醇的配量比為10ml：0.28-0.32mo?l：0.2-0.22g：150-200ml：50-60ml。
18、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a3中，所述物料b、丙烯酸十六酯、甲苯、五甲基二亞乙基三胺、溴化亞銅、四氫呋喃、甲醇的配量比為100mg：12-13g：15ml：45-50mg：19-20mg：200-300ml：100-150ml。
19、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a4中，所述氨基化多壁碳納米管、n，n-二甲基乙酰胺的配量比為10-12g：100-120ml。
20、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a5中，所述4,4'-二氨基二苯醚、對苯二胺、n，n-二甲基乙酰胺、3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐、物料d的配量比為7-8mol：3-3.2mo?l：60-80ml：7.8-8.2mo?l：2.2-2.4mo?l：1.6-2ml。
21、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a6中，所述物料c、物料e、三氯甲烷的配量比為80-90mg：635-655mg：80-100ml。
22、作為本專利技術的一種優選技術方案，步驟a7中，所述環氧樹脂、固化劑、促進劑、物料f、檸檬酸鈉、鄰苯二甲酸二甲酯、熒光粉的質量比為80-100：3-5：0.5-0.7：7.8-9.4：1-2：3-4：15-25。
23、本專利技術的有益效果：
24、本專利技術所公開的一種微電子組件生產封裝工藝通過將碳納米管表面的-nh2基團可以與聚酰亞胺分子鏈上的亞胺基團-co-n-co-形成氫鍵作用，從而使得碳納米管可以有效分散于聚酰亞胺分子鏈之間，當石墨化處理時，碳納米管的碳-碳結構作為石墨生長的微晶核，從而誘導無序的碳原子重新排列，形成有序的石墨晶體，規整的碳-碳結構在石墨膜內部形成了良好的導熱通路，提高熒光膠的導熱效果；此外通過制得超支化聚合物分散穩定劑使得有序的石墨晶體均勻分散于熒光膠體系中，獲得穩定透光率和導熱效果的熒光膠。
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1.一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，所述熒光膠的制備方法包括以下步驟：
3.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A1中，所述1,5-環辛二烯二氯化鈀、四(3,5-二(三氟甲基)苯基)硼酸鈉、丙烯酸甲酯、乙醚的配量比為1.13mmol：1.13mmol：112μL：25mL。
4.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A2中，所述二氯甲烷、6-溴-1-己基丙烯酸酯、物料A、四氫呋喃、甲醇的配量比為10mL：0.28-0.32mol：0.2-0.22g：150-200mL：50-60mL。
5.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A3中，所述物料B、丙烯酸十六酯、甲苯、五甲基二亞乙基三胺、溴化亞銅、四氫呋喃、甲醇的配量比為100mg：12-13g：15mL：45-50mg：19-20mg：200-300mL：100-150mL。
6.根據權利要求2所述的一種
7.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A5中，所述4,4'-二氨基二苯醚、對苯二胺、N，N-二甲基乙酰胺、3,3’,4,4’-聯苯四甲酸二酐、均苯四甲酸二酐、物料D的配量比為7-8mol：3-3.2mol：60-80mL：7.8-8.2mol：2.2-2.4mol：1.6-2mL。
8.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A6中，所述物料C、物料E、三氯甲烷的配量比為80-90mg：635-655mg：80-100mL。
9.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟A7中，所述環氧樹脂、固化劑、促進劑、物料F、檸檬酸鈉、鄰苯二甲酸二甲酯、熒光粉的質量比為80-100：3-5：0.5-0.7：7.8-9.4：1-2：3-4：15-25。
...【技術特征摘要】
1.一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，所述熒光膠的制備方法包括以下步驟：
3.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟a1中，所述1,5-環辛二烯二氯化鈀、四(3,5-二(三氟甲基)苯基)硼酸鈉、丙烯酸甲酯、乙醚的配量比為1.13mmol：1.13mmol：112μl：25ml。
4.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟a2中，所述二氯甲烷、6-溴-1-己基丙烯酸酯、物料a、四氫呋喃、甲醇的配量比為10ml：0.28-0.32mol：0.2-0.22g：150-200ml：50-60ml。
5.根據權利要求2所述的一種微電子組件生產封裝工藝，其特征在于，步驟a3中，所述物料b、丙烯酸十六酯、甲苯、五甲基二亞乙基三胺、溴化亞銅、四氫呋喃、甲醇的配量比為100mg：12-13g：15ml：45-50mg：19-20mg：200-300ml：100-150...
【專利技術屬性】
技術研發人員：唐斌霞，陳偉，崔建，
申請(專利權)人：深圳市中恒致遠乾元科技實業發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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