【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及有機(jī)發(fā)光二極管，更具體地，涉及感知來(lái)自有害波長(zhǎng)輻射的最小損害的有機(jī)發(fā)光二極管。
技術(shù)介紹
1、近來(lái)，包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置變得越來(lái)越受歡迎。隨著更多人使用包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置，顯示裝置相比以前在更寬范圍的環(huán)境中使用。
2、然而，在包括有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光層容易被環(huán)境要素?fù)p害。這導(dǎo)致不期望的短產(chǎn)品壽命。需要一種可用于各種環(huán)境中并且提供優(yōu)異的光效率而不易受環(huán)境要素?fù)p傷的顯示裝置。
3、在
技術(shù)介紹
部分中公開的上述信息用于增強(qiáng)對(duì)本專利技術(shù)的背景的理解，因此其可以包含不形成對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在本國(guó)內(nèi)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、示例性實(shí)施方式提供一種防止被有害波長(zhǎng)劣化的有機(jī)發(fā)光二極管。
2、根據(jù)所描述的技術(shù)的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管包括：第一電極；重疊于第一電極的第二電極；在第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層；以及在第二電極上的覆蓋層，其中所述覆蓋層對(duì)于波長(zhǎng)為405nm的光具有0.25或更大的吸收率。
3、覆蓋層在430nm波長(zhǎng)處可以具有小于0.25的吸收率。
4、覆蓋層可以滿足以下條件：
5、k1-k2>0.10
6、其中k1是405nm波長(zhǎng)處的吸收率，并且k2是430nm波長(zhǎng)處的吸收率。
7、覆蓋層在430nm至470nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)可以具有2.0或更大的折射率。
8、有機(jī)發(fā)光層可以包括藍(lán)色發(fā)光層，并且藍(lán)色發(fā)光
9、第二電極在430nm至500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)可以具有20％或更大的透光率。
10、有機(jī)發(fā)光層可以包括藍(lán)色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層，并且覆蓋層可以分別重疊于藍(lán)色發(fā)光層、紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層。
11、覆蓋層可以包括碳原子和氫原子，并且可以包括選自包括芳族烴化合物、芳族雜環(huán)化合物和胺化合物的組中的至少一種，所述芳族烴化合物、芳族雜環(huán)化合物和胺化合物包括取代基，所述取代基具有包括氧原子、硫原子、氮原子、氟原子、硅原子、氯原子、溴原子和碘原子的組中的至少一種。
12、覆蓋層可以具有200nm或更小的厚度。
13、覆蓋層在405nm波長(zhǎng)處可以具有1.0或更小的吸收率。
14、覆蓋層可以阻擋50％或更多的405nm波長(zhǎng)的光。
15、有機(jī)發(fā)光層可以與代表不同顏色的多個(gè)層組合以發(fā)射白光。
16、多個(gè)層可以包括其中沉積2個(gè)層或3個(gè)層的結(jié)構(gòu)。
17、根據(jù)示例性實(shí)施方式，通過(guò)阻擋有害波長(zhǎng)區(qū)域的光，可以防止有機(jī)發(fā)光層的劣化，并且有機(jī)發(fā)光二極管的藍(lán)色發(fā)光效率可以不變差。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光二極管，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其中
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中所述由化學(xué)式A表示的化合物包括選自由化學(xué)式1至化學(xué)式7表示的化合物中的一種或多種：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金明淑，金成昱，秋昌雄，黃珍秀，任相薰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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