【技術實現步驟摘要】
本技術的實施例涉及一種半導體封裝件。
技術介紹
1、高密度互連嵌入技術或封裝用于高效能運算(high-performance?computing，hpc)、人工智能(ai)、第5/6代移動通信技術(5g/6g)、電動汽車市場的進一步先進電子應用。嵌入有源元件或/和無源元件可以減小封裝厚度，但在嵌入式組件上構建精細間距的重布線層(rdl)是非常具有挑戰性的。
2、嵌入式結構，例如圖1所示的先進嵌入式有源系統集成(advanced?embeddedactive?system?integration，a-easi)1(通過rdl?4向外扇出訊號)、內置于基板的半導體(semiconductor?embedded?in?substrate，sesub)2、圖3所示的系統級封裝(system?in?apackage，sip)3都在襯底中嵌入有源元件和/或無源元件，可以減少封裝厚度，扇出rdl是最后直接在襯底上構建的，rdl中跡線的線寬、節距(pitch)無法做到精細，產量也面臨巨大挑戰。另外，如果在嵌入式結構上直接構建細間距rdl，會因嵌入式結構中填充材料與有源元件或/和無源元件之間的熱膨脹系數(cte)差異導致嵌入式結構翹曲，而使構建rdl的難度提升。
技術實現思路
1、針對相關技術中存在的問題，本技術的目的在于提供一種半導體封裝件，以至少實現提高半導體封裝件的性能。
2、為實現上述目的，本技術提供了一種半導體封裝件，包括：襯底；第一重布線層，設置在襯底上；第一電子
3、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第一底部填充層，位于第一重布線層和襯底之間并且包覆第一電子元件。
4、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第一焊料，位于第一導電柱與襯底之間，第一底部填充層包覆第一導電柱和第一焊料。
5、在一些實施例中，第一底部填充層覆蓋第一電子元件的面向第一重布線層的表面。
6、在一些實施例中，第一底部填充層具有彎曲表面。
7、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第二底部填充層，第一電子元件電連接襯底，第二底部填充層位于第一電子元件和襯底之間并且包覆第一電子元件和襯底的連接點。
8、在一些實施例中，第一底部填充層包覆第二底部填充層。
9、在一些實施例中，第一底部填充層覆蓋第一電子元件的面向襯底的表面。
10、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：無源元件，設置在襯底上，無源元件位于第一底部填充層之外。
11、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第二底部填充層，第一電子元件電連接第一重布線層，第二底部填充層位于第一電子元件和第一重布線層之間并且包覆第一電子元件和第一重布線層的連接點。
12、在一些實施例中，第一底部填充層包覆第二底部填充層。
13、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第二電子元件，設置在第一重布線層上方。
14、在一些實施例中，第二電子元件通過第一導電柱電連接第一電子元件。
15、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第三電子元件，設置在襯底與第一重布線層之間，第一導電柱在側向上與第三電子元件重疊。
16、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第二重布線層，與第一重布線層并排地設置在襯底上；第三電子元件，設置在襯底與第二重布線層之間；第二重布線層包括朝襯底延伸并且電連接襯底的第二導電柱，第二導電柱在側向上與第三電子元件重疊。
17、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第三底部填充層，位于第二重布線層和襯底之間并且包覆第三電子元件。
18、在一些實施例中，半導體封裝件還包括：第二焊料，位于第二導電柱與襯底之間，第三底部填充層包覆第二導電柱和第二焊料。
19、本申請的實施例還提供一種半導體封裝件，包括：襯底；第一重布線層，設置在襯底上；第一電子元件、第三電子元件和無源元件，并排設置在襯底與第一重布線層之間，無源元件位于第一電子元件和第三電子元件之間；第一重布線層包括朝襯底延伸并且電連接襯底的第一導電柱和第二導電柱，第一導電柱和第二導電柱分別設置在第一電子元件和第三電子元件的四周。
20、在一些實施例中，第一電子元件和第三電子元件直接連接第一重布線層。
21、在一些實施例中，無源元件位于第一導電柱和第二導電柱之間。
22、本技術的有益技術效果在于：
23、本申請的實施例提供一種扇出嵌入式結構，第一重布線層包括第一導電柱以匹配第一電子元件的厚度，避免了第一重布線層被第一電子元件碰撞而被破壞的問題。
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1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層覆蓋所述第一電子元件的面向所述第一重布線層的表面。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層包覆所述第二底部填充層。
6.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層覆蓋所述第一電子元件的面向所述襯底的表面。
7.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層包覆所述第二底部填充層。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層覆蓋所述第一電子元件的面向所述第一重布線層的表面。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，所述第一底部填充層包覆所述第二底部填充層。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：顏尤龍，博恩·卡爾·艾皮特，凱·史提芬·艾斯格，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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