【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體封裝，尤其是涉及一種采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法和晶圓級封裝結構。
技術介紹
1、傳統的封裝技術先將晶圓切割成單個芯片，再針對單個芯片逐個封裝，這種封裝方式效率低，成本高，而晶圓級封裝(wlp，wafer-level?packaging)是一種當前分立器件所采用的先進封裝技術。與傳統封裝相比，wlp是在整片晶圓尚未切割的時候就對晶片上的所有芯片進行封裝，完成封裝和內部電路連接后再將晶圓切成單個芯片。wlp具有封裝尺寸更小、效率更高、生產周期短以及工藝成本低以及更容易集成等優勢。因此wlp封裝目前在分立器件和模組集成器件領域具有極大的優勢。
2、但是，當前的具有空腔型的wlp封裝方案通常是在晶圓上方和頂部蓋板中間增加一層或多層的支撐體結構來形成空腔，這種結構不僅增加了工藝環節和成本，而且由于額外增添了多層結構導致可靠性風險增加。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法和晶圓級封裝結構，簡化了封裝工藝，有利于提高封裝效率和封裝可靠性。
2、第一方面，本專利技術提供一種采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，包括：
3、提供載板和玻璃蓋板層的組合體；
4、其中，所述玻璃蓋板層遠離所述載板的一側間隔設置有第一凹槽和第二凹槽；所述第一凹槽的深度小于所述玻璃蓋板層的厚度，所述第二凹槽在厚度方向上貫穿所述玻璃蓋板層；
5、提供具有多個芯片的晶圓；其中，相鄰所述芯片之間形成有切割道；每個所述芯
6、在所述玻璃蓋板層和/或所述芯片上形成鍵合膠，以使所述玻璃蓋板層通過所述鍵合膠蓋設在所述晶圓上；其中，所述功能區位于所述第一凹槽內；所述切割道位于所述第二凹槽內；所述鍵合膠位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之間，且覆蓋部分所述金屬互聯層；
7、去除所述載板；
8、在所述玻璃蓋板層的第二凹槽的側壁以及所述玻璃蓋板層遠離所述晶圓的一側表面形成導電層，所述導電層和所述金屬互聯層電連接。
9、在可選的實施方式中，所述提供載板和玻璃蓋板層的組合體的步驟包括：
10、提供所述載板；
11、在所述載板上貼膠膜層；
12、在所述膠膜層上貼所述玻璃蓋板層；
13、在所述玻璃蓋板層上分別形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
14、在可選的實施方式中，所述芯片包括涂敷區，所述涂敷區位于所述功能區和所述切割道之間；所述玻璃蓋板層包括位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之間的支撐側壁；
15、在所述玻璃蓋板層和/或所述芯片上形成鍵合膠的步驟包括：
16、在所述涂敷區和/或所述支撐側壁上形成鍵合膠。
17、在可選的實施方式中，所述支撐側壁的寬度與所述涂敷區的寬度相等。
18、在可選的實施方式中，所述鍵合膠的寬度不大于所述涂敷區或所述支撐側壁的寬度。
19、在可選的實施方式中，所述涂敷區包括內圈和外圈，所述內圈和所述外圈的距離為所述涂敷區的寬度；所述內圈和所述外圈均位于所述金屬互聯層上；所述金屬互聯層的一部分位于所述第一凹槽內，一部分位于所述第二凹槽內。
20、在可選的實施方式中，在所述玻璃蓋板層的第二凹槽的側壁以及所述玻璃蓋板層遠離所述晶圓的一側表面形成導電層的步驟包括：
21、依次在所述玻璃蓋板層的第二凹槽的側壁以及所述玻璃蓋板層遠離所述晶圓的一側表面形成多層金屬層。
22、在可選的實施方式中，所述多層金屬層包括依次形成的鋁層、銅層、鈦層和金層，所述鋁層和所述玻璃蓋板表面接觸。
23、在可選的實施方式中，還包括：在所述導電層上形成電連端。
24、第二方面，本專利技術提供一種晶圓級封裝結構，包括：
25、玻璃蓋板層，所述玻璃蓋板層具有第一凹槽，以及形成所述第一凹槽的周向壁面的支撐側壁；
26、芯片；所述芯片包括功能區和從所述功能區向外延伸的金屬互聯層；
27、鍵合膠；
28、所述支撐側壁通過所述鍵合膠固定在所述芯片上，以使所述功能區位于所述第一凹槽內，所述金屬互聯層至少部分延伸至所述第一凹槽外；
29、導電層，所述導電層設于所述玻璃蓋板層的外表面，且與所述金屬互聯層電連接。
30、在可選的實施方式中，所述芯片包括涂敷區，所述涂敷區位于所述功能區的外圍，所述涂敷區與所述支撐側壁對應設置；所述鍵合膠設于所述芯片的涂敷區與所述支撐側壁之間。
31、在可選的實施方式中，所述涂敷區的寬度與所述支撐側壁的寬度相等；所述鍵合膠的寬度不大于所述涂敷區的寬度或所述支撐側壁的寬度。
32、在可選的實施方式中，所述涂敷區包括內圈和外圈，所述內圈和所述外圈的距離為所述涂敷區的寬度；所述內圈和所述外圈均位于所述金屬互聯層上；
33、和/或，所述金屬互聯層的一部分位于所述第一凹槽內，另一部分經過所述涂敷區后延伸至所述第一凹槽外。
34、在可選的實施方式中，所述玻璃蓋板層的外表面包括相連的側面和上表面，所述側面與所述芯片連接，所述上表面為所述玻璃蓋板層遠離所述芯片的一側表面；所述導電層沿所述側面延伸至所述上表面，位于所述上表面的所述導電層上設有電連端。
35、本專利技術提供的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法和晶圓級封裝結構的有益效果包括：
36、本專利技術提供的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，尤其適用于需要形成空腔結構的晶圓級封裝。采用玻璃蓋板層，結構強度大，方便加工。利用具有第一凹槽、第二凹槽結構的玻璃蓋板層和晶圓鍵合，使芯片位于第一凹槽形成的空腔中，實現空腔結構的封裝。工藝簡單，省略了傳統工藝中制備空腔的多層支撐體結構，工藝效率更高，成本更低。
37、本專利技術提供的晶圓級封裝結構，采用前述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法制成，結構可靠，成本低，工藝效率更高。
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1.一種采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，提供載板(1)和玻璃蓋板層(3)的組合體的步驟包括：
3.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述芯片(6)包括涂敷區(7)，所述涂敷區(7)位于所述功能區(9)和所述切割道(10)之間；所述玻璃蓋板層(3)包括位于所述第一凹槽(4)和所述第二凹槽(5)之間的支撐側壁(31)；
4.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述玻璃蓋板層(3)的第二凹槽(5)的側壁以及所述玻璃蓋板層(3)遠離所述晶圓的一側表面形成導電層(12)的步驟包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述玻璃蓋板層(3)的第二凹槽(5)的側壁以及所述玻璃蓋板層(3)遠離所述晶圓的一側表面形成導電層(12)的步驟之后，還包括：在所述導電層(12)上形成電連端(13)。
6.一種晶圓級封裝結構，其特征在于，包括：
7.根據權
8.根據權利要求7所述的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述涂敷區(7)的寬度與所述支撐側壁(31)的寬度相等；所述鍵合膠(11)的寬度不大于所述涂敷區(7)的寬度或所述支撐側壁(31)的寬度。
9.根據權利要求7所述的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述涂敷區(7)包括內圈和外圈，所述內圈和所述外圈的距離為所述涂敷區(7)的寬度；所述內圈和所述外圈均位于所述金屬互聯層(8)上；
10.根據權利要求6至9中任一項所述的晶圓級封裝結構，其特征在于，所述玻璃蓋板層(3)的外表面包括相連的側面和上表面，所述側面與所述芯片(6)連接，所述上表面為所述玻璃蓋板層(3)遠離所述芯片(6)的一側表面；所述導電層(12)沿所述側面延伸至所述上表面，位于所述上表面的所述導電層(12)上設有電連端(13)。
...【技術特征摘要】
1.一種采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，提供載板(1)和玻璃蓋板層(3)的組合體的步驟包括：
3.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述芯片(6)包括涂敷區(7)，所述涂敷區(7)位于所述功能區(9)和所述切割道(10)之間；所述玻璃蓋板層(3)包括位于所述第一凹槽(4)和所述第二凹槽(5)之間的支撐側壁(31)；
4.根據權利要求1所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述玻璃蓋板層(3)的第二凹槽(5)的側壁以及所述玻璃蓋板層(3)遠離所述晶圓的一側表面形成導電層(12)的步驟包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的采用玻璃蓋板的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述玻璃蓋板層(3)的第二凹槽(5)的側壁以及所述玻璃蓋板層(3)遠離所述晶圓的一側表面形成導電層(12)的步驟之后，還包括：在所述導電層(12)上形成電連端(13)。
6.一種晶圓級封裝結構，其特征在于，包括：
【專利技術屬性】
技術研發人員：馬少鵬，金賢敏，歐陽純方，魏志猛，
申請(專利權)人：無錫光子芯片聯合研究中心，
類型：發明
國別省市：
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