【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及芯片測(cè)試，尤其涉及基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)及裝置。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，芯片的測(cè)試需求日益增加。傳統(tǒng)的芯片測(cè)試系統(tǒng)往往采用單工位測(cè)試，測(cè)試速度和測(cè)試效率受到很大限制。為提高測(cè)試效率，需要開發(fā)一種具有較高測(cè)試速度和測(cè)試能力的芯片測(cè)試系統(tǒng)，基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。多工位測(cè)試系統(tǒng)可以并行處理多個(gè)芯片，大幅提高測(cè)試效率。自適應(yīng)測(cè)試技術(shù)則可以根據(jù)芯片的實(shí)際特性自動(dòng)調(diào)整測(cè)試策略，以提高測(cè)試覆蓋率和測(cè)試質(zhì)量。
2、現(xiàn)有的芯片測(cè)試系統(tǒng)通過單工位測(cè)試進(jìn)行單個(gè)芯片測(cè)試，或通過多工位測(cè)試進(jìn)多個(gè)芯片并行測(cè)試，在測(cè)試過程中對(duì)芯片的各部分進(jìn)行測(cè)試，實(shí)現(xiàn)芯片的測(cè)試功能。
3、例如公告號(hào)為：cn112763890b的專利技術(shù)專利公告的用于芯片的自適應(yīng)電壓與頻率調(diào)節(jié)的測(cè)試電路的實(shí)現(xiàn)方法，包括：獲取用于實(shí)現(xiàn)芯片的至少一個(gè)關(guān)鍵路徑對(duì)應(yīng)的網(wǎng)表；根據(jù)第一關(guān)鍵路徑對(duì)應(yīng)的網(wǎng)表，對(duì)應(yīng)地從芯片的工作區(qū)域內(nèi)找到第一關(guān)鍵路徑，并獲取第一關(guān)鍵路徑對(duì)應(yīng)的第一關(guān)鍵路徑坐標(biāo)；根據(jù)第一關(guān)鍵路徑坐標(biāo)在芯片的不同于工作區(qū)域的測(cè)試區(qū)域中創(chuàng)建第一測(cè)試路徑的擺放邊界；以及在測(cè)試區(qū)域中根據(jù)第一測(cè)試路徑的擺放邊界對(duì)第一測(cè)試路徑包括的各個(gè)單元的位置進(jìn)行布局，從而在測(cè)試區(qū)域中完成對(duì)第一關(guān)鍵路徑的物理實(shí)現(xiàn)。
4、例如公告號(hào)為：cn104035018b的專利技術(shù)專利公告的電壓自適應(yīng)調(diào)整電路和芯片，包括：電壓自適應(yīng)調(diào)整電路包括性能分類監(jiān)控器和自適應(yīng)控制器，性能分類監(jiān)控器，設(shè)置在芯片的內(nèi)部，用于檢測(cè)芯片在當(dāng)前的工作
5、但本申請(qǐng)?jiān)趯?shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中專利技術(shù)技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題：
6、現(xiàn)有技術(shù)中，隨著芯片復(fù)雜性的進(jìn)一步增加，芯片測(cè)試面對(duì)更多的挑戰(zhàn)，在進(jìn)行多工位芯片測(cè)試時(shí)，可能存在測(cè)試覆蓋率不足等因素，影響芯片測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，存在難以準(zhǔn)確高效地進(jìn)行多工位芯片測(cè)試的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)及裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，難以準(zhǔn)確高效地進(jìn)行多工位芯片測(cè)試的問題，實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)確高效地進(jìn)行多工位芯片測(cè)試。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，包括：測(cè)試模塊、監(jiān)控模塊、參數(shù)獲取模塊、分析模塊、修復(fù)模塊和等級(jí)劃分模塊；其中，所述測(cè)試模塊：用于通過多工位測(cè)試版對(duì)dram芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試包括電壓循環(huán)測(cè)試、slt性能測(cè)試和老煉化測(cè)試；所述監(jiān)控模塊：用于對(duì)多工位測(cè)試版對(duì)dram芯片進(jìn)行測(cè)試的過程進(jìn)行監(jiān)控；所述參數(shù)獲取模塊：用于通過監(jiān)控獲取芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)；所述分析模塊：用于根據(jù)芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)分析dram芯片的合格程度，合格程度包括電壓循環(huán)測(cè)試合格程度、slt性能測(cè)試合格程度和老煉化測(cè)試合格程度；所述修復(fù)模塊：用于將合格程度表示為不合格的dram芯片進(jìn)行修復(fù)；所述等級(jí)劃分模塊：用于根據(jù)dram芯片的合格程度將dram芯片進(jìn)行等級(jí)劃分。
3、進(jìn)一步的，所述電壓循環(huán)測(cè)試合格程度的具體分析過程為：對(duì)dram芯片進(jìn)行電壓循環(huán)測(cè)試并進(jìn)行監(jiān)控獲取芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)，根據(jù)芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)得到電壓循環(huán)性能參數(shù)數(shù)據(jù)；根據(jù)電壓循環(huán)性能參數(shù)數(shù)據(jù)分析得到電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)，所述電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)用于反映dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中表現(xiàn)的良好程度；根據(jù)電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)分析dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中的合格程度。
4、進(jìn)一步的，所述根據(jù)電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)分析dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：獲取電壓循環(huán)性能第一閾值和電壓循環(huán)性能第二閾值，獲取dram芯片的電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)，當(dāng)電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)大于電壓循環(huán)性能第一閾值且小于電壓循環(huán)性能第二閾值，表示dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中表現(xiàn)合格；當(dāng)處于其他情況時(shí)，表示dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中表現(xiàn)不合格，對(duì)表現(xiàn)不合格的dram芯片進(jìn)行一級(jí)修復(fù)，將一級(jí)修復(fù)后的dram芯片進(jìn)行電壓循環(huán)測(cè)試，并分析修復(fù)后的dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中的表現(xiàn)合格程度。
5、進(jìn)一步的，所述slt性能測(cè)試合格程度的具體分析過程為：獲取在電壓循環(huán)測(cè)試過程中表現(xiàn)合格的dram芯片，將其作為一級(jí)dram芯片；對(duì)一級(jí)dram芯片進(jìn)行slt性能測(cè)試并在測(cè)試過程中進(jìn)行監(jiān)控獲取芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)，根據(jù)芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)得到slt性能測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)；根據(jù)slt性能測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)分析得到slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)，所述slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)用于反映一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中表現(xiàn)的良好程度；根據(jù)slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)分析一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中的合格程度。
6、進(jìn)一步的，所述根據(jù)slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)分析一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：獲取slt性能第一閾值和slt性能第二閾值，獲取一級(jí)dram芯片的slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)，當(dāng)slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)大于slt性能第一閾值且小于slt性能第二閾值時(shí)，表示一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中表現(xiàn)合格；當(dāng)處于其他情況時(shí)，表示一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中表現(xiàn)不合格，對(duì)表現(xiàn)不合格的一級(jí)dram芯片進(jìn)行二級(jí)修復(fù)，將二級(jí)修復(fù)后的一級(jí)dram芯片進(jìn)行slt性能測(cè)試，并分析修復(fù)后的一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中的表現(xiàn)合格程度。
7、進(jìn)一步的，所述老煉化測(cè)試合格程度的具體分析過程為：獲取在slt性能測(cè)試過程中表現(xiàn)合格的一級(jí)dram芯片，將其作為二級(jí)dram芯片；對(duì)二級(jí)dram芯片進(jìn)行老煉化測(cè)試并在測(cè)試過程中進(jìn)行監(jiān)控獲取芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)，根據(jù)芯片測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)得到芯片老練化程度參數(shù)數(shù)據(jù)；根據(jù)芯片老練化程度參數(shù)數(shù)據(jù)分析得到芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)，所述芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)用于反映二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中表現(xiàn)的良好程度；根據(jù)芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)分析二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中的合格程度。
8、進(jìn)一步的，所述根據(jù)芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)分析二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：獲取芯片老練化程度第一閾值和芯片老練化程度第二閾值，獲取二級(jí)dram芯片的芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)，當(dāng)芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)大于芯片老練化程度第一閾值且小于芯片老練化程度第二閾值時(shí)，表示二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中表現(xiàn)合格，將其作為三級(jí)dram芯片；當(dāng)處于其他情況時(shí)，表示二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中表現(xiàn)不合格，對(duì)表現(xiàn)不合格的二級(jí)dram芯片進(jìn)行三級(jí)修復(fù)，將三級(jí)修復(fù)后的二級(jí)dram芯片進(jìn)行老煉化測(cè)試，并分析修復(fù)后的二級(jí)dram芯片在老煉化測(cè)試過程中的表現(xiàn)合格程度。
9、進(jìn)一步的，所述電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)的具體獲取方法為：獲取在多工位測(cè)試版上進(jìn)行測(cè)試的dram芯片數(shù)量，將dr本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，包括：測(cè)試模塊、監(jiān)控模塊、參數(shù)獲取模塊、分析模塊、修復(fù)模塊和等級(jí)劃分模塊；
2.如權(quán)利要求1所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓循環(huán)測(cè)試合格程度的具體分析過程為：
3.如權(quán)利要求2所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述根據(jù)電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)分析DRAM芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：
4.如權(quán)利要求1所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述SLT性能測(cè)試合格程度的具體分析過程為：
5.如權(quán)利要求4所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述根據(jù)SLT性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)分析一級(jí)DRAM芯片在SLT性能測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：
6.如權(quán)利要求1所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述老煉化測(cè)試合格程度的具體分析過程為：
7.如權(quán)利要求6所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述根據(jù)芯片老練化程度評(píng)估指數(shù)分析二級(jí)DRA
8.如權(quán)利要求2所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)的具體獲取方法為：
9.如權(quán)利要求4所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述SLT性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)的具體獲取方法為：
10.基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試裝置，其特征在于，包括：存儲(chǔ)器、測(cè)試模塊、監(jiān)控模塊、參數(shù)獲取模塊、處理器、修復(fù)器和等級(jí)劃分模塊：
...【技術(shù)特征摘要】
1.基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，包括：測(cè)試模塊、監(jiān)控模塊、參數(shù)獲取模塊、分析模塊、修復(fù)模塊和等級(jí)劃分模塊；
2.如權(quán)利要求1所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓循環(huán)測(cè)試合格程度的具體分析過程為：
3.如權(quán)利要求2所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述根據(jù)電壓循環(huán)性能評(píng)估指標(biāo)分析dram芯片在電壓循環(huán)測(cè)試過程中的合格程度的具體分析過程為：
4.如權(quán)利要求1所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述slt性能測(cè)試合格程度的具體分析過程為：
5.如權(quán)利要求4所述基于多工位測(cè)試版的芯片自適應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述根據(jù)slt性能測(cè)試評(píng)估系數(shù)分析一級(jí)dram芯片在slt性能測(cè)試過程中的合格程度...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李玫，賴璟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：皇虎測(cè)試科技深圳有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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