【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體器件加工領域，尤其涉及一種氣相反應物的供給系統，以及一種薄膜沉積設備。
技術介紹
1、在動態隨機存取內存(dynamic?random?access?memory,dram)工藝中，薄膜沉積過程需要再高深寬比的結構上進行。目前普遍采用儲存罐結構來保證沉積的薄膜具有優良的臺階覆蓋率，因此在沉積過程中維持儲存罐高壓并且保持壓力的穩定對成膜的質量非常重要。然而，現有的薄膜沉積設備中僅設置一個儲存罐對反應氣體及吹掃氣體進行提供，這不僅影響吹掃能力，也對沉積的薄膜的均勻性有一定影響。并且，為了維持儲存罐的高壓，需要向儲存罐中提供大流量的反應氣體或吹掃氣體，造成資源的浪費。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種改進的氣相反應物的供給系統，用于在節約反應氣體或吹掃氣體的同時，保證反應或吹掃過程中儲存罐的穩定高壓，以提升成膜的均勻性并縮短吹掃時間。
技術實現思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認出所有方面的關鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個或多個方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細的描述之前序。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本技術提供了一種氣相反應物及一種薄膜沉積設備，通過設置雙罐存儲以及向儲存罐引入惰性氣體，在節約反應氣體或吹掃氣體的同時保證反應或吹掃過程中儲存罐的穩定高壓，以提升成膜的均勻性并縮短
3、具體來說，根據本技術的第一方面提供的上述氣相反應物的供給系統包括第一供給模塊及第一吹掃模塊。所述第一供給模塊用于向工藝腔室提供氣相的第一反應物。所述第一吹掃模塊包括第一吹掃氣源、第一儲存罐及至少一個第二儲存罐。所述第一吹掃氣源連接所述第一儲存罐及所述至少一個第二儲存罐的進氣口，以向其中輸入第一吹掃氣體。所述第一儲存罐的出氣口連接所述工藝腔室，以向其提供預設的第一氣壓的第一吹掃氣體。所述少一個第二儲存罐的出氣口連接所述第一儲存罐的進氣口，以在所述第一儲存罐中的實際氣壓低于所述第一氣壓時，向所述第一儲存罐提供補充的第一吹掃氣體。
4、進一步地，在本技術的一些實施例中，所述第一供給模塊包括第一反應源、第一稀釋氣源及第三儲存罐。所述第一反應源用于提供所述氣相的第一反應物。所述第一稀釋氣源用于提供第一稀釋氣體。所述第三儲存罐的進氣口連接所述第一反應源及所述第一稀釋氣源，而其出氣口連接所述工藝腔室，用于從所述第一反應源獲取所述氣相的第一反應物，并從所述第一稀釋氣源獲取所述第一稀釋氣體，以向所述工藝腔室提供預設的第二氣壓的第一混合氣體。
5、進一步地，在本技術的一些實施例中，所述第一反應源包括載氣源及液相的第一反應物的儲液罐。所述載氣源向所述儲液罐輸入載氣，以向所述第三儲存罐提供攜帶氣相的第一反應物的載氣。
6、進一步地，在本技術的一些實施例中，所述第一反應源還包括加熱套。所述加熱套包覆并加熱所述儲液罐，蒸發所述液相的第一反應物，以獲得所述氣相的第一反應物。
7、進一步地，在本技術的一些實施例中，還包括：第一閥門及第一流量調節機構和/或第二閥門及第二流量調節機構和/或第三閥門及第三流量調節機構。所述第一閥門及第一流量調節機構設于所述第一吹掃氣源與所述第一儲存罐及所述至少一個第二儲存罐之間，用于控制所述第一吹掃氣源向所述第一儲存罐及所述至少一個第二儲存罐輸入的第一吹掃氣體流量。所述第二閥門及第二流量調節機構設于所述第一反應源與所述第三儲存罐之間，用于控制所述第一反應源向所述第三儲存罐輸入的第一反應物流量。所述第三閥門及第三流量調節機構設于所述第一稀釋氣源與所述第三儲存罐之間，用于控制所述第一稀釋氣源向所述第三儲存罐輸入的第一稀釋氣體流量。
8、進一步地，在本技術的一些實施例中，還包括第二供給模塊及第二吹掃模塊。所述第二供給模塊用于向所述工藝腔室提供氣相的第二反應物。所述第二吹掃模塊包括第二吹掃氣源、第四儲存罐及至少一個第五儲存罐。所述第二吹掃氣源連接所述第四儲存罐及所述至少一個第五儲存罐的進氣口，以向其中輸入第二吹掃氣體。所述第四儲存罐的出氣口連接所述工藝腔室，以向其提供預設的第三氣壓的第二吹掃氣體。所述少一個第五儲存罐的出氣口連接所述第四儲存罐的進氣口，以在所述第四儲存罐中的實際氣壓低于所述第三氣壓時，向所述第四儲存罐提供補充的第二吹掃氣體。
9、進一步地，在本技術的一些實施例中，所述第二供給模塊包括第二反應源、第二稀釋氣源及第六儲存罐。所述第二反應源用于提供所述氣相的第二反應物。所述第二稀釋氣源用于提供第二稀釋氣體。所述第六儲存罐的進氣口連接所述第二反應源及所述第二稀釋氣源，而其出氣口連接所述工藝腔室，用于從所述第二反應源獲取所述氣相的第二反應物，并從所述第二稀釋氣源獲取所述第二稀釋氣體，以向所述工藝腔室提供預設的第四氣壓的第二混合氣體。
10、進一步地，在本技術的一些實施例中，還包括第四閥門及第四流量調節機構和/或第五閥門及第五流量調節機構和/或第六閥門及第六流量調節機構。所述第四閥門及第四流量調節機構，設于所述第二吹掃氣源與所述第四儲存罐及所述至少一個第五儲存罐之間，用于控制所述第二吹掃氣源向所述第四儲存罐及所述至少一個第五儲存罐輸入的第二吹掃氣體流量。所述第五閥門及第五流量調節機構，設于所述第二反應源與所述第六儲存罐之間，用于控制所述第二反應源向所述第六儲存罐輸入的第二反應物流量。所述第六閥門及第六流量調節機構，設于所述第二稀釋氣源與所述第六儲存罐之間，用于控制所述第二稀釋氣源向所述第六儲存罐輸入的第二稀釋氣體流量。
11、進一步地，在本技術的一些實施例中，所述第一反應源包括ticl4儲液罐。所述第二反應源包括nh3氣源。和/或所述第一吹掃氣源及所述第二吹掃氣源選自氮氣源、氦氣源、氬氣源中的至少一者。所述第一吹掃氣體及所述第二吹掃氣體選自氮氣、氦氣、氬氣中的至少一者。
12、此外，根據本技術的第二方面提供的上述薄膜沉積設備包括如本技術的第一方面提供的氣相反應物的供給系統及工藝腔室。所述工藝腔室用于承載晶圓，并利用所述供給系統提供的至少一種氣相的反應物，對其進行薄膜沉積工藝。
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1.一種氣相反應物的供給系統，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的供給系統，其特征在于，所述第一供給模塊包括：
3.如權利要求2所述的供給系統，其特征在于，所述第一反應源包括載氣源及液相的第一反應物的儲液罐，所述載氣源向所述儲液罐輸入載氣，以向所述第三儲存罐提供攜帶氣相的第一反應物的載氣。
4.如權利要求3所述的供給系統，其特征在于，所述第一反應源還包括加熱套，其中，所述加熱套包覆并加熱所述儲液罐，蒸發所述液相的第一反應物，以獲得所述氣相的第一反應物。
5.如權利要求4所述的供給系統，其特征在于，還包括：
6.如權利要求2所述的供給系統，其特征在于，還包括：
7.如權利要求6所述的供給系統，其特征在于，所述第二供給模塊包括：
8.如權利要求7所述的供給系統，其特征在于，還包括：
9.如權利要求7所述的供給系統，其特征在于，所述第一反應源包括TiCl4儲液罐，所述第二反應源包括NH3氣源，和/或
10.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種氣相反應物的供給系統，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的供給系統，其特征在于，所述第一供給模塊包括：
3.如權利要求2所述的供給系統，其特征在于，所述第一反應源包括載氣源及液相的第一反應物的儲液罐，所述載氣源向所述儲液罐輸入載氣，以向所述第三儲存罐提供攜帶氣相的第一反應物的載氣。
4.如權利要求3所述的供給系統，其特征在于，所述第一反應源還包括加熱套，其中，所述加熱套包覆并加熱所述儲液罐，蒸發所述液相的第一反應物，以獲得所述氣...
【專利技術屬性】
技術研發人員：譚浩，薛國標，馮嘉恒，趙郁晗，孫萌萌，韋德，劉英明，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：新型
國別省市：
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