【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及過熱保護，特別涉及一種保護設定調節方法、系統、設備及存儲介質。
技術介紹
1、在現代設備中，金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effect?transistor，mosfet)作為一種重要的開關元件，因其高效率、快速開關特性和良好的線性控制能力，廣泛應用于電源管理、馬達驅動、信號放大和各種類模擬電路等領域。隨著技術的進步和應用需求的不斷增加，mos的工作頻率和功率水平持續提升，其在高功耗、高頻率條件下的性能與穩定性尤為重要。然而，由于mos在工作時不可避免地會產生熱量，若不能有效地進行過熱管理，這些熱量將導致器件溫度升高，將導致器件溫度迅速上升，可能引發傳輸特性劣化、功率損失增加，甚至導致器件的永久性損壞。過熱不僅會影響mos的正常工作，還可能對整個設備系統的安全性構成威脅。因此，實施有效的過熱保護策略顯得尤為重要，以確保mos在各種工況下的穩定性與可靠性，提升電子產品的整體性能與使用壽命。
2、相關技術中實現過熱保護的方式通常在印制電路板(printed?circuit?board，pcb)布局中，將一個熱敏電阻(negative?temperature?coefficient，ntc)靠近mos放置以檢測mos的溫度，當mos溫度上升時引起ntc阻值發生變化，當溫度超過預設值時觸發mos溫度保護。然而專利技術人發現相關技術中至少存在如下問題：對于僅通過一個ntc檢測設備其中一個mos的布局，由于不同的mos在實際工作，產生的溫度會存在一
技術實現思路
1、本專利技術實施例的目的在于提供一種保護設定調節方法、系統、設備及存儲介質，實現根據實際工況情況動態調節設備的溫度保護觸發條件，使溫度保護的觸發更及時，有效避免mos損傷，提高設備使用壽命。
2、為解決上述技術問題，本專利技術的實施例提供了一種保護設定調節方法，包括：實時獲取三相電路中每一相電路的電流值；判斷所述三相電流中目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系；若所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系滿足第一預設條件，則調整設備的保護閾值參數；實時獲取熱敏元件檢測的mos溫度；根據所述熱敏元件檢測的mos溫度，判斷所述mos溫度是否滿足第二預設條件，所述第二預設條件由所述保護閾值參數確定；若所述mos溫度滿足所述第二預設條件，則觸發所述設備的溫度保護功能。
3、本專利技術的實施例還提供了一種保護設定調節系統，包括：電流值獲取模塊，用于實時獲取三相電路中每一相電路的電流值；第一預設條件判斷模塊，用于判斷所述三相電流中目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系；保護閾值參數調整模塊，用于在所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系滿足第一預設條件時調整設備的保護閾值參數；溫度獲取模塊，熱敏元件檢測的mos溫度；第二預設條件判斷模塊，用于根據所述熱敏元件檢測的mos溫度，判斷所述mos溫度是否滿足第二預設條件，所述第二預設條件由所述保護閾值參數確定；溫度保護模塊，用于在所述mos溫度滿足所述第二預設條件時觸發所述設備的溫度保護功能。
4、本專利技術的實施例還提供了一種設備，包括：至少一個處理器；以及，與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執行，以使所述至少一個處理器能夠執行上述的保護設定調節方法中的步驟。
5、本專利技術的實施例還提供了一種計算機可讀存儲介質，存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述的保護設定調節方法中的步驟。
6、在本專利技術實施例中，通過根據三相電流的電流值的大小關系進行判斷，從而確定當前的工況是否符合需要調整溫度保護觸發的工況；并且，進一步根據mos的溫度是否達到調整后的溫度保護觸發條件，從而實現溫度保護的觸發，即，本申請通過根據三相電流的電流值來確定當前的工況是否需要對溫度保護的觸發條件進行調整，再進一步根據實際的mos溫度的條件來判斷是否觸發溫度保護，使得溫度保護的觸發條件動態貼合實際的工況需求，從而提高溫度保護觸發的靈活性，使溫度保護的觸發更及時，有效避免mos損傷，提高設備使用壽命。
7、在本申請的一些實施例中，所述第一預設條件包括：所述目標相的電流值均小于其它兩相的電流值；所述調整設備的保護閾值參數，包括：降低所述mos的保護閾值，和/或降低所述設備的啟動保護參數值。
8、在本申請的一些實施例中，所述設備的啟動保護參數值，包括所述設備的啟動尖峰電壓和/或所述設備的啟動尖峰電流。
9、在本申請的一些實施例中，所述第二預設條件包括：溫度變化率達到預設閾值；所述溫度變化率為所述mos溫度與預設溫度值的差值。
10、在本申請的一些實施例中，所述第二預設條件還包括：所述mos溫度達到最大溫度閾值；其中，所述最大溫度閾值根據所述熱敏元件在設備預運行時檢測到最高的mos溫度確定，或，所述最大溫度閾值為預設溫度閾值。
11、在本申請的一些實施例中，所述熱敏元件僅設置在目標相的mos附近；或，所述熱敏元件設置在三相電路中每一相的mos附近。
12、在本申請的一些實施例中，所述判斷所述三相電流中目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系，包括：間隔預設時長多次檢測所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系；所述根據所述熱敏元件檢測的mos溫度，判斷所述mos溫度是否滿足第二預設條件前，所述方法還包括：判斷所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系滿足第一預設條件的次數是否達到預設次；若所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系滿足第一預設條件的次數達到預設次數，則獲取所述熱敏元件檢測的mos溫度；若所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系滿足第一預設條件的次數未達到預設次數，則繼續獲取熱敏元件檢測的mos溫度及三相電路中每一相電路的電流值并判斷所述三相電流中目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系。
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1.一種保護設定調節方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第一預設條件包括：
3.根據權利要求2所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述設備的啟動保護參數值，包括所述設備的啟動尖峰電壓和/或所述設備的啟動尖峰電流。
4.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第二預設條件包括：溫度變化率達到預設閾值；所述溫度變化率為所述MOS溫度與預設溫度值的差值。
5.根據權利要求4所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第二預設條件還包括：所述MOS溫度達到最大溫度閾值；
6.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述熱敏元件僅設置在目標相的MOS附近；或，所述熱敏元件設置在三相電路中每一相的MOS附近。
7.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述判斷所述三相電流中目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系，包括：間隔預設時長多次檢測所述目標相的電流值和其余兩相電流值之間的大小關系；
8.一種保護設定調節系統，其
9.一種設備，其特征在于，包括：至少一個處理器；
10.一種計算機可讀存儲介質，存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7中任一項所述的保護設定調節方法中的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種保護設定調節方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第一預設條件包括：
3.根據權利要求2所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述設備的啟動保護參數值，包括所述設備的啟動尖峰電壓和/或所述設備的啟動尖峰電流。
4.根據權利要求1所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第二預設條件包括：溫度變化率達到預設閾值；所述溫度變化率為所述mos溫度與預設溫度值的差值。
5.根據權利要求4所述的保護設定調節方法，其特征在于，所述第二預設條件還包括：所述mos溫度達到最大溫度閾值；
6.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金艷，
申請(專利權)人：江蘇東成工具科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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