【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種降低接觸孔電阻的方法。
技術介紹
1、目前提升器件性能的方法有兩個，一是將器件效能優化；二是優化寄生電容與電阻,來改善導線的rc延遲。隨著集成電路工藝技術節點越來越小，通孔電阻降低對于提升器件性能尤其顯得重要。
2、目前通孔金屬由外到內依次為ti、tin、w。其中ti金屬作為粘著層，而tin則作為阻擋層防止w工藝中反應氣體wf6腐蝕ti金屬，最里層w的電阻率最低。因為高阻金屬ti及tin占據的不少的空間，通孔電阻較高。業界之所以沒有辦法壓縮高阻金屬的量，主要原因：一是因為w與sio2易剝落,需要ti金屬作為粘附層。二是w工藝是由wf6與b2h6/h4si/h2反應得來，wf6與ti直接接觸會發生“火山”缺陷。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種降低接觸孔電阻的方法，用于解決現有技術中接觸孔電阻高導致器件性能下降的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種降低接觸孔電阻的方法，至少包括：
3、步驟一、制備器件結構中的通孔；制作位于所述通孔內且依附于所述通孔內壁的粘附層；
4、步驟二、制作位于所述通孔內且依附于所述粘附層的金屬薄膜；所述金屬薄膜為鎢薄膜；
5、步驟三、在所述通孔內填充金屬鎢。
6、優選地，步驟一中的所述粘附層為ti層、tin層或ti層與tin層的復合層。
7、優選地，步驟一中通過物理氣相沉積發制
8、優選地，步驟二中利用無氟化學品反應得到所述金屬薄膜。
9、優選地，步驟二中的所述無氟化學品為wcl5。
10、優選地，步驟二中通過利用wcl5和氫氣反應形成鎢薄膜。
11、優選地，步驟三中采用有氟反應在所述通孔內填充金屬鎢。
12、優選地，步驟三中通過wf6與b2h6、或sih4反應形成金屬鎢。
13、優選地，步驟三中通過wf6與h2反應形成金屬鎢。
14、優選地，步驟三中形成金屬鎢分兩步，第一步通過wf6與b2h6、或sih4反應形成一層依附于所述金屬薄膜的鎢層；第二步通過wf6與h2反應形成體層鎢。
15、如上所述，本專利技術的降低接觸孔電阻的方法，具有以下有益效果：本專利技術從壓縮高阻金屬ti和tin、增加低阻金屬鎢的角度，使用無氟化學品替代wf6來參與w薄膜的反應。從而可以免去形成tin薄膜，達到增加鎢體積的作用，減低通孔電阻。
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1.一種降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟一中的所述粘附層為Ti層、TiN層或Ti層與TiN層的復合層。
3.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟一中通過物理氣相沉積發制作所述粘附層。
4.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中利用無氟化學品反應得到所述金屬薄膜。
5.根據權利要求4所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中的所述無氟化學品為WCL5。
6.根據權利要求5所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中通過利用WCL5和氫氣反應形成鎢薄膜。
7.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟三中采用有氟反應在所述通孔內填充金屬鎢。
8.根據權利要求7所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟三中通過WF6與B2H6、或SiH4反應形成金屬鎢。
9.根據權利要求7所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟三中通過WF6與H2反應形成
10.根據權利要求7所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟三中形成金屬鎢分兩步，第一步通過WF6與B2H6、或SiH4反應形成一層依附于所述金屬薄膜的鎢層；第二步通過WF6與H2反應形成體層鎢。
...【技術特征摘要】
1.一種降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟一中的所述粘附層為ti層、tin層或ti層與tin層的復合層。
3.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟一中通過物理氣相沉積發制作所述粘附層。
4.根據權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中利用無氟化學品反應得到所述金屬薄膜。
5.根據權利要求4所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中的所述無氟化學品為wcl5。
6.根據權利要求5所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于：步驟二中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曾招欽，張瑜，方精訓，鮑宇，
申請(專利權)人：上海華力集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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