【技術實現步驟摘要】
在此描述的本公開的實施例涉及半導體存儲器裝置，并且更具體地，涉及選擇性執行自刷新操作的半導體存儲器裝置及其自刷新方法。
技術介紹
1、半導體存儲器裝置可以是諸如動態隨機存取存儲器（dram）裝置的電壓存儲器，dram裝置使用存儲在電容器中的電荷來存儲數據。然而，dram裝置由于存儲在電容器中的電荷可隨時間通過各種路徑泄漏而具有有限的數據保持特性。因此，dram裝置使用對存儲在電容器中的數據進行周期性地重寫的刷新操作。
2、可使用dram自刷新命令來執行dram裝置的刷新。例如，dram裝置的自刷新可響應于自刷新進入命令而開始，并且響應于自刷新退出命令而停止。自刷新進入命令與自刷新退出命令之間的時間被定義為自刷新操作的持續時間。在特定操作中，可能不必要地發生dram自刷新命令。例如，可頻繁地設置自刷新進入命令和自刷新退出命令，而不考慮持續時間。當在不需要自刷新的情況下重復地強制執行自刷新時，可能發生邏輯錯誤。
技術實現思路
1、本公開的至少一個實施例提供了一種半導體存儲器裝置及其自刷新方法，所述半導體存儲器裝置可通過考慮自刷新持續時間來響應于外部輸入的自刷新命令而自主地執行自刷新操作。
2、根據實施例，一種半導體存儲器裝置的自刷新方法包括：接收與自刷新操作相關聯的自刷新進入命令；對從接收到自刷新進入命令的時間起經過的時間進行計數；以及根據在計數的經過的時間超過參考時間之前是否接收到自刷新退出命令來跳過自刷新操作。
3、根據實施例，一種半導體存儲器裝
4、根據實施例，一種半導體存儲器裝置的自刷新方法包括：接收與自刷新操作相關聯的自刷新進入命令；響應于自刷新進入命令而將自刷新操作延遲參考時間；檢測在從接收到自刷新進入命令起經過的時間達到參考時間之前自刷新退出命令是否被輸入；以及當在經過的時間達到參考時間之前接收到自刷新退出命令時，跳過自刷新操作。
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1.一種半導體存儲器裝置的自刷新方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，參考時間短于或等于半導體存儲器裝置的刷新周期。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，當在經過的時間超過參考時間之前接收到自刷新退出命令時，跳過自刷新操作。
4.根據權利要求3所述的方法，還包括：當在經過的時間超過參考時間之前未接收到自刷新退出命令時，執行自刷新操作。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，執行自刷新操作的步驟包括：執行全部存儲體刷新操作。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，自刷新操作響應于接收到自刷新退出命令而被終止。
7.根據權利要求1至權利要求6中的任一項所述的方法，還包括：
8.一種半導體存儲器裝置，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，控制電路包括：
10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，持續時間檢測器包括：
11.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，振蕩器占空比控制器包括：
12.根據權利要求8所述的半導體
13.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，控制電路根據連續跳過自刷新操作的次數來激活控制信號，而不管所述時間差的長度如何。
14.一種半導體存儲器裝置的自刷新方法，包括：
15.根據權利要求14所述的方法，其中，參考時間基于半導體存儲器裝置的刷新周期而被設置。
16.根據權利要求14所述的方法，其中，參考時間通過經由模式寄存器設置命令設置的內部振蕩器的占空比調整而被選擇。
17.根據權利要求14所述的方法，還包括：
18.根據權利要求17所述的方法，還包括：響應于接收到自刷新退出命令而停止自刷新操作。
19.根據權利要求14至權利要求18中的任一項所述的方法，還包括：對連續跳過自刷新操作的次數進行計數。
20.根據權利要求19所述的方法，還包括：當計數的次數達到閾值數量時，執行自刷新操作，而不管自刷新進入命令的接收時間與自刷新退出命令的接收時間之間的時間差如何。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體存儲器裝置的自刷新方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，參考時間短于或等于半導體存儲器裝置的刷新周期。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，當在經過的時間超過參考時間之前接收到自刷新退出命令時，跳過自刷新操作。
4.根據權利要求3所述的方法，還包括：當在經過的時間超過參考時間之前未接收到自刷新退出命令時，執行自刷新操作。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，執行自刷新操作的步驟包括：執行全部存儲體刷新操作。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，自刷新操作響應于接收到自刷新退出命令而被終止。
7.根據權利要求1至權利要求6中的任一項所述的方法，還包括：
8.一種半導體存儲器裝置，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，控制電路包括：
10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，持續時間檢測器包括：
11.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，振蕩器占空比控制器包括...
【專利技術屬性】
技術研發人員：樸泳宰，金秀旻，金庾燦，金東河，金鉉普，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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