【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導(dǎo)體制造，具體地，涉及用于最終拋光工藝的處理方法及拋光晶圓。
技術(shù)介紹
1、在晶圓的生產(chǎn)中，通常，首先利用拉晶爐拉制出晶棒，再將晶棒切割成多個晶錠，隨后將每個晶錠通過比如多線切割的方式切割成薄片狀的初始晶圓，然后使初始晶圓經(jīng)歷拋光、外延等處理后，便可獲得成品晶圓。
2、在晶圓的拋光過程中，通常，按照雙面拋光、一次清洗、邊緣拋光、二次清洗、最終拋光的順序進行。最終拋光是晶圓表面處理的關(guān)鍵步驟，其目的是去除前序工藝中可能引入的損傷層和表面不平整，確保晶圓表面達到高標準的平整度和清潔度。經(jīng)過最終拋光工藝的晶圓表面的質(zhì)量直接決定了晶圓的品質(zhì)。
3、然而，最終拋光工藝主要通過采用拋光墊和拋光液中的磨料顆粒對晶圓表面施加物理壓力來去除材料，這種材料去除方式的速率低，并且容易在晶圓表面引起缺陷，對晶圓的表面質(zhì)量及其性能會產(chǎn)生不利影響。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本部分提供本公開的總體概要，而不是對本公開的全部范圍或所有特征的全面公開。
2、本公開的目的在于提供一種用于最終拋光工藝的處理方法，其能夠在對晶圓表面進行前序工藝損傷去除和鏡面化修復(fù)的同時，減少在晶圓表面引起的缺陷。
3、為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種用于最終拋光工藝的處理方法，包括：
4、使用第一拋光液對晶圓進行第一拋光；
5、使用第二拋光液對經(jīng)過第一拋光的晶圓進行第二拋光；以及
6、使用第三拋光液對經(jīng)過第二拋光的晶圓進行第三拋光
7、其中，第一拋光液和第二拋光液均包括堿性添加劑，并且第三拋光液不包括堿性添加劑。
8、在一些實施方式中，第一拋光液中的堿性添加劑與溶劑的體積比可以大于第二拋光液中的堿性添加劑與溶劑的體積比。
9、在一些實施方式中，第一拋光液中的堿性添加劑與溶劑的體積比可以在1:2500至1:1500的范圍內(nèi)，第二拋光液中的堿性添加劑與溶劑的體積比可以在1:5000至1:2500的范圍內(nèi)。
10、在一些實施方式中，堿性添加劑可以為無機堿或有機堿。
11、在一些實施方式中，堿性添加劑可以包括koh、naoh或nh4oh。
12、在一些實施方式中，第一拋光可以以第一目標去除厚度進行，第二拋光可以以第二目標去除厚度進行，第三拋光可以以第三目標去除厚度進行，其中，第一目標去除厚度可以大于第二目標去除厚度，且第二目標去除厚度可以大于第三目標去除厚度。
13、在一些實施方式中，第一目標去除厚度、第二目標去除厚度和第三目標去除厚度的比例可以為6:3:1。
14、在一些實施方式中，第一目標去除厚度、第二目標去除厚度和第三目標去除厚度的總和可以大于待進行第一拋光的晶圓的損傷層的厚度的150%。
15、根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種拋光晶圓，其根據(jù)本公開的第一方面的用于最終拋光工藝的處理方法獲得，拋光晶圓上的尺寸在5nm以上的dic缺陷的數(shù)量小于5個。
16、在一些實施方式中，拋光晶圓上的尺寸在5nm以上的dic缺陷的數(shù)量可以小于3個。
17、根據(jù)上述技術(shù)方案，能夠利用三個拋光步驟逐步完成對晶圓表面的前序工藝損傷層的去除和鏡面化修復(fù)。此外，第一拋光步驟和第二拋光步驟通過結(jié)合化學腐蝕作用和物理研磨作用而以增大的材料去除速率對晶圓表面材料進行去除，有效地縮短了將晶圓表面的晶體缺陷區(qū)清除的時間，有助于避免因物理研磨導(dǎo)致對缺陷區(qū)及缺陷區(qū)內(nèi)的微小缺陷的逐步放大，進而降低了形成dic缺陷的風險，減少了晶圓表面上dic缺陷的形成。
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1.一種用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比大于所述第二拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比在1:2500至1:1500的范圍內(nèi)，所述第二拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比在1:5000至1:2500的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述堿性添加劑為無機堿或有機堿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述堿性添加劑包括KOH、NaOH或NH4OH。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光以第一目標去除厚度進行，所述第二拋光以第二目標去除厚度進行，所述第三拋光以第三目標去除厚度進行，其中，所述第一目標去除厚度大于所述第二目標去除厚度，且所述第二目標去除厚度大于所述第三目標去除厚
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一目標去除厚度、所述第二目標去除厚度和所述第三目標去除厚度的比例為6:3:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一目標去除厚度、所述第二目標去除厚度和所述第三目標去除厚度的總和大于待進行所述第一拋光的所述晶圓的損傷層的厚度的150%。
9.一種拋光晶圓，其特征在于，所述拋光晶圓根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的用于最終拋光工藝的處理方法獲得，所述拋光晶圓上的尺寸在5nm以上的DIC缺陷的數(shù)量小于5個。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的拋光晶圓，其特征在于，所述拋光晶圓上的尺寸在5nm以上的DIC缺陷的數(shù)量小于3個。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比大于所述第二拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比在1:2500至1:1500的范圍內(nèi)，所述第二拋光液中的所述堿性添加劑與溶劑的體積比在1:5000至1:2500的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述堿性添加劑為無機堿或有機堿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述堿性添加劑包括koh、naoh或nh4oh。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于最終拋光工藝的處理方法，其特征在于，所述第一拋光以第一目標去除厚度進行，所述第二拋...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王明，
申請(專利權(quán))人：西安奕斯偉材料科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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