【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及集成電路(ic)結構及其形成方法。
技術介紹
1、電子工業經歷了對更小且更快的電子器件的不斷增長的需求，這些電子器件同時能夠支持更多的日益復雜和精密的功能。為了滿足這些需求，在集成電路(ic)工業中存在制造低成本、高性能和低功率的ic的持續趨勢。迄今為止，這些目標在很大程度上已經通過減小ic尺寸(例如，最小ic部件尺寸)來實現，從而改進了生產效率并且降低了相關成本。然而，這樣的縮放也增加了ic制造工藝的復雜性。因此，實現ic器件及其性能中的持續進步需要ic制造工藝和技術中的類似進步。
2、隨著技術節點變得更小，信號和功率連接可以布線至電路結構的背側，以用于功率和芯片間隔優化。在這些實例中，在形成前側ic部件之后，從背側向下減薄電路結構的器件襯底，以準備形成背側ic部件?？梢圆糠只蛲耆コ骷r底。然而，去除器件襯底使得ic電路具有較差散熱，這可能導致降低器件性能的較高溫度。器件襯底先前提供了熱路徑以吸收由晶體管器件生成的熱量。由于向下減薄的器件襯底，更多的熱量可能聚集在器件區中，產生可能由于自加熱而引起器件擊穿的熱點。
3、因此，雖然具有用于信號和功率連接的背側部件的現有ic結構通常足以滿足其預期目的，但是它們不是在每個方面都完全令人滿意。
技術實現思路
1、本申請的一些實施例提供了一種集成電路結構，包括：器件層，具有晶體管器件，所述晶體管器件具有位于源極/漏極區域之間的溝道區域以及位于溝道區域上方的柵極堆疊件；前側互連結構，位于所述器件層
2、本申請的又一些實施例提供了一種集成電路結構，包括：器件層，具有晶體管器件，所述晶體管器件具有位于源極/漏極區域之間的溝道區域以及位于所述溝道區域上方的柵極堆疊件；前側互連結構，位于所述器件層的前側上，其中，所述前側互連結構包括嵌入在金屬間介電層中的第一金屬部件和第二金屬部件，所述第一金屬部件和所述第二金屬部件通過所述金屬間介電層彼此隔離，所述第一金屬部件電連接至所述晶體管器件的源極/漏極區域或柵極堆疊件，并且所述第二金屬部件與所述晶體管器件電隔離；接合氧化物層，位于所述前側互連結構上方；以及襯底，位于所述接合氧化物層上方。
3、本申請的又一些實施例提供了一種形成集成電路結構的方法，包括：在器件襯底上方的器件層中形成晶體管器件，每個晶體管器件具有位于所述源極/漏極區域之間的溝道區域以及位于所述溝道區域上方的柵極堆疊件；在所述晶體管器件的所述源極/漏極區域和所述柵極堆疊件上方形成電耦合至所述晶體管器件的所述源極/漏極區域和所述柵極堆疊件的器件層級接觸件；在所述器件層級接觸件上方形成前側互連結構，所述前側互連結構具有電金屬線、垂直耦合在所述電金屬線之間的電通孔以及與所述電金屬線和所述電通孔電隔離的熱通孔；將襯底接合至所述前側互連結構的頂面；從所述器件層的背側向下減薄所述器件襯底；在所述器件層的所述背側上形成背側互連結構，所述背側互連結構具有背側電金屬線、垂直耦合在所述背側電金屬線之間的背側電通孔以及與所述背側電金屬線和所述電通孔電隔離的背側熱通孔；以及在所述背側互連結構的背面上形成散熱器層，其中，所述散熱器層由導熱且電絕緣的散熱器材料制成。
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1.一種集成電路結構，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，
3.根據權利要求2所述的集成電路結構，
4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二金屬部件和所述第四金屬部件是完全由介電材料圍繞并且直接接觸介電材料的第一熱通孔，還包括：
5.根據權利要求4所述的集成電路結構，其中，所述第二熱通孔和所述第三熱通孔的所述金屬部分包括銅，并且所述第二熱通孔和所述第三熱通孔的所述熱絕緣部分包括金剛石、AlN、BN、Al2O3、BeO或它們的組合。
6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第四金屬部件從所述器件層跨越至所述散熱器層，并且所述第四金屬部件接合在所述散熱器層的頂面上。
7.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：
8.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述散熱器材料具有在約10和約500W/m/K之間的熱導率。
9.一種集成電路結構，包括：
10.一種形成集成電路結構的方法，包括：
【技術特征摘要】
1.一種集成電路結構，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，
3.根據權利要求2所述的集成電路結構，
4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二金屬部件和所述第四金屬部件是完全由介電材料圍繞并且直接接觸介電材料的第一熱通孔，還包括：
5.根據權利要求4所述的集成電路結構，其中，所述第二熱通孔和所述第三熱通孔的所述金屬部分包括銅，并且所述第二熱通孔和所述第三熱通孔的所述熱絕緣部分包括金剛石、aln、...
【專利技術屬性】
技術研發人員：伊莎·達泰，山姆·瓦澤里，鮑新宇，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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