【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種真空吸嘴、一種鍵合設備、一種鍵合方法，以及一種計算機可讀存儲介質。
技術介紹
1、由于芯片鍵合的精度在納米級別，因此任何一點細微參數的改變，都會造成極大的鍵合精度偏差。芯片鍵合的標準是通過相機拍攝芯片的標靶和晶圓的標靶來實現鍵合。為了在芯片鍵合過程中不產生氣泡，一般采用球面吸嘴使芯片中心先接觸待貼位置，然后釋放芯片。然而即使同一批次芯片的標靶，在刻蝕過程中的位置差別也很大，如果只用一種球面高度的吸嘴來鍵合芯片，那么芯片標靶位置變化越大那么鍵合的精度就越低。
2、現有的球面吸嘴的球面高度均不可調，當更換芯片標靶位置度變化比較大時通常通過更換吸嘴，以匹配芯片標靶需要的球面高度。然而，該方法不但更換一致性較差，需要標定的時間也更長，對聯合鍵合精度和效率產生不利影響，從而影響機臺的實際產能。
3、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種真空吸嘴技術，用于適配多種不同標記位置的芯片的鍵合需求，以提升多種芯片的聯合鍵合精度和效率，從而提升機臺的實際產能。
技術實現思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認出所有方面的關鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個或多個方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細的描述之前序。
2、為了克服現有技術存在的上述缺陷，本專利技術提供一種真空吸嘴、一種鍵合設備、
3、具體來說，根據本專利技術第一方面提供的一種真空吸嘴包括：本體，其內部設有一空腔，其中，所述空腔的一端連通真空機構，而其另一端對準一帶孔的蒙皮，以構成一可形變的吸附部；以及伸縮部，位于所述空腔的內部，并經由其球面的一端擠壓所述蒙皮，調節所述吸附部的球面高度，以將待鍵合件吸附為對應的凸起球面形狀。
4、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述本體被固定安裝于一鍵合頭，其中，所述鍵合頭帶有所述真空機構，其經由通氣孔連通所述空腔，以吸附待鍵合件，其中，所述待鍵合件選自多種具有不同標記位置的芯片。
5、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述伸縮部采用壓電陶瓷，其第一端固定連接所述鍵合頭，而其球面的第二端擠壓所述蒙皮，并根據收到的電壓，向靠近或遠離所述蒙皮的方向伸縮，以調節所述吸附部的球面高度。
6、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述真空吸嘴中還包括控制器，所述控制器被配置為：獲取所述待鍵合件的標記位置信息，并據此確定對應球面高度的驅動電壓；以及向所述壓電陶瓷提供所述驅動電壓，驅動其向靠近或遠離所述蒙皮的方向伸縮，以將所述吸附部調節為對應所述標記位置信息的球面高度。
7、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述真空吸嘴中還包括3d相機，用于采集所述蒙皮的3d點云數據，以擬合所述吸附部的球形吸附表面，其中，所述控制器還被配置為：根據擬合的球形吸附表面的最大高度差，和/或其高于預設高度閾值的區域的球形吸附面積，負反饋地調節所述驅動電壓。
8、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述伸縮部的第一端連接一驅動部，而其球面的第二端擠壓所述蒙皮，其中，所述驅動部根據收到的控制信號，驅動所述伸縮部向靠近或遠離所述蒙皮的方向移動，以調節所述吸附部的球面高度。
9、此外，根據本專利技術第二方面提供的鍵合設備包括：晶圓卡盤，用于吸附待鍵合的晶圓；以及鍵合頭，其上設有如本專利技術第一方面中任一項所述的真空吸嘴，用于根據待鍵合的芯片的標記位置，將其吸附為對應的凸起球面形狀，再將其由內而外地鍵合到所述晶圓的目標位置。
10、此外，根據本專利技術第三方面提供的鍵合方法包括以下步驟：經由如本專利技術第二方面所述的鍵合設備的晶圓卡盤吸附待鍵合的晶圓；以及根據待鍵合的芯片的標記位置，確定所述鍵合設備的鍵合頭上的真空吸嘴的吸附部的球面高度，并經由所述真空吸嘴將所述芯片吸附為對應的凸起球面形狀，再將所述芯片由內而外地鍵合到所述晶圓的目標位置。
11、進一步地，在本專利技術的一些實施例中，所述鍵合設備用于將多種具有不同標記位置的芯片聯合鍵合到所述晶圓，其中，所述根據待鍵合的芯片的標記位置，確定所述鍵合設備的鍵合頭上的真空吸嘴的吸附部的球面高度，并經由所述真空吸嘴將所述芯片吸附為對應的凸起球面形狀，再將所述芯片由內而外地鍵合到所述晶圓的目標位置的步驟包括：響應于鍵合第一芯片的指令，根據所述第一芯片的第一標記位置，確定其對應的第一球面高度，并經由所述真空吸嘴將所述第一芯片吸附為對應的第一球面形狀，再將其由內而外地鍵合到所述晶圓的第一位置；以及響應于鍵合第二芯片的指令，根據所述第二芯片的第二標記位置，確定其對應的第二球面高度，并經由所述真空吸嘴將所述第二芯片吸附為對應的第二球面形狀，再將其由內而外地鍵合到所述晶圓的第二位置。
12、此外，根據本專利技術第四方面提供的計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機指令。所述計算機指令被處理器執行時，實施如本專利技術第三方面所述的鍵合方法。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種真空吸嘴，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的真空吸嘴，其特征在于，所述本體被固定安裝于一鍵合頭，其中，
3.如權利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸縮部采用壓電陶瓷，其第一端固定連接所述鍵合頭，而其球面的第二端擠壓所述蒙皮，并根據收到的電壓，向靠近或遠離所述蒙皮的方向伸縮，以調節所述吸附部的球面高度。
4.如權利要求3所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中還包括控制器，所述控制器被配置為：
5.如權利要求4所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中還包括3D相機，用于采集所述蒙皮的3D點云數據，以擬合所述吸附部的球形吸附表面，其中，所述控制器還被配置為：
6.如權利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸縮部的第一端連接一驅動部，而其球面的第二端擠壓所述蒙皮，其中，所述驅動部根據收到的控制信號，驅動所述伸縮部向靠近或遠離所述蒙皮的方向移動，以調節所述吸附部的球面高度。
7.一種鍵合設備，其特征在于，包括：
8.一種鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：
9.如權
10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機指令，其特征在于，所述計算機指令被處理器執行時，實施如權利要求8或9所述的鍵合方法。
...【技術特征摘要】
1.一種真空吸嘴，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的真空吸嘴，其特征在于，所述本體被固定安裝于一鍵合頭，其中，
3.如權利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸縮部采用壓電陶瓷，其第一端固定連接所述鍵合頭，而其球面的第二端擠壓所述蒙皮，并根據收到的電壓，向靠近或遠離所述蒙皮的方向伸縮，以調節所述吸附部的球面高度。
4.如權利要求3所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中還包括控制器，所述控制器被配置為：
5.如權利要求4所述的真空吸嘴，其特征在于，所述真空吸嘴中還包括3d相機，用于采集所述蒙皮的3d點云數據，以擬合所述吸附部的球形吸附表面，其中，所述控制器還被配置為：
6.如權利要求2所述的真空吸嘴，其特征在于，所述伸縮部的第一端連接一驅動部...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊猛，
申請(專利權)人：拓荊鍵科海寧半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。