【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術屬于材料介電性能測試，尤其涉及一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法及系統(tǒng)。
技術介紹
1、本部分的陳述僅僅是提供了與本專利技術相關的
技術介紹
信息，不必然構成在先技術。
2、準光腔法是低損耗材料毫米波頻段介電性能測試最常用方法。準光腔分為半球型準光腔(平凹腔)和雙球型準光腔兩種結構，其中雙球型準光腔更適用于測試薄膜材料。
3、準光腔測試方法分為變頻率法(固定腔長法)和變腔長法(固定頻率法)，變頻法為腔體的兩個反射鏡面固定，利用放入材料前后腔體的諧振頻率變化來測試。變腔長法為通過調節(jié)兩個反射鏡的相對距離，保持放入材料前后的諧振頻率固定，利用腔長變化量來測試。對于薄材料來說，矢量網(wǎng)絡分析儀現(xiàn)有的頻率測量分辨率要遠遠高于樣品厚度的物理測量分辨率，變頻率法具有更高的測試精度。
4、但是變腔長法測試時測試頻點很少，且可測量的頻點與材料的介電常數(shù)相關。采用變頻率法的雙球腔測試方法中，薄材料位置對測量精影響較大。
5、在雙球腔測試方法，需要將被測材料放置于兩個鏡面中心的位置，材料的中心要與夾具中心重合。目前材料中心定位方法為直接物理測量找到材料一半厚度的位置作為中心位置。對于薄膜材料來說，由于厚度很小，測量厚度引入的誤差會顯著增大，當材料偏離中心位置時，介電性能的測試結果誤差也會增大，因此準確對材料進行中心定位十分關鍵。
技術實現(xiàn)思路
1、為克服上述現(xiàn)有技術的不足，本專利技術提供了一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法及系統(tǒng)。
2、為實現(xiàn)上述目的，本專利技術的一個或多個實施例提供了如下技術方案：
3、本專利技術第一方面提供了一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，包括：
4、獲取雙球型準光腔測試系統(tǒng)中待測材料的放置位置及對應的諧振頻率；
5、以待測材料的放置位置為零點，以待測材料的移動距離為橫坐標，對應位置的諧振頻率為縱坐標，擬合諧振頻率變化曲線；
6、提取該諧振頻率變化曲線的波峰或波谷對應的放置位置即為材料的中心位置。
7、本專利技術第二方面提供了一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位系統(tǒng)，包括：
8、數(shù)據(jù)獲取模塊，被配置為：獲取雙球型準光腔測試系統(tǒng)中待測材料的放置位置及對應的諧振頻率；
9、諧振頻率變化曲線擬合模塊，被配置為：以待測材料的放置位置為零點，以待測材料的移動距離為橫坐標，對應位置的諧振頻率為縱坐標，擬合諧振頻率變化曲線；
10、位置確定模塊，被配置為：提取該諧振頻率變化曲線的波峰或波谷對應的放置位置即為材料的中心位置。
11、本專利技術第三方面提供了計算機可讀存儲介質，其上存儲有程序，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如本專利技術第一方面所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法中的步驟。
12、本專利技術第四方面提供了電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的程序，所述處理器執(zhí)行所述程序時實現(xiàn)如本專利技術第一方面所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法中的步驟。
13、以上一個或多個技術方案存在以下有益效果：
14、本專利技術針對雙球準光腔實際測試中材料中心定位的工程問題，利用腔體的對稱結構特性找到工程模型的中心對稱情況，并將材料放置在雙球腔中心左右對稱的位置；可以提高雙球腔材料介電性能測試精度，尤其對于薄膜材料這種物理測量誤差影響較大的情況，能夠消除材料中心定位偏移引入的誤差。
15、本專利技術附加方面的優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，所述待測材料為薄膜材料，所述待測材料的厚度為測試頻率半波長的整數(shù)倍。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，待測材料放置在中心位置時，待測材料與兩個球面鏡組成的測試夾具共對稱軸。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，通過移動組件帶動待測材料左右移動，得到多組待測材料的移動距離及對應位置的諧振頻率。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，所述移動組件為電動滑臺。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，奇模和偶模是雙球準光腔求解理論的兩種相鄰模式，奇模時，材料的中心位置為所述諧振頻率變化曲線的波谷對應的放置位置；偶模時，材料的中心位置為所述諧振頻率變化曲線的波峰對應的放置位置。
7.一種準
8.根據(jù)權利要求7所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位系統(tǒng)，其特征在于，所述待測材料為薄膜材料，所述待測材料的厚度為測試頻率半波長的整數(shù)倍。
9.計算機可讀存儲介質，其上存儲有程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1-7任一項所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法中的步驟。
10.電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述程序時實現(xiàn)如權利要求1-7任一項所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法中的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，所述待測材料為薄膜材料，所述待測材料的厚度為測試頻率半波長的整數(shù)倍。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，待測材料放置在中心位置時，待測材料與兩個球面鏡組成的測試夾具共對稱軸。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，通過移動組件帶動待測材料左右移動，得到多組待測材料的移動距離及對應位置的諧振頻率。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，所述移動組件為電動滑臺。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種準光腔材料介電性能測試的材料中心定位方法，其特征在于，奇模和偶...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：鄒翹，張?zhí)鞓?/a>，趙銳，王亞海，周治鑫，
申請(專利權)人：中電科思儀科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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