【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于圖像傳感器領(lǐng)域，特別是涉及一種具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、ccd(charge?coupled?device；電荷耦合器件)具有高靈敏度、低噪聲、大動態(tài)范圍等特點，ccd廣泛的應(yīng)用于航空、航天領(lǐng)域。為了實現(xiàn)對于高速目標的高靈敏跟蹤，ccd一般采用多路輸出背照器件架構(gòu)實現(xiàn)對于高速目標的識別。在背照ccd的輸出放大器區(qū)域中，輸出壓點和其它驅(qū)動壓點與陶瓷管殼焊盤之間的距離一般較遠，在使用引線連接時壓點和陶瓷管殼焊盤時，存在引線與硅基襯底短接的風險，可能會使得器件不能正常工作。
2、另外，ccd輸出屬于敏感模擬信號，容易受到ccd其它高速驅(qū)動脈沖的影響，針對上述情況,現(xiàn)有技術(shù)是通過ccd輸出壓點與其它驅(qū)動壓點規(guī)則排布，在ccd輸出壓點附近布局地線等屏蔽隔離,降低ccd輸出敏感模擬信號受到的擾動影響,但是由于ccd輸出壓點與其它壓點靠近，ccd輸出的敏感模擬信號會受到其它驅(qū)動脈沖的影響。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是：提供一種具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)。
2、為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、一種具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)，包括硅基襯底和形成于硅基襯底上的光敏區(qū)、存儲區(qū)和輸出放大器區(qū)域，所述輸出放大器區(qū)域設(shè)置有輸出放大器、與輸出放大器連接的輸出壓點、多個直流驅(qū)動引線、多個交流連接引線、多個驅(qū)動壓點和多個管殼焊盤，所述輸出壓點和每一所述驅(qū)動壓
4、進一步的，所述輸出放大器區(qū)域從臨近存儲區(qū)的一側(cè)向另一側(cè)依次設(shè)置有輸出壓點區(qū)域、直流引線區(qū)域、交流引線區(qū)域、驅(qū)動壓點區(qū)域和管殼焊盤區(qū)域，直流驅(qū)動引線區(qū)域和交流驅(qū)動引線區(qū)域之間設(shè)置有直流地隔離引線；
5、所述輸出放大器設(shè)置在輸出壓點區(qū)域臨近存儲區(qū)的一端，所述輸出壓點設(shè)置在輸出壓點區(qū)域遠離存儲區(qū)的一端；所述多個直流驅(qū)動引線均設(shè)置在直流引線區(qū)域，每一所述直流驅(qū)動引線分別通過一直流連接引線與輸出放大器連接；
6、所述多個交流連接引線均設(shè)置在交流引線區(qū)域，所述多個驅(qū)動壓點均設(shè)置在驅(qū)動壓點區(qū)域，每一所述交流驅(qū)動引線分別通過一交流連接引線與輸出放大器或驅(qū)動壓點連接；所述多個管殼焊盤均設(shè)置在管殼焊盤區(qū)域。
7、進一步的，所述第一刻蝕槽從輸出壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一端向外延伸至直流地隔離引線所在區(qū)域。
8、進一步的，所述第一刻蝕槽從輸出壓點所在位置向四周延伸，且所述第一刻蝕槽未朝向管殼焊盤區(qū)域的每一端向外延伸的距離均大于或等于10μm。
9、進一步的，所述第二刻蝕槽從驅(qū)動壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一端向外延伸，且延伸距離大于或等于20μm。
10、進一步的，所述第二刻蝕槽從驅(qū)動壓點所在位置向四周延伸，且所述第二刻蝕槽未朝向管殼焊盤區(qū)域的每一端向外延伸的距離均大于或等于10μm。
11、進一步的，所述輸出放大器的一側(cè)設(shè)置有地線盤，所述直流地隔離引線通過接地連接引線與地線盤連接。
12、進一步的，所述直流驅(qū)動引線包括電源地引線、復(fù)位漏引線、輸出直流柵引線、場收集引線和電源引線；所述交流驅(qū)動引線包括復(fù)位柵引線和多個水平轉(zhuǎn)移柵引線，所述復(fù)位柵引線通過一交流連接引線與輸出放大器連接；每一所述水平轉(zhuǎn)移柵引線分別通過一交流連接引線與一驅(qū)動壓點連接。
13、進一步的，所述輸出壓點和驅(qū)動壓點之間的間距大于或等于1mm。
14、進一步的，相鄰的所述交流驅(qū)動引線之間的間距大于或等于20μm。
15、本專利技術(shù)中，通過對輸出壓點和驅(qū)動壓點至管殼焊盤金屬引線方向的硅襯底進行刻蝕形成溝槽形貌，避免了ccd器件封裝時輸出壓點至管殼焊盤的金屬引線與襯底形成電學(xué)接觸，使得器件不能工作，確保了器件的可靠性。通過對輸出壓點獨立布局，使其遠離其它驅(qū)動壓點，并且在輸出壓點的臨近區(qū)域僅布局直流驅(qū)動引線，避免了交流驅(qū)動引線環(huán)繞輸出壓點，從而使得傳輸交流驅(qū)動信號的相關(guān)結(jié)構(gòu)均遠離輸出壓點，降低了背照ccd輸出放大器輸出的敏感模擬信號受到交流驅(qū)動信號的驅(qū)動脈沖的擾動影響。另外，通過將直流驅(qū)動引線和交流引線區(qū)域分區(qū)域布置，并在上述兩類驅(qū)動引線之間插入直流地隔離引線，還可以降低交流驅(qū)動信號對于直流驅(qū)動信號的影響，從而降低了ccd輸出敏感模擬信號受到的干擾。
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1.一種具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括硅基襯底和形成于硅基襯底上的光敏區(qū)、存儲區(qū)和輸出放大器區(qū)域，所述輸出放大器區(qū)域設(shè)置有輸出放大器、與輸出放大器連接的輸出壓點、多個直流驅(qū)動引線、多個交流連接引線、多個驅(qū)動壓點和多個管殼焊盤，所述輸出壓點和每一所述驅(qū)動壓點分別通過一金屬引線與一管殼焊盤連接，所述輸出壓點朝向管殼焊盤區(qū)域一側(cè)的硅基襯底上刻蝕形成有第一刻蝕槽，所述第一刻蝕槽的底面低于輸出壓點的上表面；所述驅(qū)動壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一側(cè)的硅基襯底上刻蝕形成有第二刻蝕槽，所述第二刻蝕槽的底面低于驅(qū)動壓點的上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述輸出放大器區(qū)域從臨近存儲區(qū)的一側(cè)向另一側(cè)依次設(shè)置有輸出壓點區(qū)域、直流引線區(qū)域、交流引線區(qū)域、驅(qū)動壓點區(qū)域和管殼焊盤區(qū)域，直流驅(qū)動引線區(qū)域和交流驅(qū)動引線區(qū)域之間設(shè)置有直流地隔離引線；
3.如權(quán)利要求2所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一刻蝕槽從輸出壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一端向外延伸至直流地隔離引線所在區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3
5.如權(quán)利要求2所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二刻蝕槽從驅(qū)動壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一端向外延伸，且延伸距離大于或等于20μm。
6.如權(quán)利要求5所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二刻蝕槽從驅(qū)動壓點所在位置向四周延伸，且所述第二刻蝕槽未朝向管殼焊盤區(qū)域的每一端向外延伸的距離均大于或等于10μm。
7.如權(quán)利要求2～6任一項所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述輸出放大器的一側(cè)設(shè)置有地線盤，所述直流地隔離引線通過接地連接引線與地線盤連接。
8.如權(quán)利要求2～6任一項所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述直流驅(qū)動引線包括電源地引線、復(fù)位漏引線、輸出直流柵引線、場收集引線和電源引線；所述交流驅(qū)動引線包括復(fù)位柵引線和多個水平轉(zhuǎn)移柵引線，所述復(fù)位柵引線通過一交流連接引線與輸出放大器連接；每一所述水平轉(zhuǎn)移柵引線分別通過一交流連接引線與一驅(qū)動壓點連接。
9.如權(quán)利要求2～6任一項所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述輸出壓點和驅(qū)動壓點之間的間距大于或等于1mm。
10.如權(quán)利要求2～6任一項所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照CCD結(jié)構(gòu)，其特征在于：相鄰的所述交流驅(qū)動引線之間的間距大于或等于20μm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括硅基襯底和形成于硅基襯底上的光敏區(qū)、存儲區(qū)和輸出放大器區(qū)域，所述輸出放大器區(qū)域設(shè)置有輸出放大器、與輸出放大器連接的輸出壓點、多個直流驅(qū)動引線、多個交流連接引線、多個驅(qū)動壓點和多個管殼焊盤，所述輸出壓點和每一所述驅(qū)動壓點分別通過一金屬引線與一管殼焊盤連接，所述輸出壓點朝向管殼焊盤區(qū)域一側(cè)的硅基襯底上刻蝕形成有第一刻蝕槽，所述第一刻蝕槽的底面低于輸出壓點的上表面；所述驅(qū)動壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一側(cè)的硅基襯底上刻蝕形成有第二刻蝕槽，所述第二刻蝕槽的底面低于驅(qū)動壓點的上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述輸出放大器區(qū)域從臨近存儲區(qū)的一側(cè)向另一側(cè)依次設(shè)置有輸出壓點區(qū)域、直流引線區(qū)域、交流引線區(qū)域、驅(qū)動壓點區(qū)域和管殼焊盤區(qū)域，直流驅(qū)動引線區(qū)域和交流驅(qū)動引線區(qū)域之間設(shè)置有直流地隔離引線；
3.如權(quán)利要求2所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一刻蝕槽從輸出壓點朝向管殼焊盤區(qū)域的一端向外延伸至直流地隔離引線所在區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的具有防輸出短接結(jié)構(gòu)的背照ccd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一刻蝕槽從輸出壓點所在位置向四周延伸，且所述第一刻蝕槽未朝向管殼焊盤區(qū)域的每一端向外延伸的距離均大于或等于10μm。
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊洪，孫晨，白雪平，李金，
申請(專利權(quán))人：中國電子科技集團公司第四十四研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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