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    一氧化碳傳感器材料、材料制備方法及一氧化碳傳感器技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44440376 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-02-28 18:49
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及氣體傳感器領(lǐng)域,公開了一種一氧化碳傳感器材料、材料制備方法及一氧化碳傳感器。該一氧化碳傳感器材料為氧化銅與對(duì)苯二胺通過配位鍵組裝得到的金屬有機(jī)框架復(fù)合材料。通過采用本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊谎趸紓鞲衅鞑牧希沟弥苽涞玫降囊谎趸紓鞲衅鲗?duì)一氧化碳具有較高的選擇性、工作溫度較低并且成本較低。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及氣體傳感器,具體地涉及一種一氧化碳傳感器材料、一種一氧化碳傳感器材料制備方法以及一種一氧化碳傳感器。


    技術(shù)介紹

    1、一氧化碳所造成的環(huán)境污染已經(jīng)受到全球矚目,一氧化碳屬于一次氣態(tài)污染,無色無味很難被人類感知,人體吸入會(huì)導(dǎo)致身體不適,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)绊懮】怠R虼耍瑢?duì)環(huán)境中的一氧化碳進(jìn)行檢測(cè)至關(guān)重要。

    2、目前,用于對(duì)一氧化碳進(jìn)行檢測(cè)的傳感器主要包括電化學(xué)型傳感器、熱傳導(dǎo)型傳感器以及半導(dǎo)體氧化物型傳感器等。其中,電化學(xué)型傳感器價(jià)格比較昂貴,并且在使用過程中可能會(huì)發(fā)生電解液泄露,導(dǎo)致壽命縮短。熱傳導(dǎo)型傳感器存在靈敏度低、選擇性不高的問題。半導(dǎo)體氧化物型傳感器工作溫度普遍較高,一般為200℃-300℃,導(dǎo)致能耗較高。同時(shí),半導(dǎo)體氧化物型傳感器通常通過摻雜貴金屬pd或者pt來提高其靈敏性能,成本也較高。

    3、因此,亟需一種選擇性較高、工作溫度較低且成本較低的一氧化碳傳感器材料。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的是為了克服現(xiàn)有一氧化碳傳感器材料選擇性低、工作溫度高以及成本高的問題,提供一種一氧化碳傳感器材料、材料制備方法及一氧化碳傳感器

    2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)第一方面提供一種一氧化碳傳感器材料,所述一氧化碳傳感器材料為氧化銅與對(duì)苯二胺通過配位鍵組裝得到的金屬有機(jī)框架復(fù)合材料。

    3、本專利技術(shù)第二方面提供一種用于制備第一方面的一氧化碳傳感器材料的制備方法,所述制備方法包括:

    4、將對(duì)苯二胺和無水氯化銅溶解于水中,得到第一溶液;

    5、將過硫酸銨溶解于水中,得到第二溶液;

    6、將所述第二溶液加入所述第一溶液中,得到第三溶液,將所述第三溶液置于預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行冰浴聚合,得到黑棕色沉淀;

    7、向所述第三溶液中加入冰醋酸和naoh溶液,直至ph達(dá)到預(yù)設(shè)ph值,得到第四溶液;

    8、對(duì)所述第四溶液進(jìn)行靜置處理得到目標(biāo)沉淀,對(duì)所述目標(biāo)沉淀進(jìn)行清洗和烘干,得到一氧化碳傳感器材料。

    9、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,對(duì)苯二胺與無水氯化銅的摩爾比為(0.01:1)-(0.2:1)。

    10、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,過硫酸銨與對(duì)苯二胺的摩爾比為1:1。

    11、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,所述將所述第二溶液加入所述第一溶液中,包括:

    12、通過滴加的方式將所述第二溶液加入所述第一溶液中。

    13、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)溫度為0℃-5℃。

    14、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)ph值為8-9。

    15、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,所述對(duì)所述目標(biāo)沉淀進(jìn)行清洗和烘干之后,所述制備方法還包括:

    16、將清洗和烘干后的目標(biāo)沉淀進(jìn)行活化處理。

    17、在本申請(qǐng)實(shí)施例中,所述將清洗和烘干后的目標(biāo)沉淀進(jìn)行活化處理,包括:

    18、將清洗和烘干后的目標(biāo)沉淀置于管式爐中,在氬氣環(huán)境下進(jìn)行活化;

    19、管式爐內(nèi)溫度為200℃-550℃,管式爐內(nèi)氬氣流通速率為55ml/min-65ml/min。

    20、本申請(qǐng)第三方面提供一種一氧化碳傳感器,所述一氧化碳傳感器包括電極和第一方面的一氧化碳傳感器材料;

    21、所述一氧化碳傳感器材料涂覆在所述電極上。

    22、通過采用上述技術(shù)方案提供的一氧化碳傳感器材料,所述一氧化碳傳感器材料為氧化銅與對(duì)苯二胺通過配位鍵組裝得到的金屬有機(jī)框架復(fù)合材料;使得基于該一氧化碳傳感器材料制備得到的一氧化碳傳感器對(duì)一氧化碳具有較高的選擇性、工作溫度較低并且成本較低。

    23、本申請(qǐng)實(shí)施例的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種一氧化碳傳感器材料,其特征在于,所述一氧化碳傳感器材料為氧化銅與對(duì)苯二胺通過配位鍵組裝得到的金屬有機(jī)框架復(fù)合材料。

    2.一種權(quán)利要求1所述的一氧化碳傳感器材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,對(duì)苯二胺與無水氯化銅的摩爾比為(0.01:1)-(0.2:1)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,過硫酸銨與對(duì)苯二胺的摩爾比為1:1。

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述將所述第二溶液加入所述第一溶液中,包括:

    6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)溫度為0℃-5℃。

    7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)pH值為8-9。

    8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述對(duì)所述目標(biāo)沉淀進(jìn)行清洗和烘干之后,所述制備方法還包括:

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述將清洗和烘干后的目標(biāo)沉淀進(jìn)行活化處理,包括:

    10.一種一氧化碳傳感器,其特征在于,所述一氧化碳傳感器包括電極和權(quán)利要求1所述的一氧化碳傳感器材料;

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種一氧化碳傳感器材料,其特征在于,所述一氧化碳傳感器材料為氧化銅與對(duì)苯二胺通過配位鍵組裝得到的金屬有機(jī)框架復(fù)合材料。

    2.一種權(quán)利要求1所述的一氧化碳傳感器材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,對(duì)苯二胺與無水氯化銅的摩爾比為(0.01:1)-(0.2:1)。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,過硫酸銨與對(duì)苯二胺的摩爾比為1:1。

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述將所述第二溶液加入所述第...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉輝王榮馬悅王礎(chǔ)陳彥橋何鯤廖海燕金翼陳雄蔣曉平吳丹
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:國家能源集團(tuán)新能源技術(shù)研究院有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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