【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及多晶硅生產(chǎn)，尤其涉及一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑及其制備方法和應(yīng)用。
技術(shù)介紹
1、光伏和電子信息兩大多晶硅主要下游市場都朝著高端方向發(fā)展，對多晶硅原料的純度要求更加嚴(yán)格，新疆、甘肅等地的部分光伏廠家對硅料的要求甚至參照電子級多晶硅的國家標(biāo)準(zhǔn)，高純多晶硅已經(jīng)成為應(yīng)對能源危機(jī)、發(fā)展信息產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略性物資。
2、在多晶硅工業(yè)中，三氯氫硅是制備多晶硅的重要原料，其中三氯氫硅中的硼雜質(zhì)含量是影響多晶硅質(zhì)量的重要因素，嚴(yán)重影響多晶硅的質(zhì)量指標(biāo)。目前國內(nèi)主要通過多級精餾的分離方法去除三氯氫硅中的硼雜質(zhì)，但由于三氯氫硅中硼雜質(zhì)的揮發(fā)度與三氯氫硅接近，使得在多級精餾時需要加大回流比、減少采出量來保證質(zhì)量指標(biāo)，以至于產(chǎn)品收率低且產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定，而且用于除硼的能耗和成本居高不下。
3、現(xiàn)階段使用的特效樹脂除硼效率高，但再生過程需要用到強(qiáng)酸強(qiáng)堿，產(chǎn)生大量酸堿廢液，此外樹脂造價偏高且在三氯氫硅體系中存在燃燒風(fēng)險。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑及其制備方法和應(yīng)用，制備方法中采用無機(jī)多孔材料作為載體，將無機(jī)多孔材料浸漬于有機(jī)胺溶液中，使胺類有機(jī)物附著在無機(jī)多孔材料上，解決了現(xiàn)有技術(shù)中除硼成本高且易燃的問題。
2、為了實現(xiàn)上述專利技術(shù)目的之一，本申請一實施方式提供一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，包括如下步驟：
3、預(yù)處理：將無機(jī)多孔材料進(jìn)行超聲波清洗，將清洗后的無機(jī)多孔材料進(jìn)行干燥處理；
4、浸漬：將胺類有機(jī)物溶于水配制成有機(jī)胺溶液，并將無機(jī)多孔材料和有機(jī)胺溶液混合，在真空下浸漬；
5、干燥：將浸漬于有機(jī)胺溶液后的無機(jī)多孔材料放入干燥箱中進(jìn)行干燥處理，得到硼雜質(zhì)吸附劑。
6、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，胺類有機(jī)物選自n-甲基-d-葡萄糖胺、二乙胺、三乙胺、n-甲基乙酰胺、氮甲基甲酰胺中的一種或多種。
7、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，有機(jī)胺溶液的濃度為0.1～1mol/l。
8、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述無機(jī)多孔材料選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、13x分子篩、3a分子篩、4a分子篩、5a分子篩中的一種或多種。
9、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，無機(jī)多孔材料的堆積密度為0.5～1.0g/ml，直徑分布在1～5mm。
10、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，無機(jī)多孔材料的比表面積為200～300m2/g。
11、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，浸漬步驟中，將無機(jī)多孔材料和有機(jī)胺溶液放置于真空容器中，抽真空至-0.2～0mpa，浸漬時間為30～90min。
12、本申請一實施方式還提供一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑，以無機(jī)多孔材料為載體，載體上負(fù)載有胺類有機(jī)物，其中，無機(jī)多孔材料選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、13x分子篩、3a分子篩、4a分子篩、5a分子篩中的一種或多種。
13、作為本申請一實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，胺類有機(jī)物選自n-甲基-d-葡萄糖胺、二乙胺、三乙胺、n-甲基乙酰胺、氮甲基甲酰胺中的一種或多種。
14、本申請一實施方式還提供一種如前所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的應(yīng)用，所述硼雜質(zhì)吸附劑用于吸附三氯氫硅中的硼雜質(zhì)。
15、本申請?zhí)峁┑囊粋€或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：
16、本申請?zhí)峁┑挠糜谌コ葰涔柚信痣s質(zhì)的吸附劑的制備方法中，采用無機(jī)多孔材料作為載體，將載體浸漬于有機(jī)胺溶液中，使胺類有機(jī)物附著在載體上，一方面無機(jī)載體耐高溫不易燃，且比表面積大能夠?qū)崿F(xiàn)快速吸附；另一方面，胺類有機(jī)物中n上的孤對電子可以與含硼雜質(zhì)絡(luò)合，進(jìn)一步提升吸附劑對硼雜質(zhì)的吸附能力。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，胺類有機(jī)物選自N-甲基-D-葡萄糖胺、二乙胺、三乙胺、N-甲基乙酰胺、氮甲基甲酰胺中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，有機(jī)胺溶液的濃度為0.1～1mol/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，所述無機(jī)多孔材料選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、13X分子篩、3A分子篩、4A分子篩、5A分子篩中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，無機(jī)多孔材料的堆積密度為0.5～1.0g/ml，直徑分布在1～5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，無機(jī)多孔材料的比表面積為200～300m2/g。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，
8.一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑，其特征在于，以無機(jī)多孔材料為載體，載體上負(fù)載有胺類有機(jī)物，其中，無機(jī)多孔材料選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、13X分子篩、3A分子篩、4A分子篩、5A分子篩中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑，其特征在于，胺類有機(jī)物選自N-甲基-D-葡萄糖胺、二乙胺、三乙胺、N-甲基乙酰胺、氮甲基甲酰胺中的一種或多種。
10.如權(quán)利要求8或9中用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的應(yīng)用，其特征在于，所述硼雜質(zhì)吸附劑用于吸附三氯氫硅中的硼雜質(zhì)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，胺類有機(jī)物選自n-甲基-d-葡萄糖胺、二乙胺、三乙胺、n-甲基乙酰胺、氮甲基甲酰胺中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，有機(jī)胺溶液的濃度為0.1～1mol/l。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，所述無機(jī)多孔材料選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鋅、13x分子篩、3a分子篩、4a分子篩、5a分子篩中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于去除三氯氫硅中硼雜質(zhì)的吸附劑的制備方法，其特征在于，無機(jī)多孔材料的堆積密度為0.5～1.0g/ml，直徑分布在1～5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于去除三氯氫硅中硼雜...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王飛，劉美麗，仇敬誠，楊博，范津津，
申請(專利權(quán))人：協(xié)鑫新上海光伏科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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