【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及l(fā)ed，具體而言，涉及一種垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法。
技術(shù)介紹
1、垂直結(jié)構(gòu)led芯片是指兩個(gè)電極分布在外延片的兩側(cè)，通電后，電流幾乎全部垂直流過led外延層，橫向流動(dòng)的電流極少。在垂直結(jié)構(gòu)芯片加工過程中，鍵合金屬刻蝕工藝難度大，刻蝕工藝過程中容易出現(xiàn)金屬濺射回粘到外延側(cè)壁的情況，進(jìn)而回粘到外延側(cè)壁的金屬將導(dǎo)致電流不經(jīng)過外延層中的量子阱層，最終導(dǎo)致垂直結(jié)構(gòu)led芯片無法點(diǎn)亮或者亮度低，甚至短路等異常情況出現(xiàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的其制作方法，以通過在外延層周圍設(shè)置掩膜層，鍵合金屬層刻蝕后回粘的金屬將會(huì)粘附至掩膜層上，之后再對該掩膜層進(jìn)行去除，以避免出現(xiàn)亮度不佳或者短路等異常情況。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：
3、一種垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，所述方法包括：提供多個(gè)外延結(jié)構(gòu)，一個(gè)所述外延結(jié)構(gòu)對應(yīng)一個(gè)所述垂直結(jié)構(gòu)led芯片；提供驅(qū)動(dòng)基板；將所述多個(gè)外延結(jié)構(gòu)通過鍵合金屬層鍵合于所述驅(qū)動(dòng)基板；在所述多個(gè)外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)基板一面形成掩膜層，所述掩膜層為光刻膠和/或功能層，所述功能層吸收特定溶液后膨脹；對相鄰所述外延結(jié)構(gòu)之間的所述鍵合金屬層進(jìn)行刻蝕形成與所述外延結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的子鍵合金屬層，所述子鍵合金屬層為所述垂直結(jié)構(gòu)led芯片的一個(gè)電極；去除所述掩膜層；在所述外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述驅(qū)動(dòng)基板一側(cè)形成所述垂直結(jié)構(gòu)led芯片的另一個(gè)電極。
4、通過在外延結(jié)
5、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的一種垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，該方法包括：提供多個(gè)外延結(jié)構(gòu)，一個(gè)外延結(jié)構(gòu)對應(yīng)形成一個(gè)垂直結(jié)構(gòu)led芯片，提供驅(qū)動(dòng)基板；將多個(gè)外延結(jié)構(gòu)通過鍵合金屬層鍵合于驅(qū)動(dòng)基板上；進(jìn)而在外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)基板一面形成掩膜層，該掩膜層為光刻膠和/或功能層，該功能層吸收特定溶液后膨脹；再對相鄰?fù)庋咏Y(jié)構(gòu)之間的鍵合金屬層進(jìn)行刻蝕得到作為垂直結(jié)構(gòu)led芯片的其中一個(gè)電極的子鍵合金屬層，在對鍵合金屬層刻蝕過程中將會(huì)有部分金屬濺射粘附至掩膜層上，刻蝕完成后，去除該掩膜層即可同步去除粘附的金屬，避免刻蝕過程中金屬直接濺射粘附至外延結(jié)構(gòu)上，導(dǎo)致垂直結(jié)構(gòu)led芯片出現(xiàn)短路等亮度問題；最后再在外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)基板一側(cè)形成垂直結(jié)構(gòu)led芯片的另一個(gè)電極即可。
6、為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。
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1.一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述去除所述掩膜層的步驟包括：
5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述功能層包括聚氨酯、聚氟乙烯或聚乙烯醇中的一種。
6.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述特定溶液包括純水。
7.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述功能層吸收所述特定溶液膨化的時(shí)間為2-30min。
8.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，在所述去除所述掩膜層的步驟之后，還包括：
9.如權(quán)利要求8所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，所述鈍化層包括二氧化硅、氧化鋁、環(huán)氧樹
10.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片組件的制作方法，其特征在于，每個(gè)所述外延結(jié)構(gòu)至少包括依次層疊設(shè)置的N型半導(dǎo)體層、量子阱層以及P型半導(dǎo)體層。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，所述去除所述掩膜層的步驟包括：
5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，所述功能層包括聚氨酯、聚氟乙烯或聚乙烯醇中的一種。
6.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的垂直結(jié)構(gòu)led芯片組件的制作方法，其特征在于，所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：茍先華，張彬彬，肖峰，蘇財(cái)鈺，
申請(專利權(quán))人：重慶康佳光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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