【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其形成方法。
技術介紹
1、在半導體器件的形成過程中，需要在襯底上形成凹凸不平的器件結構，從而，襯底表面的器件結構之間表現為存在尺寸大小不一的間隙。此時，通常采用沉積工藝填充在所述間隙內，并進一步完全覆蓋所述器件結構，從而保護和隔離器件結構。
2、然而，現有工藝中，半導體器件的良率有待提高。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供一種半導體器件及其形成方法，以提高半導體器件的良率。
2、為解決上述問題，本專利技術實施例提供一種半導體器件的形成方法，包括：
3、提供多組待處理晶圓，所述待處理晶圓包括襯底，以及形成于襯底上的器件結構，其中，所述器件結構之間形成有間隙；
4、基于預設的參數套組內參數組的順序，依次處理所述待處理晶圓，在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層；所述參數套組包括多個參數組，一參數組對應一組待處理晶圓，并且，不同參數組對應沉積設備的不同狀態；
5、在所述沉積層上形成犧牲層。
6、可選的，所述參數套組內的參數組循環執行，且所述參數組每循環執行一輪，執行一次設備清理流程。
7、可選的，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括反應氣體流量；
8、其中，在所述參數套組中，所述反應氣體流量隨著所述參數組的順序依次變大。
9、可選的，所述在
10、其中，在所述參數套組中，所述偏置功率隨著所述參數組的順序依次變大。
11、可選的，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括沉積時長；
12、其中，在所述參數套組中，所述沉積時長隨著所述參數組的順序依次變大。
13、可選的，所述參數套組內的參數組的數量為4～20個。
14、可選的，所述沉積工藝中，反應氣體為sih4，所述參數組中，所述反應氣體的側部流量為6～15sccm，所述反應氣體的頂部流量為6～15sccm，偏置功率為1200～2000w，沉積時長110～200s。
15、可選的，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟之后，所述在所述沉積層上形成犧牲層的步驟之前，還包括：
16、在所述沉積層上形成補充沉積層；
17、所述在所述沉積層上形成犧牲層的步驟，具體為，在所述補充沉積層上形成犧牲層。
18、可選的，所述器件結構包括凸出于襯底的柵極結構，位于所述柵極結構兩側的源漏結構，其中，所述源漏結構位于所述襯底內，相鄰器件結構間，還包括用于隔離所述器件結構的隔離結構。
19、本專利技術實施例還提供了一種半導體器件，所述半導體器件由上述半導體器件的形成方法形成。
20、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優點：
21、本專利技術實施例提供了一種半導體器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供多組待處理晶圓，所述待處理晶圓包括襯底，以及形成于襯底上的器件結構，其中，所述器件結構之間形成有間隙；基于預設的參數套組內參數組的順序，依次處理所述待處理晶圓，在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層；所述參數套組包括多個參數組，一參數組對應一組待處理晶圓，并且，不同參數組對應沉積設備的不同狀態；在所述沉積層上形成犧牲層。
22、可以看出，在本專利技術實施例提供的方法中，通過在參數套組內設置多個參數組，并使得不同參數組對應沉積設備的不同狀態，同時，一參數組對應一組待處理晶圓，從而在每處理一組待處理晶圓后，都能實現一次參數的調整，以適應沉積設備的狀態變化，從而保證每個待處理晶圓的沉積層的表面質量，提高半導體器件的良率。
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1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述參數套組內的參數組循環執行，且所述參數組每循環執行一輪，執行一次設備清理流程。
3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括反應氣體流量；
4.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括偏置功率；
5.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括沉積時長；
6.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述參數套組內的參數組的數量為4～20個。
7.如權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝中，反應氣體為SIH
8.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟之后，所述在所述沉積層上形成犧牲層的步驟之前，還包括：
9.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述器件結構包括凸出于襯底的柵極結構，位于所述柵極結構兩側的源漏結構，其中，所述源漏結構位于所述襯底內，相鄰器件結構間，還包括用于隔離所述器件結構的隔離結構。
10.一種半導體器件，其特征在于，采用權利要求1～9任一項所述的半導體器件的形成方法形成。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述參數套組內的參數組循環執行，且所述參數組每循環執行一輪，執行一次設備清理流程。
3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括反應氣體流量；
4.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括偏置功率；
5.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述在所述待處理晶圓上形成完全覆蓋所述間隙的沉積層的步驟中，采用沉積工藝形成所述沉積層；其中，所述參數組至少包括沉積時長；
6.如權利要求2所述的半導體器件的形成方...
【專利技術屬性】
技術研發人員：舒柳飛，吳正隆，王典勇，張嚴，梁志，靳億帆，
申請(專利權)人：浙江創芯集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
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