【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及到一種半導體器件、制備方法及電子設備。
技術介紹
1、在半導體器件中，通常，在半導體器件的底部設置底部接觸孔，在底部接觸孔中填充底部觸點，通過底部觸點將背側配電網絡(backside?power?delivery?network，bspdn)中的金屬線與晶體管中的源極或漏極實現電性連接，從而實現采用bspdn將電源信號輸送到晶體管的源極或漏極，為晶體管供電。然而，若底部觸點與源極或漏極的接觸電阻較高，會導致半導體器件的功耗提高。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種半導體器件、制備方法及電子設備，用以降低接觸電阻，降低半導體器件的功耗。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種半導體器件，包括：晶體管、第一絕緣層、第一觸點、第二絕緣層以及第二觸點，第一絕緣層設置于晶體管的一側，第二絕緣層設置于晶體管背離第一絕緣層的一側。并且，晶體管包括溝道、第一電極以及第二電極，溝道在第一方向上具有相對設置的第一端和第二端，第一電極設置于溝道的第一端背離溝道的第二端一側并與溝道的第一端接觸，第二電極設置于溝道的第二端背離溝道的第一端一側并與溝道的第二端接觸。并且，第二絕緣層具有第二接觸孔，第二接觸孔在參考面上的正投影與第二電極背離第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域在參考面上的正投影具有交疊區域，以通過第二接觸孔暴露出第二電極背離第一絕緣層的一側的表面中的至少部分區域。為了實現向晶體管輸入信號，可以將第二觸點通過第二接觸孔與第二電極背離第一絕緣層一側的表面中的至
3、另外，第一絕緣層和晶體管的堆疊方向與參考面垂直。
4、示例性地，金屬化合物包括金屬硅化物。例如，所述金屬硅化物包括：鈦硅化合物、鈷硅化合物、鎳硅化合物中的一種或組合。當然，金屬硅化物還可以是其他材料，在此不作限定。
5、為了向第一電極傳輸信號，還使第二絕緣層具有第三接觸孔，且第三接觸孔在參考面上的正投影與第一電極背離第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域在參考面上的正投影具有交疊區域，以通過第三接觸孔暴露出第一電極背離第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域。以及，在半導體器件中還設置第三觸點，并使第三觸點通過第三接觸孔與第一電極背離第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域接觸，從而通過第三觸點向第一電極傳輸信號。
6、為了降低第二觸點與第二電極之間的接觸電阻，使第二電極包括第三電極部和第四電極部，第四電極部設置于第三電極部背離第一絕緣層一側。并且，第三電極部與第一電極部的材料相同，第四電極部與第二電極部的材料相同。
7、示例性地，第一電極在垂直于第一方向上的橫截面的形狀為第一形狀，第二電極在垂直于第一方向上的橫截面的形狀為第二形狀，第一形狀與第二形狀不同。
8、進一步地，為了降低接觸電阻，使半導體器件還設置有至少一個界面層。其中，可使至少一個界面層設置于第一觸點與第一接觸孔的側壁之間。或者，使至少一個界面層設置于第一觸點與第一電極之間?；蛘撸仁怪辽僖粋€界面層設置于第一觸點與第一接觸孔的側壁之間，又使至少一個界面層設置于第一觸點與第一電極之間。
9、本申請中，第一絕緣層包括隔離介質層和絕緣介質層，隔離介質層設置于絕緣介質層與晶體管之間。并且，隔離介質層包括在堆疊方向上貫穿隔離介質層的第一開口，絕緣介質層覆蓋隔離介質層背離晶體管的表面，且絕緣介質層具有通孔，通孔在參考面上的正投影覆蓋第一開口在參考面上的正投影。通過使第一接觸孔包括第一開口和通孔，從而形成第一接觸孔。
10、并且，界面層包括低電阻率材料。示例性地，界面層的材料為半導體材料。例如，界面層可以包括具有高活性摻雜劑的硅或硅和碳(高活性摻雜劑例如為磷、砷中的一種或兩種)。在一個實施方案中，活性摻雜劑濃度為4e20cm-3或更大。
11、在晶體管中，溝道包括：第一連接區、第二連接區以及設置于第一連接區和第二連接區之間的溝道區，第一電極與第一連接區接觸，第二電極與第二連接區接觸。且晶體管還包括柵極，將柵極隔著柵介質層覆蓋溝道區，從而通過柵極來控制溝道區，實現第一電極與第二電極之間的導通和斷開。并且，第二絕緣層設置于柵極兩側。
12、示例性地，溝道包括沿堆疊方向依次設置的多個溝道層，且多個溝道層相互間隔設置。通過將柵極隔著柵介質層環繞每個溝道層的溝道區，從而使本申請中的晶體管形成為環繞柵極場效應晶體管(gate?all?around?field-effect?transistor，gaafet)。并且，上述溝道層可設置為納米片溝道層或納米線溝道層。
13、另外，在晶體管中，還包括內側墻(inner?spacer)、柵側墻、柵阻擋層。其中，相鄰的兩個溝道層之間分別設置有兩個內側墻，這兩個內側墻中的一個內側墻在參考面上的正投影與第一連接區在參考面上的正投影具有交疊區域(或者重合)，另一個內側墻在參考面上的正投影與第二連接區在參考面上的正投影具有交疊區域(或者重合)。柵側墻設置于柵極兩側，即每個柵極兩側分別設置有柵側墻，且柵極其中一側的柵側墻在參考面上的正投影與第一連接區在參考面上的正投影具有交疊區域(或者重合)，另一側的柵側墻在參考面上的正投影與第二連接區在參考面上的正投影具有交疊區域(或者重合)。以及，柵阻擋層覆蓋在柵極上，且柵阻擋層在參考面上的正投影與柵極在參考面上的正投影具有交疊區域(或者重合)。另外，柵阻擋層背離隔離介質層一側的表面與柵側墻背離隔離介質層一側的表面可以大致齊平。
14、為了進一步提高晶體管的性能，在晶體管還包括底部電隔離層(bottomdielectric?isolation，bdi)，該bdi設置于溝道與隔離介質層之間，且bdi在參考面上的正投影與溝道在參考面上的正投影具有交疊區域(或重合)，且bdi與溝道之間具有柵極。
15、此外，在晶體管背離隔離介質層的一側還設置有互連層和載體晶圓(carrierwafer)，互連層中具有第一金屬互連線和第二金屬互連線，第一金屬互連線分別與第二觸點和載體晶圓連接，第二金屬互連線分別與第三觸點和載體晶圓連接。由于設置，能夠使信號在第二電極、第二觸點、第一金屬互連線以及載體晶圓形成的傳輸路徑上傳輸，以及使信號在第一電極、第三觸點、第二金屬互連線以及載體晶圓本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬化合物包括金屬硅化物。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物包括：鈦硅化合物、鈷硅化合物、鎳硅化合物中的一種或組合。
4.如權利要求1-3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二絕緣層還具有第三接觸孔，所述第三接觸孔在參考面上的正投影與所述第一電極背離所述第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域在參考面上的正投影具有交疊區域；
5.如權利要求1-4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二電極包括第三電極部和第四電極部，所述第四電極部設置于所述第三電極部背離所述第一絕緣層一側；
6.如權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電極在垂直于所述第一方向上的橫截面的形狀為第一形狀，所述第二電極在垂直于所述第一方向上的橫截面的形狀為第二形狀，所述第一形狀與所述第二形狀不同。
7.如權利要求1-6任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：至少一個界面層；
9.如權利要求7或8所述的半導體器件，其特征在于，所述界面層的材料為半導體材料。
10.如權利要求1-9任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述溝道包括：第一連接區、第二連接區以及設置于所述第一連接區和第二連接區之間的溝道區，所述第一電極與所述第一連接區連接，所述第二電極與所述第二連接區連接；
11.如權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述溝道包括：堆疊設置的多個溝道層，所述柵極隔著所述柵介質層環繞每個所述溝道層的溝道區。
12.一種電子設備，其特征在于，包括：電路板和如權利要求1-11任一項所述的半導體器件，所述半導體器件與所述電路板連接。
13.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
14.如權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述在半導體襯底上形成隔離介質層、晶體管和第二絕緣層，包括：
15.如權利要求14所述的制備方法，其特征在于，在所述第一開口中沉積犧牲觸點后，還包括：
16.如權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述形成第一電極和第二電極，包括：
17.如權利要求16所述的制備方法，其特征在于，還包括：在采用退火工藝時，所述金屬層的厚度降低，使所述第一電極形成第一電極部和第二電極部，并在所述第一電極在垂直于所述第一方向上的橫截面中，所述第二電極部環繞所述第一電極部，厚度降低后的所述金屬層環繞所述第二電極部；
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬化合物包括金屬硅化物。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物包括：鈦硅化合物、鈷硅化合物、鎳硅化合物中的一種或組合。
4.如權利要求1-3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二絕緣層還具有第三接觸孔，所述第三接觸孔在參考面上的正投影與所述第一電極背離所述第一絕緣層一側的表面中的至少部分區域在參考面上的正投影具有交疊區域；
5.如權利要求1-4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二電極包括第三電極部和第四電極部，所述第四電極部設置于所述第三電極部背離所述第一絕緣層一側；
6.如權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電極在垂直于所述第一方向上的橫截面的形狀為第一形狀，所述第二電極在垂直于所述第一方向上的橫截面的形狀為第二形狀，所述第一形狀與所述第二形狀不同。
7.如權利要求1-6任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：至少一個界面層；
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣層包括：隔離介質層和絕緣介質層，所述隔離介質層設置于所述絕緣介質層與所述晶體管之間；
9.如權利要求7或8所述的半導體器件，其特征在于，所...
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