【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，特別涉及一種大馬士革結(jié)構(gòu)及其制作方法和應(yīng)用。
技術(shù)介紹
1、隨著人工智能、5g技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用，智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等產(chǎn)品的功能和應(yīng)用場(chǎng)景將不斷拓展，同時(shí)5g技術(shù)還要求基板結(jié)構(gòu)緊湊，信號(hào)路徑短，處理高頻信號(hào)時(shí)幾乎沒(méi)有損失等。但是，傳統(tǒng)的改良型半加成法(msap)工藝中使用的介質(zhì)層abf材料具有低延展性和高膨脹系數(shù)(cte)等特性，典型msap工藝在襯底制造過(guò)程中通常面臨層壓剝離和翹曲問(wèn)題；并且其基板的制程周期長(zhǎng)，成本高，形成的線型或孔型的形貌欠佳，對(duì)制作更精密的埋入式線路有著很大的不利影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本專利技術(shù)的目的在于提出一種大馬士革結(jié)構(gòu)及其制作方法和應(yīng)用，該大馬士革結(jié)構(gòu)不用受限于抗蝕層的解析附著的能力，就能實(shí)現(xiàn)細(xì)線寬間距8/8μm以內(nèi)的埋入式精細(xì)線路層；可縮短基板制作周期，實(shí)現(xiàn)更高線路密度的封裝，成本節(jié)約，產(chǎn)品線路層線型更優(yōu)，損耗更低。
2、為達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)第一方面提出了一種大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括：
3、形成覆蓋內(nèi)層線路圖形的第一層光敏材料；所述內(nèi)層線路圖形制作于雙面載板上或可單面制作的載板上，所述內(nèi)層線路圖形包含至少一內(nèi)層焊盤；
4、對(duì)所述第一層光敏材料進(jìn)行曝光、顯影、后固化，以制作貫穿所述第一層光敏材料的至少一盲孔空腔，所述盲孔空腔顯露所述焊盤的頂部；
5、形成覆蓋所述第一層光敏
6、對(duì)所述第二層光敏材料進(jìn)行曝光、顯影、后固化，以制作貫穿所述第二層光敏材料的焊盤空腔和線路空腔，所述焊盤空腔與所述盲孔空腔相通以顯露所述內(nèi)層焊盤的頂部，所述線路空腔顯露所述第一層光敏材料的頂部；
7、形成填充滿所述盲孔空腔、所述焊盤空腔和所述線路空腔并覆蓋所述第一層光敏材料的頂部和所述內(nèi)層焊盤的導(dǎo)電材料；
8、減薄、拋光并刻蝕所述導(dǎo)電材料以使所述第二層光敏材料的頂部與所述導(dǎo)電材料的頂部共平面。
9、根據(jù)本專利技術(shù)的一種大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法采用光敏材料作為增層絕緣材料，可避免abf材料的壟斷地位，由于使用的光敏材料物性參數(shù)較優(yōu)，熱穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較好，故能做到低損耗；該大馬士革結(jié)構(gòu)使用光刻顯影的方式形成孔、槽，效率更高，且可獲得良好的物理形貌，極限孔徑可達(dá)到5μm，以制作出線型更優(yōu)的線路層；該大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法無(wú)需干刻、濕刻銅和去膜的工藝，不用受限于抗蝕層的解析附著的能力，就能利用光敏材料實(shí)現(xiàn)細(xì)線寬間距8/8μm以內(nèi)的埋入式精細(xì)線路層，可以實(shí)現(xiàn)多層埋線層結(jié)構(gòu)，制作周期短，且可避免傳統(tǒng)工藝中銅線路側(cè)蝕問(wèn)題，在精細(xì)線路制作能力提升的同時(shí)做到更加成本節(jié)約；另外，該大馬士革結(jié)構(gòu)可單面制作，也可一次性雙面制作，結(jié)構(gòu)更加靈活，產(chǎn)能更大；跟半導(dǎo)體相比，可應(yīng)用于plp板級(jí)封裝。
10、另外，根據(jù)本專利技術(shù)上述提出的一種大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：
11、可選地，所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料的曝光劑量均為100％。由于每次曝光都是100％的曝光劑量，故一次成型的線型或孔型更好；并且，可以根據(jù)光敏材料的厚度不同去調(diào)整需求的光刻深度，一次就可光刻到位，不用調(diào)試曝光劑量就能獲得要求的尺寸；并且無(wú)需借助掩膜版mask，每次單一波長(zhǎng)直接曝光即可，即使更改曝光的圖形設(shè)計(jì)也不用重新制作mask，大大節(jié)約了mask的制作成本。
12、可選地，所述第一層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種；所述第二層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種，但不限于此。
13、進(jìn)一步，光敏材料包括干膜狀態(tài)或液態(tài)；干膜狀態(tài)的光敏材料采用真空壓膜工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料；液態(tài)的光敏材料采用濕法狹縫式涂布工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料。
14、可選地，形成所述導(dǎo)電材料的方法包括：
15、于所述第二層光敏材料的表面以及所述盲孔空腔、所述焊盤空腔、所述線路空腔和所述內(nèi)層焊盤的表面形成金屬種子材料層；
16、于所述金屬種子材料層表面形成金屬互連材料層，所述金屬互連材料層填充滿所述盲孔空腔、所述焊盤空腔和所述線路空腔并覆蓋所述第一層光敏材料的頂部和所述內(nèi)層焊盤的頂部。
17、進(jìn)一步，采用物理氣相沉積工藝形成所述金屬種子材料層。
18、進(jìn)一步，所述金屬種子材料層包括鈦層和覆蓋在鈦層上的銅層；減薄、拋光并刻蝕所述導(dǎo)電材料的方法包括：
19、減薄所述金屬互連材料層后，拋光所述金屬互連材料層和所述第二層光敏材料頂部的金屬種子材料層至所述金屬種子材料層的鈦層，再使用濕法刻蝕掉所述鈦層。
20、為達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)第二方面提出了一種封裝基板的制作方法，其包括：
21、提供雙面載板或可單面制作的載板；
22、于所述雙面載板或可單面制作的載板上制作內(nèi)層線路圖形，所述內(nèi)層線路圖形包含至少一內(nèi)層焊盤；
23、采用上述的制作方法于所述內(nèi)層線路圖形上制作大馬士革結(jié)構(gòu)。
24、根據(jù)本專利技術(shù)的封裝基板的制作方法，采用的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法不用受限于抗蝕層的解析附著的能力，就能實(shí)現(xiàn)細(xì)線寬間距8/8μm以內(nèi)的埋入式精細(xì)線路層；可縮短封裝基板制作周期，實(shí)現(xiàn)更高線路密度的封裝，成本節(jié)約，產(chǎn)品線路層線型更優(yōu)，損耗更低，可應(yīng)用于plp板級(jí)封裝基板的制作。
25、另外，根據(jù)本專利技術(shù)上述提出的一種封裝基板的制作方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：
26、可選地，所述雙面載板為雙面有機(jī)覆銅載板或無(wú)機(jī)基板；所述可單面制作的載板為附有分離層的金屬載板或陶瓷載板等。
27、進(jìn)一步，于所述雙面有機(jī)覆銅載板上制作內(nèi)層線路圖形的方法包括：
28、對(duì)所述雙面有機(jī)覆銅載板進(jìn)行鉆孔，形成貫通所述雙面有機(jī)覆銅載板的互連孔；
29、形成填充滿所述互連孔并覆蓋所述雙面有機(jī)覆銅載板相對(duì)的第一表面和第二表面的導(dǎo)電層；
30、在所述第一表面的導(dǎo)電層和所述第二表面的導(dǎo)電層上制作所述內(nèi)層線路圖形。
31、為達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)第三方面提出了一種大馬士革結(jié)構(gòu)，其通過(guò)上述的大馬士革結(jié)構(gòu)制作方法制作而成。
32、為達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)第四方面提出了一種封裝基板，其通過(guò)上述的封裝基板的制作方法制作而成。
33、可選地，所述封裝基板包括：
34、雙面有機(jī)覆銅載板，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，所述雙面有機(jī)覆銅載板設(shè)有貫穿所述第一表面和所述第二表面的金屬互連孔；所述第一表面和所述第二表面上均形成有一內(nèi)層線路圖形，所述金屬互連孔與所述內(nèi)層線路圖形連接，所述內(nèi)層線路圖形具有導(dǎo)通的內(nèi)層焊盤和內(nèi)層線路；以及
35、兩個(gè)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料的曝光劑量均為100％。
3.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種；所述第二層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種。
4.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，光敏材料包括干膜狀態(tài)或液態(tài)；干膜狀態(tài)的光敏材料采用真空壓膜工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料；液態(tài)的光敏材料采用濕法狹縫式涂布工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料。
5.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電材料的方法包括：
6.如權(quán)利要求5所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝形成所述金屬種子材料層。
7.如權(quán)利要求5所述的
8.一種封裝基板的制作方法，其特征在于，包括：
9.如權(quán)利要求8所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，所述雙面載板為雙面有機(jī)覆銅載板或無(wú)機(jī)基板；所述可單面制作的載板為附有分離層的金屬載板或陶瓷載板。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，于所述雙面有機(jī)覆銅載板上制作內(nèi)層線路圖形的方法包括：
11.如權(quán)利要求8所述的封裝基板的制作方法，其特征在于，于所述雙面載板相對(duì)的第一表面和第二表面上均制作所述內(nèi)層線路圖形；
12.一種大馬士革結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過(guò)如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的大馬士革結(jié)構(gòu)制作方法制作而成。
13.一種封裝基板，其特征在于，通過(guò)如權(quán)利要求8-11中任一項(xiàng)所述的封裝基板的制作方法制作而成。
14.如權(quán)利要求13所述的封裝基板，其特征在于，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料的曝光劑量均為100％。
3.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種；所述第二層光敏材料為光敏聚酰亞胺、光敏酚醛樹(shù)脂、光敏環(huán)氧樹(shù)脂、光敏苯并環(huán)丁烯或光敏聚對(duì)苯撐苯并二噁唑中的任意一種。
4.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，光敏材料包括干膜狀態(tài)或液態(tài)；干膜狀態(tài)的光敏材料采用真空壓膜工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料；液態(tài)的光敏材料采用濕法狹縫式涂布工藝形成所述第一層光敏材料和所述第二層光敏材料。
5.如權(quán)利要求1所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電材料的方法包括：
6.如權(quán)利要求5所述的大馬士革結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝形成所述金屬...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜玲玲，雷慶滿，顏國(guó)秋，黃劍，上官昌平，王曉犇，盧浩寬，敖偉平，羅煒艷，曹子鯤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安捷利美維電子廈門有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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