【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體，具體地，涉及一種抽氣組件及工藝腔室。
技術介紹
1、在集成電路芯片制造工藝中，為了滿足集成電路芯片尺寸的微縮以及對形貌控制的高要求，通常在硅晶片上刻蝕形成多道圖形。而硅晶片的表面上容易自然氧化形成氧化硅(sio2)，導致在干法刻蝕工藝中，氧化硅容易與刻蝕氣體反應生成固態副產物。
2、為去除固態副產物，刻蝕工藝后，通常控制硅晶片相對于基座上移至靠近設置在工藝腔室頂部的導氣板，導氣板的溫度較高，使得硅晶片升溫，固態副產物受熱揮發得到氣態副產物，氣態副產物被抽離工藝腔室。但是，采用該方式清洗硅晶片后，基座上容易附著有固態副產物，附著于基座上的固態副產物在后續工藝過程中可能龜裂或脫落，影響產品良率。
技術實現思路
1、本技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種抽氣組件及工藝腔室。
2、第一方面，本技術提供一種抽氣組件，抽氣組件應用于工藝腔室，工藝腔室包括腔體和位于腔體內的基座，抽氣組件包括呈環形的內襯結構和環形的擋板結構；內襯結構用于設置在腔體內且環繞基座設置，以圍成工藝區，且內襯結構還用于與腔體的腔壁之間構成抽氣通道；
3、內襯結構的側壁具有多個第一抽氣孔和多個第二抽氣孔；工藝區通過多個第一抽氣和/或多個第二抽氣孔與抽氣通道連通；其中，當基座位于工藝位時，多個第一抽氣孔位于基座承載面上方，多個第二抽氣孔位于基座承載面下方；擋板結構環繞內襯結構的側壁設置，且相對內襯結構可升降，擋板結構用于可選擇的遮擋多個第一抽氣孔或多個
4、在本技術的第一方面的一種實現方式中，擋板結構包括第一阻擋環、第二阻擋環和連接桿，第一阻擋環位于第二阻擋環的上方，連接桿與第一阻擋環以及第二阻擋環均固定連接；擋板結構可在第一位置和第二位置之間運動；當擋板結構位于第一位置時，第一阻擋環遮擋住多個第一抽氣孔，多個第二抽氣孔露出；當擋板結構位于第二位置時，第二阻擋環遮擋住多個第二抽氣孔，多個第一抽氣孔露出。
5、在本技術的第一方面的一種實現方式中，內襯結構的側壁上設有至少一圈第一抽氣孔和至少一圈第二抽氣孔，每圈中各個第一抽氣孔沿內襯結構的周向間隔設置，每圈中各個第二抽氣孔沿內襯結構的周向間隔設置。
6、在本技術的第一方面的一種實現方式中，第一抽氣孔設有一圈，第一抽氣孔為圓孔且其直徑大于等于3mm、且小于等于4mm，第一阻擋環沿豎直方向的高度大于或等于5mm；和/或，第二抽氣孔設有一圈，第二抽氣孔為圓孔且其直徑大于等于3mm、且小于等于4mm，第二阻擋環沿豎直方向的高度大于或等于5mm。
7、在本技術的第一方面的一種實現方式中，內襯結構包括同軸設置的第一環形板、第一環形內襯和第二環形板，第一環形板、第一環形內襯和第二環形板自上而下依次層疊設置；
8、多個第一抽氣孔和多個第二抽氣孔均設置在第一環形內襯上；擋板結構位于第一環形板和第二環形板之間，第一環形板用于限制擋板結構豎直向上的位移，第二環形板用于限制擋板結構豎直向下的位移。
9、在本技術的第一方面的一種實現方式中，內襯結構還包括與第一環形內襯同軸設置的第三環形板及第二環形內襯，第二環形板疊置在第二環形內襯上，第二環形內襯疊置在第三環形板上；
10、第一環形板、第一環形內襯以及第二環形板用于與腔壁共同圍成第一流通空間，第二環形板、第二環形內襯以及第三環形板用于與腔壁共同圍成第二流通空間，第二環形板上設有缺口，第一流通空間通過缺口與第二流通空間連通以形成抽氣通道。
11、在本技術的第一方面的一種實現方式中，第二環形內襯包括弧形板、第一止擋板和第二止擋板，弧形板的一端與第一止擋板的第一端連接、另一端與第二止擋板的第一端連接；第一止擋板以及第二止擋板的第一端至第二端由第二環形板的內周面延伸至第二環形板的外周面；第一止擋板的第二端和第二止擋板的第二端之間形成有傳片口，傳片口與工藝區連通，傳片口用于供硅晶片通過；且缺口設置在第二環形板對應于弧形板的區域。
12、在本技術的第一方面的一種實現方式中，第一環形板與第一環形內襯固定連接構成一體結構，第二環形板、第二環形內襯以及第三環形板固定連接構成一體結構。
13、在本技術的第一方面的一種實現方式中，擋板結構與內襯結構的側壁間隙配合，擋板結構與內襯結構的側壁之間的間隙沿內襯結構的徑向的尺寸大于或等于0.1mm、且小于或等于0.2mm。
14、第二方面，本技術提供一種工藝腔室，包括：腔體以及設置于腔體內的基座和本技術的第一方面提供的任一種抽氣組件，腔體的腔壁上設有抽氣口，抽氣口用于與抽氣泵連接；內襯結構環繞設置在腔壁與基座之間并與腔壁圍成抽氣通道，抽氣通道與抽氣口連通；基座可升降，基座可由多個第二抽氣孔下方上升至工藝位。
15、本技術具有以下有益效果：
16、本技術提供的抽氣組件，通過設計內襯結構和擋板結構，內襯結構上設有多個第一抽氣孔和多個第二抽氣孔。基座位于工藝位時，第一抽氣孔位于承載面的上方，第二抽氣孔位于承載面下方。并且，擋板結構可選擇的遮擋多個第一抽氣孔或多個第二抽氣孔。刻蝕工藝后，擋板結構可遮擋住多個第二抽氣孔，使得氣態副產物由第一抽氣孔流入抽氣通道中，之后從抽氣口排出至腔體外。
17、這樣，極大地降低了氣態副產物排出至腔體外的過程中與基座接觸的可能性，以利于避免氣態副產物遇冷而在基座上形成固態副產物，從而確保腔體內具有良好的潔凈度，保證產品良率。
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1.一種抽氣組件，所述抽氣組件應用于工藝腔室，所述工藝腔室包括腔體和位于所述腔體內的基座；其特征在于，所述抽氣組件包括呈環形的內襯結構和環形的擋板結構；
2.根據權利要求1所述的抽氣組件，其特征在于，所述擋板結構包括第一阻擋環、第二阻擋環和連接桿，所述第一阻擋環位于所述第二阻擋環的上方，所述連接桿與所述第一阻擋環以及所述第二阻擋環均固定連接；
3.根據權利要求2所述的抽氣組件，其特征在于，所述內襯結構的側壁上設有至少一圈所述第一抽氣孔和至少一圈所述第二抽氣孔，每圈中各個所述第一抽氣孔沿所述內襯結構的周向間隔設置，每圈中各個所述第二抽氣孔沿所述內襯結構的周向間隔設置。
4.根據權利要求3所述的抽氣組件，其特征在于，所述第一抽氣孔設有一圈，所述第一抽氣孔為圓孔且其直徑大于等于3mm、且小于等于4mm，所述第一阻擋環沿豎直方向的高度大于或等于5mm；和/或，
5.根據權利要求1所述的抽氣組件，其特征在于，所述內襯結構包括同軸設置的第一環形板、第一環形內襯和第二環形板，所述第一環形板、所述第一環形內襯和所述第二環形板自上而下依次層疊設置；<...
【技術特征摘要】
1.一種抽氣組件，所述抽氣組件應用于工藝腔室，所述工藝腔室包括腔體和位于所述腔體內的基座；其特征在于，所述抽氣組件包括呈環形的內襯結構和環形的擋板結構；
2.根據權利要求1所述的抽氣組件，其特征在于，所述擋板結構包括第一阻擋環、第二阻擋環和連接桿，所述第一阻擋環位于所述第二阻擋環的上方，所述連接桿與所述第一阻擋環以及所述第二阻擋環均固定連接；
3.根據權利要求2所述的抽氣組件，其特征在于，所述內襯結構的側壁上設有至少一圈所述第一抽氣孔和至少一圈所述第二抽氣孔，每圈中各個所述第一抽氣孔沿所述內襯結構的周向間隔設置，每圈中各個所述第二抽氣孔沿所述內襯結構的周向間隔設置。
4.根據權利要求3所述的抽氣組件，其特征在于，所述第一抽氣孔設有一圈，所述第一抽氣孔為圓孔且其直徑大于等于3mm、且小于等于4mm，所述第一阻擋環沿豎直方向的高度大于或等于5mm；和/或，
5.根據權利要求1所述的抽氣組件，其特征在于，所述內襯結構包括同軸設置的第一環形板、第一環形內襯和第二環形板，所述第一環形板、所述第一環形內襯和所述第二環形板自上而下依次層疊設置；
6.根據權利要求5所述的抽氣組件，其特征在于，所述內襯結構還包括與所述第一環形內襯同軸設置的第三環...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李柏儀，朱磊，
申請(專利權)人：北京北方華創微電子裝備有限公司，
類型：新型
國別省市：
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