【技術實現步驟摘要】
本公開涉及集成電路設計，特別是涉及一種集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構。
技術介紹
1、功率器件主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）。功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、pc、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業pc、各類儀器儀表和各類控制設備等。隨著集成電路設計和檢測技術的不斷發展，對功率器件的電流采樣愈發重要。
2、目前對功率器件主要應用于逆變電路中，對功率器件的采樣需要在主電路中設計采樣電阻，并使采樣電阻與逆變電路中的功率器件的下管發射極連接以對功率器件的電流進行采樣，但是，在主電路中設計采樣電阻，并使采樣電阻與逆變電路中的功率器件的下管發射極連接以對功率器件的電流進行采樣的這種電流采集方式，不僅結構設計復雜，且制造成本高。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構，至少能夠降低產品主電路設計的復雜程度、能夠增強系統集成度并降低制造成本。
2、為了實現上述目的及其他目的，本公開提供了一種集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構，包括：至少一個功率器件，所述至少一個功率器件用于形成至少一個單橋臂電路或至少一個單管電路；采樣電阻，所述采樣電阻形成于至少一個單橋臂電路的第一目標位置或至少一個單管電路的第二目標位置，并引出至
3、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，通過對功率器件拓撲結構的設計，使采樣電阻的位置設計更靈活，僅需要采樣電阻形成于第一目標位置或第二目標位置處，不再需要將采樣電阻的位置限制在單橋臂電路或單管電路的功率器件的發射極與負極中間，因此，本公開實施例有效地降低了產品主電路設計的復雜程度、能夠增強系統集成度并降低制造成本。
4、在其中一個實施例中，所述采樣電阻為獨立電阻，所述至少一個功率器件和所述獨立電阻通過注塑工藝集成于集成電路器件中。
5、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，通過注塑工藝使功率器件和獨立電阻集成于集成電路器件中，進一步增強了系統的集成度。
6、在其中一個實施例中，所述采樣電阻為薄膜電阻，所述薄膜電阻形成于所述至少一個功率器件的發射極上。
7、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，使薄膜電阻形成于所述至少一個功率器件的發射極上，通過預先將薄膜電阻形成于發射極上的方法進一步降低了將采樣電阻集成于器件中的復雜度。
8、在其中一個實施例中，所述集成電路器件包括至少一個功率器件、獨立電阻；其中，所述至少一個功率器件與所述獨立電阻連接，所述至少一個功率器件形成單橋臂電路或單管電路，所述獨立電阻與所述單橋臂電路或單管電路連接，并在所述集成電路器件上形成發射極連接點、柵極連接點、集電極連接點和采樣點。
9、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，通過設置獨立電阻的位置給出了多種對功率器件的采樣方法，具體提出了功率器件的拓撲結構。
10、在其中一個實施例中，所述集成電路器件包括第一功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件包括發射極、柵極和集電極；當所述第一功率器件的發射極的與所述獨立電阻的一端連接時，獨立電阻的一端為采樣點；當第一功率器件的集電極與所述獨立電阻的一端連接時，獨立電阻的一端為采樣點。
11、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，給出了單管結構的功率器件的采樣方法，具體提出了單管功率器件的拓撲結構。
12、在其中一個實施例中，所述集成電路器件包括第一功率器件、第二功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件的發射極與所述第二功率器件的集電極連接，形成單橋臂電路，所述獨立電阻形成于第一目標位置；其中，所述第一目標位置為單橋臂電路的所述第一功率器件和第二功率器件之間時，所述第一功率器件的發射極與所述獨立電阻的一端連接，所述獨立電阻的另一端與所述第二功率器件的集電極連接，在所述獨立電阻的兩端形成兩個采樣點。
13、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，給出了單橋臂結構的功率器件的采樣方法，具體提出了單橋臂功率器件的拓撲結構。
14、在其中一個實施例中，所述第一目標位置為單管電路的第一功率器件的發射極時，所述第一功率器件的發射極與所述獨立電阻的一端連接，所述獨立電阻的一端為采樣點。
15、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，給出了單橋臂結構的功率器件的采樣方法，具體提出了單橋臂功率器件的拓撲結構。
16、在其中一個實施例中，所述第一目標位置為單橋臂電路的第二功率器件的發射極時，所述第二功率器件的發射極與所述獨立電阻的一端連接，所述獨立電阻的一端為采樣點。
17、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，給出了單橋臂結構的功率器件的采樣方法，具體提出了單橋臂功率器件的拓撲結構。
18、在其中一個實施例中，所述薄膜電阻形成于至少一個單管電路的發射極上；其中，所述薄膜電阻形成于至少一個單管電路的發射極上時，于所述薄膜電阻與發射極之間引出的采樣引腳為所述采樣點。
19、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，采用薄膜電阻作為采樣電阻，給出了薄膜電阻應用于單管電路中進行采樣的方法，具體提出了采用薄膜電阻對單管電路的功率器件進行采樣的拓撲結構。
20、在其中一個實施例中，每個單橋臂電路包括第一功率器件和第二功率器件，所述薄膜電阻形成于第一功率器件的發射極上或第二功率器件的發射極上；其中，所述薄膜電阻形成于第一功率器件的發射極上時，所述薄膜電阻與所述第二功率器件的集電極連接，且于所述薄膜電阻的頂面和底面引出的兩個采樣引腳為兩個采樣點；其中，所述薄膜電阻形成于第二功率器件的發射極上時，于所述薄膜電阻與所述發射極之間引出的采樣引腳為所述采樣點。
21、上述實施例中的集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構中，采用薄膜電阻作為采樣電阻，給出了薄膜電阻應用于單橋臂電路中進行采樣的方法，具體提出了采用薄膜電阻對單橋臂電路的功率器件進行采樣的拓撲結構。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1功率器件拓撲結構，其特征在于，所述采樣電阻為獨立電阻，所述至少一個功率器件和所述獨立電阻通過注塑工藝集成于集成電路器件中。
3.根據權利要求1功率器件拓撲結構，其特征在于，所述采樣電阻為薄膜電阻，所述薄膜電阻形成于所述至少一個功率器件的發射極上。
4.根據權利要求2功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括至少一個功率器件、獨立電阻；
5.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括第一功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件包括發射極、柵極和集電極；
6.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括第一功率器件、第二功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件的發射極與所述第二功率器件的集電極連接，形成單橋臂電路，所述獨立電阻形成于第一目標位置；
7.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述第一目標位置為單管電路的第一功率器件的發射極時，所述第一功率器件的發射極與所述獨立電阻的一端連
8.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述第一目標位置為單橋臂電路的第二功率器件的發射極時，所述第二功率器件的發射極與所述獨立電阻的一端連接，所述獨立電阻的一端為采樣點。
9.根據權利要求3功率器件拓撲結構，其特征在于，所述薄膜電阻形成于至少一個單管電路的發射極上；
10.根據權利要求3功率器件拓撲結構，其特征在于，每個單橋臂電路包括第一功率器件和第二功率器件，所述薄膜電阻形成于第一功率器件的發射極上或第二功率器件的發射極上；
...【技術特征摘要】
1.一種集成電流采樣電阻的功率器件拓撲結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1功率器件拓撲結構，其特征在于，所述采樣電阻為獨立電阻，所述至少一個功率器件和所述獨立電阻通過注塑工藝集成于集成電路器件中。
3.根據權利要求1功率器件拓撲結構，其特征在于，所述采樣電阻為薄膜電阻，所述薄膜電阻形成于所述至少一個功率器件的發射極上。
4.根據權利要求2功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括至少一個功率器件、獨立電阻；
5.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括第一功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件包括發射極、柵極和集電極；
6.根據權利要求4功率器件拓撲結構，其特征在于，所述集成電路器件包括第一功率器件、第二功率器件和獨立電阻，所述第一功率器件的發射...
【專利技術屬性】
技術研發人員：叢培城，楊宏宇，
申請(專利權)人：蘇州華太電子技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。