【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及半導體晶片的評價方法以及半導體晶片的制造方法。
技術介紹
1、作為半導體晶片的缺陷的評價方法，廣泛使用基于由表面缺陷檢查裝置檢測出的亮點（lpd：light?point?defect，光點缺陷）的方法（例如參照專利文獻1～3（它們的全部記載作為特別公開在此加以引用））。根據該方法，使光入射到評價對象的半導體晶片表面，檢測來自該表面的放射光（散射光或反射光），由此能夠評價半導體晶片表面的缺陷的有無和尺寸。
2、專利文獻1：日本特開2016-212009號公報
3、專利文獻2：日本特開2019-47108號公報
4、專利文獻3：日本特開2020-106399號公報
5、在半導體晶片的表面可能存在起因于在制造工序中實施的加工處理而產生的加工起因缺陷。在這些加工起因缺陷中，也可能包含低于表面缺陷檢查裝置的檢測極限尺寸的微小加工起因缺陷。例如在專利文獻1～3中記載的以往的評價方法中，難以檢測這樣的微小加工起因缺陷。但是，如果能夠得到與上述微小加工起因缺陷相關的信息，則例如基于該信息，以抑制微小加工起因缺陷的產生的方式變更半導體晶片的制造條件，由此能夠制造微小加工起因缺陷少的高品質的半導體晶片。
技術實現思路
1、本專利技術的一個方式的目的在于提供一種新的評價方法，該新的評價方法能夠評價起因于在制造工序中實施的加工處理而在半導體晶片表面產生的微小加工起因缺陷。
2、本專利技術的一個方式如下所述。
3、[1]一
4、包括對半導體晶片的表面實施多次表面處理，
5、上述表面處理包括向上述半導體晶片的表面供給氫氟酸，并且向供給該氫氟酸之后的上述半導體晶片的表面供給臭氧水，或者
6、包括向上述半導體晶片的表面供給臭氧水，并且向供給該臭氧水之后的上述半導體晶片的表面供給氫氟酸，
7、還包括在進行上述表面處理之前、各次表面處理之后以及上述多次表面處理結束之后，進行通過表面缺陷檢查裝置檢查上述半導體晶片的表面的表面檢查，
8、將在進行上述表面處理之前的表面檢查中未檢測出lpd的坐標點處在第n次表面處理后的表面檢查中初次檢測出的lpd分類為加工起因缺陷，
9、將上述表面處理的總次數設為n次，上述n為1以上且（n-1）以下的整數，
10、在檢測出上述加工起因缺陷的坐標點處，通過回歸分析計算實施上述表面處理之前的半導體晶片的表面上存在的上述加工起因缺陷的設想尺寸，上述回歸分析將在上述多次表面處理結束后的表面檢查中檢測出的lpd的檢測尺寸設為目標變量，將上述初次檢測后實施的表面處理的合計次數（n-n）設為說明變量。
11、[2]根據[1]所述的半導體晶片的評價方法，其中，上述表面處理包括向上述半導體晶片的表面供給臭氧水，向供給該臭氧水之后的上述半導體晶片的表面供給氫氟酸，并且向供給該氫氟酸之后的上述半導體晶片的表面供給臭氧水。
12、[3]根據[1]或[2]所述的半導體晶片的評價方法，其中，將上述目標變量設為y，將上述說明變量設為x，通過下述回歸式：
13、y=ax+b
14、進行上述回歸分析，
15、在上述回歸式中，a是通過上述回歸分析求出的斜率，b是通過上述回歸分析求出的截距，
16、在檢測出上述加工起因缺陷的坐標點處，求出實施上述表面處理之前的半導體晶片的表面上存在的上述加工起因缺陷的設想尺寸作為上述b。
17、[4]根據[1]～[3]中任一項所述的半導體晶片的評價方法，其中，上述臭氧水是質量基準的臭氧濃度為20ppm以上且30ppm以下的臭氧水。
18、[5]上根據[1]～[4]中任一項所述的半導體晶片的評價方法，其中，上述氫氟酸是氟化氫濃度為0.1質量%以上且1.0質量%以下的氫氟酸。
19、[6]根據[1]～[5]中任一項所述的半導體晶片的評價方法，其中，上述氫氟酸的供給時間為20秒以下。
20、[7]一種半導體晶片的制造方法，包括：
21、在評價對象的制造條件下制造半導體晶片；
22、通過[1]～[6]中任一項所述的半導體晶片的評價方法來評價上述制造的半導體晶片；
23、基于上述評價的結果，將對上述評價對象的制造條件施加了變更的制造條件確定為之后的制造條件，或者將上述評價對象的制造條件確定為繼續采用的制造條件；以及
24、在上述確定的制造條件下制造半導體晶片。
25、[8]根據[7]所述的半導體晶片的制造方法，其中，施加上述變更的制造條件是半導體晶片表面的研磨處理條件。
26、根據本專利技術的一個方式，能夠評價起因于在制造工序中實施的加工處理而在半導體晶片表面產生的微小加工起因缺陷。
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1.一種半導體晶片的評價方法，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，所述臭氧水是質量基準的臭氧濃度為20ppm以上且30ppm以下的臭氧水。
5.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，所述氫氟酸是氟化氫濃度為0.1質量%以上且1.0質量%以下的氫氟酸。
6.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，所述氫氟酸的供給時間為20秒以下。
7.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，
8.一種半導體晶片的制造方法，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，施加所述變更的制造條件是半導體晶片表面的研磨處理條件。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種半導體晶片的評價方法，其特征在于，
2.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，所述臭氧水是質量基準的臭氧濃度為20ppm以上且30ppm以下的臭氧水。
5.根據權利要求1所述的半導體晶片的評價方法，其特征在于，所述氫氟酸是氟化...
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