【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及用于將半導體制造工序中使用的藥液滴下到載置于自旋處理裝置的晶片上進行藥液處理的所述自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止機構及滴液防止方法以及使用了所述滴液防止機構的自旋處理裝置。
技術介紹
1、在半導體制造工序中，與各個工序相應地進行各種半導體晶片表面的處理。作為這樣的晶片表面的處理，除了用于除去背面研磨后的損傷層的蝕刻處理以外，還可列舉出顯影液向晶片的涂覆、在對電路圖案進行了曝光的晶片表面涂覆有顯影液的晶片上燒結有半導體電路的顯影處理、晶片表面的清洗等。
2、作為用于進行這樣的各種晶片表面的處理的自旋處理裝置，已知有專利文獻1中所記載的裝置。
3、在這樣的自旋處理裝置中，為了在所載置的晶片上滴下藥液而存在滴下噴嘴。在專利文獻1中，將該滴下噴嘴稱為注入管。
4、在專利文獻1所示那樣的自旋處理裝置中，一邊利用藥液循環罐進行溫度調節，一邊在配管中循環的藥液在保持恒定的溫度的同時反復進行循環直至腔室(覆蓋自旋處理裝置中的晶片的表面處理區域的罩)附近，所述配管在所述腔室附近分支，利用氣動閥控制藥液的滴下的接通/斷開，并且從滴下噴嘴向晶片上滴下藥液。
5、然而，判明了若利用所述氣動閥使藥液的供給停止，則由于水錘現象而產生藥液從所述滴下噴嘴的前端滴液而飛濺的現象。
6、即使使用流程控制器(流量控制器)而停止藥液的供給，也同樣地判明了因水錘現象而發生藥液從所述滴下噴嘴的前端滴液而飛濺的現象。
7、即使從所述滴下噴嘴的前端飛散的藥液的量為1滴～幾滴的藥液，只要它們
8、另一方面，近來，半導體的高集成化和大口徑化不斷發展，12英寸以上的晶片為主流，越來越大口徑化。在12英寸以上的晶片的情況下，例如在滴下噴嘴的配管直徑為1/4英寸的情況下，藥液的流量需要1.5l/min。例如，在藥液為蝕刻液的情況下，需要以上的蝕刻速率。
9、這樣，需要在維持晶片的表面處理所需的藥液的流量的同時，在所述藥液的供給停止時以及停止后使所述藥液從所述滴下噴嘴的前端滴液而不飛濺，從而使所述晶片表面的工序處理不產生不良情況。
10、現有技術文獻
11、專利文獻
12、專利文獻1：日本特開2001-267278
13、專利文獻2：wo2017/204082
14、專利文獻3：日本特開2017-188549
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、本專利技術是鑒于上述以往技術的問題點而完成的，其目的在于提供一種在維持晶片的表面處理所需的藥液的流量的同時，防止在所述藥液的供給停止時及停止后所述藥液從所述滴下噴嘴的前端滴液的滴液防止機構以及滴液防止方法以及自旋處理裝置。
3、用于解決課題的方案
4、為了解決上述課題，本專利技術的滴液防止機構是用于將半導體制造工序中使用的藥液滴下到載置于自旋處理裝置的晶片上進行藥液處理的所述自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止機構，其中，所述滴液防止機構包括：滴下噴嘴，其由耐藥品性樹脂構成，且具有由直筒部和與所述直筒部的下部連接的滴下開口部構成的直筒噴嘴體；藥液供給裝置，其在所述晶片的藥液處理時，以藥液處理時供給量向所述滴下噴嘴供給所述藥液，在所述晶片的藥液處理結束時，以藥液結束時供給量供給所述藥液；以及藥液供給停止裝置，其停止以所述藥液結束時供給量供給的藥液的供給，所述直筒噴嘴體以與所述晶片正交的方式設置，所述藥液處理時供給量比所述藥液結束時供給量大4倍以上。
5、優選的是，所述直筒部具有相對于所述滴下開口部的直徑為2倍以上的長度。
6、優選的是，所述直筒噴嘴體是所述滴下開口部與所述直筒部共面地連接而成的直筒噴嘴體，所述直筒噴嘴體的內徑為1/4英寸以下。
7、優選的是，所述晶片為直徑12英寸以上的晶片。
8、優選的是，所述滴下噴嘴為多個，從各個滴下噴嘴向所述晶片上滴下不同的藥液來進行藥液處理。
9、優選的是，所述藥液為蝕刻液，所述藥液處理時供給量是使所述晶片的蝕刻速率成為以上的供給量。
10、優選的是，具有用于吸引在所述藥液供給停止后殘留于所述直筒部的所述藥液的自重回吸機構，所述自重回吸機構包括液回收噴嘴體，所述液回收噴嘴體具有：配管，其由耐藥品性樹脂構成，且與在所述直筒噴嘴體的上部形成的彎曲部連接；以及液回收開口部，其與所述配管連接，所述液回收噴嘴體通過所述液回收開口部配置在比所述滴下開口部低的位置而形成。
11、優選的是，還具有藥液再生機構，所述藥液再生機構通過在所述液回收噴嘴體設置開閉閥而形成，所述藥液再生機構通過打開所述開閉閥，將滯留在所述彎曲部及所述配管中的所述藥液排出。
12、本專利技術的滴液防止方法是使用了所述滴液防止機構的自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止方法，其中，所述滴液防止方法包括：在所述晶片的藥液處理時，以藥液處理時供給量向所述滴下噴嘴供給所述藥液的工序；在所述晶片的藥液處理結束時，以藥液結束時供給量供給所述藥液的工序；以及停止以所述藥液結束時供給量供給的藥液的供給的工序，所述藥液處理時供給量比所述藥液結束時供給量大4倍以上。
13、優選的是，所述藥液為蝕刻液，所述藥液處理時供給量是使所述晶片的蝕刻速率成為以上的供給量。
14、另外，本專利技術的滴液防止方法是使用了所述滴液防止機構的自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止方法，其中，所述滴液防止方法包括：在所述晶片的藥液處理時，以藥液處理時供給量向所述滴下噴嘴供給所述藥液的工序；在所述晶片的藥液處理結束時，以藥液結束時供給量供給所述藥液的工序；停止以所述藥液結束時供給量供給的藥液的供給的工序；以及在所述停止工序之后，吸引在所述藥液供給停止后殘留于所述直筒部的所述藥液的回吸工序，所述藥液處理時供給量比所述藥液結束時供給量大4倍以上。
15、本專利技術的自旋處理裝置是組裝有所述滴液防止機構的自旋處理裝置，所述自旋處理裝置通過在所載置的晶片上滴下藥液進行藥液處理。
16、優選的是，所述晶片是直徑12英寸以上的晶片。
17、專利技術效果
18、根據本專利技術，發揮如下顯著效果：能夠提供維持晶片的表面處理所需的藥液的流量的同時，防止在所述藥液的供給停止時及停止后所述藥液從所述滴下噴嘴的前端滴液的滴液防止機構及滴液防止方法以及自旋處理裝置。
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1.一種滴液防止機構，其是用于將半導體制造工序中使用的藥液滴下到載置于自旋處理裝置的晶片上而進行藥液處理的所述自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止機構，其中，
2.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
3.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
4.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
5.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
6.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
7.根據權利要求1所述的滴液防止機構，其中，
8.根據權利要求7所述的滴液防止機構，其中，
9.一種滴液防止方法，其是使用了權利要求1～8中任一項所述的滴液防止機構的自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止方法，其中，
10.根據權利要求9所述的滴液防止方法，其中，
11.一種滴液防止方法，其是使用了權利要求7或8所述的滴液防止機構的自旋處理裝置的滴下噴嘴的滴液防止方法，其中，
12.一種自旋處理裝置，其是組裝有權利要求1～8中任一項所述的滴液防止機構的自旋處理裝置，
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