【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別涉及一種可調式光刻工藝參數反饋方法及系統。
技術介紹
1、在半導體器件的光刻工藝流程中，前后兩層結構的關鍵尺寸(cd)有強關聯性，會影響到產品的良率與性能。如圖1和圖2所示，曝光后第一膜層光柵間距尺寸決定了后續工藝化合物側墻位置，相對地，在后續第二膜層曝光后光刻膠邊界需落在側墻正方上如圖3所示，若第二膜層關鍵尺寸過大會造成刻蝕后硅殘留，如圖4和圖5所示，過小則會造成鋁表面損傷，產生缺陷，如圖6和圖7所示。
2、其中，現有的光刻系統一般僅能根據當前膜層的關鍵尺寸的下貨值去反饋當層能量，且不同膜層之間參數反饋獨立。在第一膜層的關鍵尺寸下貨值變化的情況下，側墻位置移動，若第二膜層仍以會以原先預設的關鍵尺寸曝光，導致上述產品良率與缺陷的產生。
3、需要說明的是，公開于該專利技術
技術介紹
部分的信息僅僅旨在加深對本專利技術一般
技術介紹
的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種可調式光刻工藝參數反饋方法及系統，以解決硅殘留和鋁損傷的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供一種可調式光刻工藝參數反饋方法，包括以下步驟：
3、對晶圓依生產批次進行標記，并記錄當前批次晶圓在第一膜層的工藝參數以及關鍵尺寸，所述工藝參數包括下貨值；
4、獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差，并調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數
5、優選地，獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差包括：將所述當前批次的下貨值和關鍵尺寸相減，計算所述偏差。
6、優選地，調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數包括：將所述第二膜層的關鍵尺寸加上所述偏差，獲得所述第二膜層調整后的關鍵尺寸，并通過曝光參數和關鍵尺寸之間的關系，獲得所述第二膜層調整后的曝光參數，還將所述曝光參數反饋至曝光機器。
7、優選地，還基于所述偏差調整下一批次晶圓的第一膜層所需的工藝參數。
8、優選地，所述工藝參數還包括當前批次晶圓在第一膜層的曝光能量和焦距。
9、基于相同的技術構思，本公開還提供了一種可調式光刻工藝參數反饋系統，包括：
10、標記模塊，用于對晶圓依生產批次進行標記；
11、記錄模塊，用于記錄當前批次晶圓在第一膜層的工藝參數以及關鍵尺寸，所述工藝參數包括下貨值；
12、計算模塊，用于獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差；
13、執行模塊，用于基于所述偏差調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數；
14、其中，所述第一膜層和所述第二膜層均為圖案化的光刻膠層且兩者所定義的區域至少存在部分的鄰接。
15、優選地，所述計算模塊獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差包括：將所述當前批次的下貨值和關鍵尺寸相減，計算所述偏差。
16、優選地，所述執行模塊調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數包括：將所述第二膜層的關鍵尺寸加上所述偏差，獲得所述第二膜層調整后的關鍵尺寸，并通過曝光參數和關鍵尺寸之間的關系，獲得所述第二膜層調整后的曝光參數，還將所述曝光參數反饋至曝光機器。
17、優選地，所述執行模塊還基于所述偏差調整下一批次晶圓的第一膜層所需的工藝參數。
18、優選地，所述工藝參數還包括當前批次晶圓在第一膜層的曝光能量和焦距。
19、在本專利技術提供的可調式光刻工藝參數反饋方法，獲取第一膜層的關鍵尺寸和下貨值之間的偏差對第二膜層的關鍵尺寸進行調整，減少第一膜層的邊緣對第二膜層圖案的影響，維持產品性能穩定。
20、本專利技術提供的可調式光刻工藝參數反饋系統與本專利技術提供的可調式光刻工藝參數反饋方法屬于同一專利技術構思，因此，本專利技術提供的可調式光刻工藝參數反饋系統至少具有本專利技術提供的可調式光刻工藝參數反饋方法的所有優點，在此不再贅述。
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1.一種可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差包括：將所述當前批次的下貨值和關鍵尺寸相減，計算所述偏差。
3.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數包括：將所述第二膜層的關鍵尺寸加上所述偏差，獲得所述第二膜層調整后的關鍵尺寸，并通過曝光參數和關鍵尺寸之間的關系，獲得所述第二膜層調整后的曝光參數，還將所述曝光參數反饋至曝光機器。
4.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，還基于所述偏差調整下一批次晶圓的第一膜層所需的工藝參數。
5.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，所述工藝參數還包括當前批次晶圓在第一膜層的曝光能量和焦距。
6.一種可調式光刻工藝參數反饋系統，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的可調式光刻工藝參數反饋系統，其特征在于，所述計算模塊獲取當前批次晶圓的下貨值和關
8.根據權利要求6所述的可調式光刻工藝參數反饋系統，其特征在于，所述執行模塊調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數包括：將所述第二膜層的關鍵尺寸加上所述偏差，獲得所述第二膜層調整后的關鍵尺寸，并通過曝光參數和關鍵尺寸之間的關系，獲得所述第二膜層調整后的曝光參數，還將所述曝光參數反饋至曝光機器。
9.根據權利要求6所述的可調式光刻工藝參數反饋系統，其特征在于，所述執行模塊還基于所述偏差調整下一批次晶圓的第一膜層所需的工藝參數。
10.根據權利要求6所述的可調式光刻工藝參數反饋系統，其特征在于，所述工藝參數還包括當前批次晶圓在第一膜層的曝光能量和焦距。
...【技術特征摘要】
1.一種可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，獲取當前批次晶圓的下貨值和關鍵尺寸之間的偏差包括：將所述當前批次的下貨值和關鍵尺寸相減，計算所述偏差。
3.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，調整第二膜層的關鍵尺寸以及對應曝光參數包括：將所述第二膜層的關鍵尺寸加上所述偏差，獲得所述第二膜層調整后的關鍵尺寸，并通過曝光參數和關鍵尺寸之間的關系，獲得所述第二膜層調整后的曝光參數，還將所述曝光參數反饋至曝光機器。
4.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，還基于所述偏差調整下一批次晶圓的第一膜層所需的工藝參數。
5.根據權利要求1所述的可調式光刻工藝參數反饋方法，其特征在于，所述工藝參數還包括當前批次晶圓在第一膜層的曝光能量和焦距。
6.一種...
【專利技術屬性】
技術研發人員：嚴亮，王保光，馬芳，
申請(專利權)人：上海華力集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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