【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種承載裝置。
技術(shù)介紹
1、在碳化硅外延工藝中，碳化硅外延片通常由承載裝置承載，并隨承載裝置一同被傳送至碳化硅外延腔室內(nèi)進(jìn)行碳化硅外延工藝。
2、如圖1所示，現(xiàn)有的一種碳化硅外延腔室包括承載裝置100、發(fā)熱腔體200和設(shè)置在發(fā)熱腔體200內(nèi)的旋轉(zhuǎn)基座300，在碳化硅外延工藝中，碳化硅外延片由承載裝置100承載，承載裝置100由旋轉(zhuǎn)基座300承載，旋轉(zhuǎn)基座300用于帶動(dòng)承載裝置100和碳化硅外延片旋轉(zhuǎn)，發(fā)熱腔體200用于對(duì)碳化硅外延片進(jìn)行加熱。如圖2所示，承載裝置100可以包括托盤(pán)101和環(huán)體102，托盤(pán)101用于承載碳化硅外延片，環(huán)體102與托盤(pán)101配合設(shè)置，且環(huán)體102的頂面相對(duì)于托盤(pán)101的用于承載碳化硅外延片的承載面凸出，環(huán)體102與托盤(pán)101形成供碳化硅外延片容納的凹槽，且環(huán)體102能夠環(huán)繞在承載于托盤(pán)101上的碳化硅外延片的周?chē)Ｌ蓟柰庋悠倪吘壨ǔ＞哂卸ㄎ黄竭叄诎雽?dǎo)體工藝中，借助定位平邊可以對(duì)碳化硅外延片的方位進(jìn)行確定。因此，環(huán)體102的內(nèi)側(cè)邊緣具有配合平邊1021，當(dāng)碳化硅外延片放置在環(huán)體102與托盤(pán)101形成的凹槽內(nèi)時(shí)，碳化硅外延片的定位平邊與環(huán)體102的配合平邊1021相對(duì)。
3、但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)需要進(jìn)行取片(即，從環(huán)體102與托盤(pán)101形成的凹槽內(nèi)取走碳化硅外延片)時(shí)，需要先將吸筆的尖端或者鑷子伸入至碳化硅外延片與環(huán)體102之間的間隙，從碳化硅外延片的邊緣將碳化硅外延片撬起，使碳化硅外延片與托盤(pán)101之間具有間隙，再將吸筆伸入至碳化硅外延片和
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種承載裝置，其能夠使得取片較為簡(jiǎn)便，從而能夠提高取片的效率，并能夠降低承載裝置和晶片損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
2、為實(shí)現(xiàn)本技術(shù)的目的而提供一種承載裝置，包括承載本體、限位環(huán)體和取片部件，其中，所述承載本體具有承載面，并設(shè)置有相對(duì)于所述承載面下凹的容納結(jié)構(gòu)，所述承載面具有承載區(qū)域和取片區(qū)域，所述承載區(qū)域用于承載晶片，所述取片區(qū)域位于所述承載區(qū)域外，所述容納結(jié)構(gòu)包括相互連通的第一容納槽和第二容納槽，所述第一容納槽位于所述承載區(qū)域，所述第二容納槽位于所述取片區(qū)域；
3、所述取片部件包括相互連接的第一取片部和第二取片部，所述第一取片部容納于所述第一容納槽內(nèi)，所述第二取片部與所述第二容納槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述限位環(huán)體與所述承載本體配合設(shè)置，且至少部分環(huán)繞在所述承載區(qū)域和所述取片區(qū)域的周?chē)?/p>
4、可選的，所述第二容納槽的槽底相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述第二取片部在自然狀態(tài)下與所述第二容納槽的槽底之間具有預(yù)設(shè)間隙，所述預(yù)設(shè)間隙用于在所述第二取片部受到向下的作用力時(shí)為所述第二取片部提供向下移動(dòng)的空間，以通過(guò)所述第二取片部的向下移動(dòng)帶動(dòng)所述第一取片部向上移動(dòng)撬起所述晶片。
5、可選的，所述取片部件還包括支撐部，所述容納結(jié)構(gòu)還包括支撐容納槽，所述支撐容納槽與所述第一容納槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，并相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述支撐部設(shè)置在所述第一取片部的底部，并可轉(zhuǎn)動(dòng)的容納于所述支撐容納槽內(nèi)。
6、可選的，所述第二取片部的至少部分相對(duì)于所述承載面上凸。
7、可選的，所述第二取片部的相對(duì)于所述承載面上凸的部分的內(nèi)側(cè)邊緣具有配合平邊，所述配合平邊用于與所述晶片邊緣的定位平邊相對(duì)。
8、可選的，所述支撐部的寬度大于所述第一取片部的寬度。
9、可選的，所述第一容納槽的槽底靠近所述第二容納槽的部分呈斜面，且在自所述斜面靠近所述第二容納槽的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述第二容納槽的一側(cè)的方向上，所述斜面的高度相對(duì)于所述第二容納槽的槽底逐漸上升。
10、可選的，所述第一取片部的遠(yuǎn)離所述第二取片部的一端面呈弧面。
11、可選的，所述第二取片部的背離所述承載本體的一面具有第一涂層，所述第一涂層滿足能夠使半導(dǎo)體工藝的生長(zhǎng)物致密生長(zhǎng)；
12、和/或，除所述第二取片部的背離所述承載本體的一面之外，所述取片部件的其余部分的材質(zhì)與所述承載本體的材質(zhì)相同。
13、可選的，所述第一取片部的頂面低于所述承載面，或者，所述第一取片部的頂面與所述承載面平齊
14、本技術(shù)具有以下有益效果：
15、本技術(shù)提供的承載裝置，在需要進(jìn)行取片(即，將晶片從承載裝置上取走)時(shí)，可以先通過(guò)對(duì)位于晶片邊緣外側(cè)的第二取片部進(jìn)行控制，來(lái)帶動(dòng)位于晶片底面下方的第一取片部從晶片的底面下方使晶片抬升，使晶片的底面下方能夠具有足夠的空間供吸筆伸入，再將吸筆伸入至晶片的底面下方，通過(guò)吸筆吸緊晶片的底面進(jìn)行取片，本申請(qǐng)取片方式與現(xiàn)有技術(shù)的取片方式相比，本申請(qǐng)一方面是從晶片的底面下方使晶片抬升，而不是從晶片的邊緣撬起晶片，另一方面是由于晶片從底面下方被抬升，使得晶片的底面下方能夠具有足夠的空間的供吸筆伸入，從而能夠便于吸筆伸入至晶片的底面下方，再一方面是由于承載面具有供第二取片部對(duì)應(yīng)設(shè)置的取片區(qū)域，且取片區(qū)域位于用于承載晶片的承載區(qū)域外側(cè)，且限位環(huán)體環(huán)繞在承載區(qū)域和取片區(qū)域的周?chē)沟媚軌蚓哂凶銐虻目臻g對(duì)第二取片部進(jìn)行控制，從而能夠便于對(duì)取片部件進(jìn)行控制，繼而能夠使得取片較為簡(jiǎn)便，進(jìn)而能夠提高取片的效率，并能夠降低承載裝置和晶片損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
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1.一種承載裝置，其特征在于，包括承載本體、限位環(huán)體和取片部件，其中，所述承載本體具有承載面，并設(shè)置有相對(duì)于所述承載面下凹的容納結(jié)構(gòu)，所述承載面具有承載區(qū)域和取片區(qū)域，所述承載區(qū)域用于承載晶片，所述取片區(qū)域位于所述承載區(qū)域外，所述容納結(jié)構(gòu)包括相互連通的第一容納槽和第二容納槽，所述第一容納槽位于所述承載區(qū)域，所述第二容納槽位于所述取片區(qū)域；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述第二容納槽的槽底相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述第二取片部在自然狀態(tài)下與所述第二容納槽的槽底之間具有預(yù)設(shè)間隙，所述預(yù)設(shè)間隙用于在所述第二取片部受到向下的作用力時(shí)為所述第二取片部提供向下移動(dòng)的空間，以通過(guò)所述第二取片部的向下移動(dòng)帶動(dòng)所述第一取片部向上移動(dòng)撬起所述晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述取片部件還包括支撐部，所述容納結(jié)構(gòu)還包括支撐容納槽，所述支撐容納槽與所述第一容納槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，并相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述支撐部設(shè)置在所述第一取片部的底部，并可轉(zhuǎn)動(dòng)的容納于所述支撐容納槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的承載裝置，其特征在于，所述第二取片部的相對(duì)于所述承載面上凸的部分的內(nèi)側(cè)邊緣具有配合平邊，所述配合平邊用于與所述晶片邊緣的定位平邊相對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置，其特征在于，所述支撐部的寬度大于所述第一取片部的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述第一容納槽的槽底靠近所述第二容納槽的部分呈斜面，且在自所述斜面靠近所述第二容納槽的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述第二容納槽的一側(cè)的方向上，所述斜面的高度相對(duì)于所述第二容納槽的槽底逐漸上升。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述第一取片部的遠(yuǎn)離所述第二取片部的一端面呈弧面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述第二取片部的背離所述承載本體的一面具有第一涂層，所述第一涂層滿足能夠使半導(dǎo)體工藝的生長(zhǎng)物致密生長(zhǎng)；
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述第一取片部的頂面低于所述承載面，或者，所述第一取片部的頂面與所述承載面平齊。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種承載裝置，其特征在于，包括承載本體、限位環(huán)體和取片部件，其中，所述承載本體具有承載面，并設(shè)置有相對(duì)于所述承載面下凹的容納結(jié)構(gòu)，所述承載面具有承載區(qū)域和取片區(qū)域，所述承載區(qū)域用于承載晶片，所述取片區(qū)域位于所述承載區(qū)域外，所述容納結(jié)構(gòu)包括相互連通的第一容納槽和第二容納槽，所述第一容納槽位于所述承載區(qū)域，所述第二容納槽位于所述取片區(qū)域；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，其特征在于，所述第二容納槽的槽底相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述第二取片部在自然狀態(tài)下與所述第二容納槽的槽底之間具有預(yù)設(shè)間隙，所述預(yù)設(shè)間隙用于在所述第二取片部受到向下的作用力時(shí)為所述第二取片部提供向下移動(dòng)的空間，以通過(guò)所述第二取片部的向下移動(dòng)帶動(dòng)所述第一取片部向上移動(dòng)撬起所述晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置，其特征在于，所述取片部件還包括支撐部，所述容納結(jié)構(gòu)還包括支撐容納槽，所述支撐容納槽與所述第一容納槽對(duì)應(yīng)設(shè)置，并相對(duì)于所述第一容納槽的槽底下凹，所述支撐部設(shè)置在所述第一取片部的底部，并可轉(zhuǎn)動(dòng)的容納于所述支撐容納槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李慶巖，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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