【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝裝設(shè)備的，尤其是涉及一種雙工位共晶加熱機(jī)及共晶方法。
技術(shù)介紹
1、共晶加熱機(jī)是一種用于微電子封裝過(guò)程中的設(shè)備，它通過(guò)精確控制溫度曲線來(lái)熔化焊料，將基底與芯片鍵合在一起。這種設(shè)備在cob和coc制程中非常重要。
2、目前，現(xiàn)有的共晶加熱機(jī)主要包括第一芯片上料機(jī)構(gòu)、第二芯片上料機(jī)構(gòu)、基板上料機(jī)構(gòu)和共晶臺(tái)，基板上料機(jī)構(gòu)朝共晶臺(tái)輸送基板，第一芯片上料機(jī)構(gòu)朝共晶臺(tái)輸送第一芯片，第二芯片上料機(jī)構(gòu)朝共晶臺(tái)輸送第二芯片，當(dāng)共晶臺(tái)上存在基板、第一芯片和第二芯片后，共晶臺(tái)加熱，進(jìn)而使得基板、第一芯片和第二芯片加熱鍵合，進(jìn)而得到成品。
3、現(xiàn)有的共晶加熱機(jī)多采用單工位設(shè)置，即單晶臺(tái)上同一時(shí)間只能進(jìn)行一個(gè)成品的制備，這就使得共晶臺(tái)在完成一個(gè)成品的共晶操作后，需要等待共晶臺(tái)冷卻，并將成品取出，然后才能進(jìn)行下一個(gè)成品的加工。這就會(huì)造成不必要的時(shí)間浪費(fèi)，進(jìn)而導(dǎo)致共晶加熱機(jī)的生產(chǎn)效率降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N雙工位共晶加熱機(jī)及共晶方法，其目的是降低成品生產(chǎn)過(guò)程之中不必要的時(shí)間浪費(fèi)，進(jìn)而提高共晶加熱機(jī)的生產(chǎn)效率。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N雙工位共晶加熱機(jī)采用如下的技術(shù)方案：
3、一種雙工位共晶加熱機(jī)，包括工作臺(tái)；共晶臺(tái)，用于將基板、第一芯片和第二芯片加熱鍵合，所述共晶臺(tái)設(shè)置在所述工作臺(tái)上，所述共晶臺(tái)上間隔設(shè)置有第一工位和第二工位；第一芯片上料裝置，用于朝所述共晶臺(tái)輸送第一芯片，所述第一芯片上料裝置設(shè)置在所述工作臺(tái)上；第二芯片上
4、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，通過(guò)共晶臺(tái)、基板上下料裝置、第一芯片上料裝置和第二芯片上料裝置的配合，能夠在共晶臺(tái)上依次輸送基板、第一芯片和第二芯片，這就能夠?qū)崿F(xiàn)基板、第一芯片和第二芯片的堆疊，進(jìn)而通過(guò)共晶臺(tái)加熱，能夠?qū)⒒濉⒌谝恍酒c第二芯片加熱鍵合，得到成品，并且最終能夠通過(guò)基板上下料裝置實(shí)現(xiàn)共晶臺(tái)上成品的下料，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)共晶加熱機(jī)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)生產(chǎn)。
5、由于共晶臺(tái)上設(shè)置有第一工位和第二工位，在第一工位進(jìn)行共晶作業(yè)時(shí)，第二工位能夠進(jìn)行基板、第一芯片和第二芯片的上料，在第二工位進(jìn)行共晶作業(yè)時(shí)，第一工位能夠進(jìn)行基板、第一芯片和第二芯片的上料。通過(guò)雙工位的設(shè)置，能夠?qū)崿F(xiàn)共晶操作的連續(xù)性，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率。
6、因此，通過(guò)共晶臺(tái)雙工位的設(shè)置，能夠降低成品生產(chǎn)過(guò)程之中不必要的時(shí)間浪費(fèi)，進(jìn)而提高共晶加熱機(jī)的生產(chǎn)效率。
7、可選的，所述基板上下料裝置包括供收料機(jī)構(gòu)，所述供收料機(jī)構(gòu)用于提供基板并儲(chǔ)存成品，所述供收料機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述工作臺(tái)上；所述基板上下料裝置還包括取料機(jī)械手和機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述取料機(jī)械手用于吸取基板和成品，所述機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述工作臺(tái)上，并且所述取料機(jī)械手設(shè)置在所述機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，所述機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述取料機(jī)械手在所述共晶臺(tái)和所述供收料機(jī)構(gòu)之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)以及在所述第一工位和所述第二工位之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
8、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，基板上下料裝置通過(guò)供收料機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)基板供給和成品回收，而取料機(jī)械手和機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的配合設(shè)置，能夠在供收料機(jī)構(gòu)和共晶臺(tái)之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，這就能夠?qū)崿F(xiàn)供收料機(jī)構(gòu)和共晶臺(tái)之間的基板輸送和成品輸送，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基板上下料裝置的功能。
9、可選的，所述取料機(jī)械手上設(shè)置有兩個(gè)吸嘴，兩個(gè)所述吸嘴均用于吸取基板或成品；所述機(jī)械手驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括兩個(gè)z軸驅(qū)動(dòng)件，所述z軸驅(qū)動(dòng)件與所述吸嘴一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述z軸驅(qū)動(dòng)件設(shè)置在所述取料機(jī)械手上，所述吸嘴設(shè)置在對(duì)應(yīng)的所述z軸驅(qū)動(dòng)件上，并且所述z軸驅(qū)動(dòng)件用于驅(qū)動(dòng)所述吸嘴沿豎直方向運(yùn)動(dòng)。
10、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，由于取料機(jī)械手上設(shè)置有兩個(gè)吸嘴，每個(gè)吸嘴均能夠在對(duì)應(yīng)的z軸驅(qū)動(dòng)件的驅(qū)動(dòng)下獨(dú)立工作，所以每個(gè)吸嘴均能夠獨(dú)立吸取基板和成品。取料機(jī)械手上兩個(gè)吸嘴的設(shè)置，使得一個(gè)吸嘴能夠進(jìn)行基板的上料，另一個(gè)吸嘴能夠?qū)崿F(xiàn)共晶成品的下料，所以取料機(jī)械手上雙吸嘴的設(shè)置能夠有效增加共晶臺(tái)上下料的速度。進(jìn)而雙吸嘴和雙工位的配合設(shè)置，能夠有效提高共晶加熱機(jī)的共晶操作的連續(xù)性，提高共晶加熱機(jī)的生產(chǎn)效率。
11、可選的，所述供收料機(jī)構(gòu)包括機(jī)架，所述機(jī)架設(shè)置在所述工作臺(tái)上，并且所述機(jī)架與所述共晶臺(tái)間隔設(shè)置；所述機(jī)架沿自身長(zhǎng)度方向依次設(shè)置有上料工位、工作工位和下料工位，所述機(jī)架上設(shè)置有用于儲(chǔ)存料盤的基板料倉(cāng)和成品料倉(cāng)，所述基板料倉(cāng)和成品料倉(cāng)均設(shè)置在所述機(jī)架上，并且所述基板料倉(cāng)位于上料工位，所述取料機(jī)械手位于所述工作工位，所述成品料倉(cāng)位于所述下料工位；所述機(jī)架上設(shè)置有用于輸送料盤的輸送件，所述輸送件的輸送方向沿所述機(jī)架的長(zhǎng)度方向設(shè)置；所述基板料倉(cāng)上設(shè)置有用于將所述基板料倉(cāng)內(nèi)的料盤移動(dòng)至所述輸送件上的取盤組件；所述成品料倉(cāng)上設(shè)置有用于將所述輸送件上的料盤移動(dòng)至所述成品料倉(cāng)內(nèi)的放盤組件。
12、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，供收料機(jī)構(gòu)通過(guò)機(jī)架上基板料倉(cāng)、成品料倉(cāng)和輸送件的設(shè)置，使得裝滿基板的料盤能夠從上料工位移動(dòng)至工作工位，進(jìn)而取料機(jī)械手能夠?qū)⒘媳P內(nèi)的基板取走，還能夠?qū)⒐簿_(tái)的成品輸送至料盤內(nèi)，進(jìn)而在料盤裝滿成品后能夠輸送至下料工位，進(jìn)而將裝滿成品的料盤儲(chǔ)存至成品料倉(cāng)之中。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置就能夠?qū)崿F(xiàn)基板的上料和成品的下料。
13、可選的，所述共晶臺(tái)上還設(shè)置有第三工位，所述共晶臺(tái)上開(kāi)設(shè)有真空吸附孔，所述真空吸附孔位于所述第三工位，所述共晶臺(tái)上設(shè)置有抽氣件，所述抽氣件與所述真空吸附孔連通。
14、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，第三工位的設(shè)置，在第三工位處開(kāi)設(shè)有真空吸附孔和抽氣件，在真空吸附孔和抽氣件的配合下，送入第三工位的第一芯片能夠被真空吸附孔固定，進(jìn)而能夠在第一芯片上堆疊第二芯片，此時(shí)共晶臺(tái)加熱，能夠?qū)崿F(xiàn)第一芯片與第二芯片的加熱鍵合，這就能夠?qū)崿F(xiàn)coc封裝工藝，進(jìn)而使得本申請(qǐng)的共晶加熱機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)兩種封裝工藝，因此能夠拓寬本申請(qǐng)共晶加熱機(jī)的適用范圍。
15、可選的，所述共晶臺(tái)上設(shè)置有共晶視覺(jué)元件，所述共晶視覺(jué)元件沿豎直方向設(shè)置在所述共晶臺(tái)上側(cè)，并且所述共晶視覺(jué)元件與所述共晶臺(tái)沿豎直方向正對(duì)設(shè)置。
16、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，共晶視覺(jué)元件的設(shè)置，能夠?qū)簿_(tái)上成品的共晶情況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
17、可選的，所述工作臺(tái)上還設(shè)置有補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述共晶臺(tái)設(shè)置在所述補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述共晶臺(tái)上在所述工作臺(tái)上運(yùn)動(dòng)。
18、通過(guò)采用上述技術(shù)方案，補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的設(shè)置，能夠調(diào)節(jié)第一工位正對(duì)共晶視覺(jué)元件，或者調(diào)節(jié)第二工位正對(duì)共晶視覺(jué)元件，進(jìn)而在對(duì)應(yīng)的第一工位或第二工位進(jìn)行共晶時(shí)，共晶視覺(jué)元件能夠?qū)?zhǔn)對(duì)應(yīng)的工位。
19、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N共晶方法采用如下的技術(shù)方案：
20、一種共晶方法，利用上述一種雙工位共晶加熱機(jī)進(jìn)行共晶本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述基板上下料裝置（5）包括供收料機(jī)構(gòu)（53），所述供收料機(jī)構(gòu)（53）用于提供基板并儲(chǔ)存成品，所述供收料機(jī)構(gòu)（53）設(shè)置在所述工作臺(tái)（1）上；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述取料機(jī)械手（51）上設(shè)置有兩個(gè)吸嘴（511），兩個(gè)所述吸嘴（511）均用于吸取基板或成品；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述供收料機(jī)構(gòu)（53）包括機(jī)架（531），所述機(jī)架（531）設(shè)置在所述工作臺(tái)（1）上，并且所述機(jī)架（531）與所述共晶臺(tái)（2）間隔設(shè)置；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述共晶臺(tái)（2）上還設(shè)置有第三工位（23），所述共晶臺(tái)（2）上開(kāi)設(shè)有真空吸附孔（253），所述真空吸附孔（253）位于所述第三工位（23），所述共晶臺(tái)（2）上設(shè)置有抽氣件（254），所述抽氣件（254）與所述真空吸附孔（253）連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙工位共晶加熱
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述工作臺(tái)（1）上還設(shè)置有補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（29），所述共晶臺(tái)（2）設(shè)置在所述補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（29），所述補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)（29）用于驅(qū)動(dòng)所述共晶臺(tái)（2）上在所述工作臺(tái)（1）上運(yùn)動(dòng)。
8.一種共晶方法，利用上述權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)進(jìn)行共晶，其特征在于，包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種共晶方法，其特征在于，步驟S5中第一工位（21）依次進(jìn)行成品下料和基板、第一芯片和第二芯片上料包括以下步驟：
10.一種共晶方法，利用上述權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)進(jìn)行共晶，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述基板上下料裝置（5）包括供收料機(jī)構(gòu)（53），所述供收料機(jī)構(gòu)（53）用于提供基板并儲(chǔ)存成品，所述供收料機(jī)構(gòu)（53）設(shè)置在所述工作臺(tái)（1）上；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述取料機(jī)械手（51）上設(shè)置有兩個(gè)吸嘴（511），兩個(gè)所述吸嘴（511）均用于吸取基板或成品；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述供收料機(jī)構(gòu)（53）包括機(jī)架（531），所述機(jī)架（531）設(shè)置在所述工作臺(tái)（1）上，并且所述機(jī)架（531）與所述共晶臺(tái)（2）間隔設(shè)置；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙工位共晶加熱機(jī)，其特征在于，所述共晶臺(tái)（2）上還設(shè)置有第三工位（23），所述共晶臺(tái)（2）上開(kāi)設(shè)有真空吸附孔（253），所述真空吸附孔（253）位于所述第三工位（23），所述共晶臺(tái)（2）上設(shè)置有抽氣件（254），所述抽氣件（254）與所述真...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李金龍，李德榮，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：佑光智能半導(dǎo)體科技深圳有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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