【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體工藝，具體而言，涉及一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法。
技術介紹
1、超寬禁帶氧化物半導體材料結合了導電性和光學透明性，被廣泛用作光電器件應用的關鍵材料，其中比較典型的材料有氧化鎵，例如ga2o3。隨著超寬禁帶氧化鎵半導體材料的研究，出現了一種新型的p型超寬禁帶氧化物半導體材料八氧化五鎵鋰liga5o8（簡稱氧化鎵鋰），liga5o8作為一種穩定的p型超寬禁帶氧化物外延生長材料，目前研究人員通過霧化化學氣相沉積（mistcvd）工藝初步實現了liga5o8的外延生長。但是，由于霧化化學氣相沉積（mistcvd）工藝是將金屬前驅體霧化后用載氣輸送到反應室中，在襯底表面跟氧氣發生反應生成所需要的外延材料，這種工藝要求金屬前驅體一般需要溶解在酸性溶液中，容易導致反應室設備被酸腐蝕，同時金屬前驅體靠霧化后輸入反應室，也會導致金屬前驅體的用量不能精確控制，且霧化后的金屬前驅體容易在輸送到反應室的過程中冷凝液化，極大影響了liga5o8材料外延生長的質量。因而，亟需一種改進的liga5o8材料的外延生長方法來解決上述技術問題。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提出一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，以基于金屬有機化學氣相沉積（mocvd）生長得到高質量的p型氧化鎵鋰（liga5o8）外延膜。
2、本申請提出的一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，包括以下步驟：
3、在mocvd設備的反應室處于第一溫度區間的第一溫度和處于第一壓力區間的
4、將所述反應室的溫度調節至處于第二溫度區間的第二溫度和維持所述第一壓力，基于預定的摩爾流量比向所述反應室同時輸入鋰前驅體、鎵前驅體和氧前驅體進行化學氣相沉積，在所述襯底材料表面生長p型氧化鎵鋰（liga5o8）外延膜。
5、在一些實施方式中，所述襯底材料包括藍寶石、鎵酸鋰、硅、碳化硅、氧化鎵、氧化鋅、鉭酸鋰、鈮酸鋰中任一項。
6、在一些實施方式中，所述鋰前驅體包括2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮鋰、烷氧基鋰、烷基鋰、氨基鋰中任一項，所述鎵前驅體包括烷基鎵，烷氧基鎵中任一項，所述氧前驅體包括氧氣、臭氧、笑氣中任一項。
7、在一些實施方式中，所述第一溫度區間包括400-800℃，所述第二溫度區間包括800-1200℃。
8、在一些實施方式中，所述第二溫度區間包括800-1000℃。
9、在一些實施方式中，所述第一壓力區間包括20-100mbar。
10、在一些實施方式中，所述第一壓力區間包括20-50mbar。
11、在一些實施方式中，所述鋰前驅體與鎵前驅體的摩爾流量比位于1:5至3:5的區間。
12、在一些實施方式中，所述鋰前驅體、氧前驅體的摩爾流量比位于1:100至1:6000的區間，或者所述鎵前驅體、氧前驅體的摩爾流量比位于1:100至1:4000的區間。
13、在一些實施方式中，所述預定時長包括5-60分鐘。
14、本申請至少可以達到如下的有益效果：
15、本申請的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法通過mocvd設備，利用金屬有機化學氣相沉積工藝在預定的溫度區間和壓力參數條件下，基于預定的摩爾流量比向反應室同時輸入鋰前驅體、鎵前驅體和氧前驅體進行化學氣相沉積，在襯底材料表面生長氧化鎵鋰（liga5o8）外延膜。實驗表明，上述工藝參數條件下，可以在預定的襯底材料表面生長獲得質量穩定、具有良好電導特性的超寬禁帶p型氧化鎵鋰（liga5o8）外延膜。
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1.一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍寶石、鎵酸鋰、硅、碳化硅、氧化鎵、氧化鋅、鉭酸鋰、鈮酸鋰中任一項。
3.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述鋰前驅體包括2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮鋰、烷氧基鋰、烷基鋰、氨基鋰中任一項，所述鎵前驅體包括烷基鎵，烷氧基鎵中任一項，所述氧前驅體包括氧氣、臭氧、笑氣中任一項。
4.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述第一溫度區間包括400-800℃，所述第二溫度區間包括800-1200℃。
5.根據權利要求4所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述第二溫度區間包括800-1000℃。
6.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述第一壓力區間包括20-100mbar。
7.根據權利要求6所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的
8.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述鋰前驅體與鎵前驅體的摩爾流量比位于1:5至3:5的區間。
9.根據權利要求8所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所所述鋰前驅體、氧前驅體的摩爾流量比位于1:100至1:6000的區間，或者所述鎵前驅體、氧前驅體的摩爾流量比位于1:100至1:4000的區間。
10.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述預定時長包括5-60分鐘。
...【技術特征摘要】
1.一種超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍寶石、鎵酸鋰、硅、碳化硅、氧化鎵、氧化鋅、鉭酸鋰、鈮酸鋰中任一項。
3.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述鋰前驅體包括2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮鋰、烷氧基鋰、烷基鋰、氨基鋰中任一項，所述鎵前驅體包括烷基鎵，烷氧基鎵中任一項，所述氧前驅體包括氧氣、臭氧、笑氣中任一項。
4.根據權利要求1所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述第一溫度區間包括400-800℃，所述第二溫度區間包括800-1200℃。
5.根據權利要求4所述的超寬禁帶氧化鎵鋰外延膜的外延生長方法，其特征在于，所述第二溫度區間包括...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張義穎，李訓鵬，何奇，雍曉龍，
申請(專利權)人：蘇州鎵耀半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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