【技術實現步驟摘要】
本技術實施例涉及耦合電感的，尤其涉及一種耦合電感器件。
技術介紹
1、耦合電感有正耦合與反耦合之分，通常用于多相拓撲電路之中，以利用兩相之間磁耦合產生的電流紋波消除。通常，當使用典型的分立電感時，電流紋波消除僅在多相降壓轉換器的輸出端發生。當這些電感進行磁耦合時，電流紋波消除作用應用于電路的所有元件：金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal-oxide-semiconductor?field-effecttransistor，mosfet)、電感繞組、印刷電路板(printed?circuit?board，pcb)走線。因此，所有相位的切換會影響每個單相，因此電流紋波的幅度減小，頻率成倍增加。降低波形的檢波器可以提高功率轉換器的效率，或者換取更小的磁性元件，更快的瞬態，因此輸出電容更小。
2、目前，耦合電感器件一般是由兩塊磁芯與主繞組、副繞組組成的，然而這種耦合電感器件在主繞組和副繞組成型過程中容易造成短路，并且主繞組和副繞組之間的耦合系數還不容易調整。
技術實現思路
1、本技術實施例提供了一種耦合電感器件，能夠避免繞組之間的短路，同時可以調整兩個繞組的耦合系數，增加了儲能能力和抗飽和性能。
2、第一方面，本技術實施例提供了一種耦合電感器件，包括：絕緣磁芯，絕緣磁芯內設置有至少兩個凹槽，至少兩個凹槽沿第一方向間隔設置；
3、至少兩個繞組，繞組一一對應位于凹槽內；
4、絕緣磁芯還包括至少一個容納孔，容納孔在第二方向延伸，位于相鄰兩個凹槽
5、兩繞組之間的耦合系數與位于兩繞組之間的非磁性絕緣層在第三方向的厚度相關；
6、其中，第三方向與第二方向垂直，且與第一方向垂直。
7、可選的，絕緣磁芯耐高溫的溫度范圍大于或等于600℃，且小于或等于850℃；
8、和/或，非磁性絕緣層耐高溫的溫度范圍大于或等于600℃，且小于或等于850℃。
9、可選的，凹槽包括連通的第一子凹槽、第二子凹槽和第三子凹槽；
10、第一子凹槽從絕緣磁芯內延伸至絕緣磁芯的表面，第二子凹槽從絕緣磁芯內延伸至絕緣磁芯的表面，第三子凹槽位于絕緣磁芯內，且連接第一子凹槽和第二子凹槽；
11、繞組包括第一連接部、主體部和第二連接部，第一連接部位于第一子凹槽，第二連接部于第二子凹槽，主體部位于第三子凹槽；
12、第一連接部作為電流輸入端，第二連接部作為電流輸出端，或者，第一連接部作為電流輸出端，第二連接部作為電流輸入端。
13、可選的，非磁性絕緣層在第三方向上的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于主體部厚度的2倍。
14、可選的，在一個凹槽中，第一子凹槽和第二子凹槽從絕緣磁芯內延伸至絕緣磁芯的兩個相對設置的表面；
15、第一連接部和第二連接部位于絕緣磁芯的兩個相對設置的表面側。
16、可選的，在一個凹槽中，第一子凹槽和第二子凹槽從絕緣磁芯內延伸至絕緣磁芯同一表面；
17、第一連接部和第二連接部位于絕緣磁芯的同一表面側。
18、可選的，在第一方向相鄰設置的兩個繞組的電流方向相反。
19、可選的，相鄰兩個繞組的電流輸入端位于絕緣磁芯的第一表面，相鄰兩個繞組的電流輸出端位于絕緣磁芯的第二表面，第一表面和第二表面相對設置。
20、可選的，在第一方向相鄰設置的兩個繞組的電流方向相同。
21、可選的，相鄰兩個繞組的電流輸入端和電流輸出端均位于絕緣磁芯的相同表面側。
22、可選的，絕緣磁芯、繞組和非磁性絕緣層為一體成型的結構；非磁性絕緣件的材料為云母、陶瓷和氧化鋁中的至少一種。
23、在本技術實施例所提供的技術方案中，絕緣磁芯內設置有至少兩個凹槽，至少兩個凹槽沿第一方向間隔設置；至少兩個繞組一一對應位于凹槽內，絕緣磁芯還包括至少一個容納孔在第二方向延伸，位于相鄰兩個凹槽之間，且在第一方向相鄰設置的兩個凹槽通過一容納孔連接；非磁性絕緣層位于容納孔內，非磁性絕緣層，非磁性絕緣層位于容納孔內，兩繞組之間的耦合系數與位于兩繞組之間的非磁性絕緣層在第三方向的厚度相關。本技術實施例能夠通過相鄰兩個繞組之間的絕緣磁芯和非磁性絕緣層可以避免相鄰兩個繞組發生短路，并且兩繞組之間的耦合系數與位于兩繞組之間的非磁性絕緣層在第三方向的厚度相關，因此可以通過改變非磁性絕緣層的厚度來提高調整兩個繞組的耦合系數。并且在相鄰兩個繞組之間設置非磁性絕緣層增大了兩個繞組的互感，從而增強了儲能能力和抗飽和性能。
24、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本技術的范圍。本技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
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1.一種耦合電感器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的耦合電感器件，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的耦合電感器件，其特征在于，所述凹槽包括連通的第一子凹槽、第二子凹槽和第三子凹槽；
4.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，所述非磁性絕緣層在第三方向上的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于所述主體部厚度的2倍。
5.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，在一個所述凹槽中，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽從所述絕緣磁芯內延伸至所述絕緣磁芯的兩個相對設置的表面；
6.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，在一個所述凹槽中，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽從所述絕緣磁芯內延伸至所述絕緣磁芯同一表面；
7.根據權利要求5所述的耦合電感器件，其特征在于，在第一方向相鄰設置的兩個繞組的電流方向相反。
8.根據權利要求7所述的耦合電感器件，其特征在于，相鄰兩所述繞組的電流輸入端位于所述絕緣磁芯的第一表面，相鄰兩所述繞組的電流輸出端位于所述絕緣磁芯的第二表面，所述第一表面
9.根據權利要求6所述的耦合電感器件，其特征在于，在第一方向相鄰設置的兩個繞組的電流方向相同。
10.根據權利要求9所述的耦合電感器件，其特征在于，相鄰兩所述繞組的電流輸入端和電流輸出端均位于所述絕緣磁芯的相同表面側。
...【技術特征摘要】
1.一種耦合電感器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的耦合電感器件，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的耦合電感器件，其特征在于，所述凹槽包括連通的第一子凹槽、第二子凹槽和第三子凹槽；
4.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，所述非磁性絕緣層在第三方向上的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于所述主體部厚度的2倍。
5.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，在一個所述凹槽中，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽從所述絕緣磁芯內延伸至所述絕緣磁芯的兩個相對設置的表面；
6.根據權利要求3所述的耦合電感器件，其特征在于，在一個所述凹槽中，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：羅濤，蔣枝杭，
申請(專利權)人：惠州鉑科新感技術有限公司，
類型：新型
國別省市：
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