【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請的實(shí)施例涉及一種封裝件。
技術(shù)介紹
1、在制作凸塊下金屬(ubm)結(jié)構(gòu)的過程中，參見圖1a和圖1b，圖1a示出了現(xiàn)有技術(shù)中的封裝件10的截面圖，并且圖1b示出了圖1a的區(qū)域a的放大視圖。具體地，如圖1a所示，在封裝件10中，由于諸如銅(cu)的金屬與介電材料11(其中設(shè)置有焊盤11a)之間的附著性不佳，因此不會(huì)直接在介電材料11上形成晶種層12的諸如銅(cu)的起鍍層12b，而是會(huì)在介電材料11上形成晶種層12的諸如鈦(ti)的粘合層12a，再在粘合層12a上形成晶種層12的起鍍層12b，之后再形成諸如銅金屬的凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13并且進(jìn)一步在凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13上依次形成阻擋層14、諸如金屬的接合層15以及焊料球16。應(yīng)該注意，在完成凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13的結(jié)構(gòu)的制作后，需要將凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13橫向范圍之外的晶種層12的粘合層12a和起鍍層12b去除，諸如通過蝕刻工藝去除。由于蝕刻工藝存在在凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13下方的晶種層12的底部形成底切c(如圖1b所示)的現(xiàn)象，并且在微凸塊尺寸的維度下比例會(huì)被放大，從而影響封裝件10的強(qiáng)度，導(dǎo)致在后續(xù)制程中出現(xiàn)凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13導(dǎo)柱或脫落t的問題(如圖1a的右圖所示)。
2、因此，在當(dāng)前用于鍍焊盤和凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13結(jié)構(gòu)的封裝件10的制造中，大多數(shù)情況下使用pvd(物理氣相沉積)形成鈦層來形成粘合層12a、使用pvd形成銅層來形成起鍍層12b以及在介電材料11的非金屬表面上鍍銅來形成凸塊下金屬結(jié)構(gòu)13作為基層。
3、然而，在介電材料11的非金屬表面和pvd形成的鈦層的粘合
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┑姆庋b件在縱向方向上提高了粘合層與介電層的接觸面積，并且借由在凸塊下金屬周圍設(shè)置凹槽增加了封裝件的接合強(qiáng)度。
2、本申請的一些實(shí)施例提供了一種封裝件，包括：再分布結(jié)構(gòu)，所述再分布結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電層上的介電層；以及凸塊下金屬，設(shè)置在所述介電層上，所述凸塊下金屬借由導(dǎo)電通孔貫穿所述介電層，其中，所述介電層包括從所述介電層的面向所述凸塊下金屬的上表面向下凹進(jìn)的凹槽，并且其中，所述凹槽圍繞所述導(dǎo)電通孔。
3、在一些實(shí)施例中，所述凹槽的最外邊緣與所述凸塊下金屬的最外邊緣基本對準(zhǔn)。
4、在一些實(shí)施例中，該封裝件還包括：晶種層，設(shè)置在所述介電層和所述凸塊下金屬之間以及所述導(dǎo)電層與所述凸塊下金屬之間，其中，所述晶種層包括粘合層以及設(shè)置在所述粘合層上的起鍍層。
5、在一些實(shí)施例中，所述凹槽中包括所述粘合層，所述粘合層的第一側(cè)與所述介電層接觸，并且所述粘合層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)與所述起鍍層的第一部分接觸，其中，所述起鍍層的第一部分朝向所述凹槽延伸至所述粘合層之間。
6、在一些實(shí)施例中，所述凹槽的深度大于所述粘合層的厚度。
7、在一些實(shí)施例中，在所述凹槽所圍設(shè)的范圍內(nèi)，所述粘合層的深度大于所述起鍍層的第一部分的深度。
8、在一些實(shí)施例中，在所述凹槽所圍設(shè)的范圍內(nèi)，所述起鍍層的第一部分的相對側(cè)壁之間的角度小于所述粘合層的相對側(cè)壁之間的角度。
9、在一些實(shí)施例中，所述起鍍層的第一部分的第一側(cè)與所述粘合層接觸，并且所述起鍍層的第一部分的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)暴露。
10、在一些實(shí)施例中，所述粘合層的設(shè)置在所述凹槽的最外邊緣處的部分具有凹頂面。
11、在一些實(shí)施例中，所述凹頂面低于所述介電層的所述上表面。
12、在一些實(shí)施例中，所述起鍍層的第一部分延伸至所述凹頂面的下方。
13、在一些實(shí)施例中，所述凹頂面具有圓弧形狀。
14、在一些實(shí)施例中，所述凹頂面與所述凹頂面正上方的所述起鍍層的第二部分的間隔開，其中，所述起鍍層的第二部分與所述起鍍層的第一部分成角度。
15、在一些實(shí)施例中，所述凹槽的深度與寬度的比值在0.5至5的范圍內(nèi)。
16、在一些實(shí)施例中，所述凹槽具有三角形輪廓、圓弧形輪廓或不規(guī)則輪廓。
17、在一些實(shí)施例中，在遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電通孔的方向上，并排布置有多個(gè)所述凹槽。
18、在一些實(shí)施例中，在俯視圖中，所述凹槽為連續(xù)延伸的環(huán)形。
19、本申請的另一些實(shí)施例提供了一種封裝件，包括：再分布結(jié)構(gòu)，所述再分布結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電層上的介電層，其中，所述介電層具有從所述介電層的上表面朝向所述介電層的下表面延伸的凹槽，其中，所述上表面與所述下表面相對；以及凸塊下金屬，設(shè)置在所述介電層的所述上表面上，并且所述凸塊下金屬借由導(dǎo)電通孔貫穿所述介電層，其中，所述凹槽的底部高于所述導(dǎo)電通孔的底部，并且圍繞所述導(dǎo)電通孔延伸。
20、在一些實(shí)施例中，所述凹槽的最外邊緣與所述凸塊下金屬的最外邊緣基本對準(zhǔn)。
21、在一些實(shí)施例中，該封裝件還包括：晶種層，設(shè)置在所述介電層和所述凸塊下金屬之間以及所述導(dǎo)電層與所述凸塊下金屬之間，其中，所述晶種層包括粘合層以及設(shè)置在所述粘合層上的起鍍層，并且其中，所述凹槽中包括所述粘合層，所述粘合層的第一側(cè)與所述介電層接觸，并且所述粘合層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)與所述起鍍層的第一部分接觸，其中，所述起鍍層的第一部分朝向所述凹槽延伸至所述粘合層之間。
22、本申請通過設(shè)置圍繞導(dǎo)電通孔延伸凹槽，提高了相應(yīng)封裝件的接合強(qiáng)度。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種封裝件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽的最外邊緣與所述凸塊下金屬的最外邊緣基本對準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其特征在于，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽中包括所述粘合層，所述粘合層的第一側(cè)與所述介電層接觸，并且所述粘合層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)與所述起鍍層的第一部分接觸，其中，所述起鍍層的第一部分朝向所述凹槽延伸至所述粘合層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述粘合層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，在所述凹槽所圍設(shè)的范圍內(nèi)，所述粘合層的深度大于所述起鍍層的第一部分的深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，在所述凹槽所圍設(shè)的范圍內(nèi)，所述起鍍層的第一部分的相對側(cè)壁之間的角度小于所述粘合層的相對側(cè)壁之間的角度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，所述起鍍層的第一部分的第一側(cè)與所述粘合層接觸，并且所述起鍍層的第一部分的與所述第一側(cè)相對的
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，所述粘合層的設(shè)置在所述凹槽的最外邊緣處的部分具有凹頂面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝件，其特征在于，所述凹頂面與所述凹頂面正上方的所述起鍍層的第二部分的間隔開，其中，所述起鍍層的第二部分與所述起鍍層的第一部分成角度。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽的最外邊緣與所述凸塊下金屬的最外邊緣基本對準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件，其特征在于，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽中包括所述粘合層，所述粘合層的第一側(cè)與所述介電層接觸，并且所述粘合層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)與所述起鍍層的第一部分接觸，其中，所述起鍍層的第一部分朝向所述凹槽延伸至所述粘合層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述粘合層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，在所述凹槽所圍設(shè)的范圍內(nèi)，所述粘合層...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：呂文隆，
申請(專利權(quán))人：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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