【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于集成電路封裝，涉及一種基于ddr裸片的rdl扇出結構。
技術介紹
1、目前，隨著半導體工藝技術的進步，晶體管尺寸的不斷縮小，集成度大幅提高，裸片的尺寸也在減小，而功能卻更加復雜。這導致裸片上的i/o(輸入/輸出)數量大幅增加，對封裝技術提出了更高的要求。傳統的引線鍵合技術逐漸遇到了瓶頸，因為大量的引線會導致信號遲延和干擾問題。為了解決這些問題，開發了各種先進的封裝技術，如倒裝芯片(flip?chip)技術。
2、隨著數據傳輸速率的提高，信號完整性問題變得更加突出，需要采用各種技術來保證信號的質量，例如使用差分信號對，控制信號的阻抗匹配等。隨著裸片功耗的增加，如何有效地為裸片提供穩定和充足的電源成為了一個挑戰。電源分布網絡(pdn)的設計變得尤為重要，需要考慮到電源噪聲、電壓調節、熱管理等諸多因素。有效的熱管理可以保證裸片的溫度保持在可接受的范圍內，避免由于過熱導致的性能下降或器件損壞。
3、rdl(重布線)扇出技術是在這樣的技術背景下發展起來的。rdl是一種在封裝基板或中介層上形成的金屬互連結構，它可以將裸片上的信號和電源引腳重新分布到封裝的其他部分，如bga(球柵陣列)的下面。這種技術可以提供更短的信號路徑，減少信號延遲和干擾，提高信號完整性；同時也可以優化電源分布和熱管理，提高封裝的整體性能。
技術實現思路
1、(一)專利技術目的
2、本專利技術的目的是：提供一種基于ddr裸片的rdl扇出結構，以解決ddr裸片的電連接點，重新陣
3、(二)技術方案
4、為了解決上述技術問題，本專利技術提供一種基于ddr裸片的rdl扇出結構，其包括：形成在ddr裸片上的emc層130、形成在emc層130上的焊盤110、形成在ddr裸片上方且與焊盤110電連接的電介質層dl2140、形成在電介質層dl2140上方且與焊盤110電連接的rdl層150、形成在rdl層150上方的電介質層dl1160、形成在電介質層dl1160上方且與rdl層150電連接的ubm層170，以及形成在ubm層170上方的bga焊球180。
5、其中，emc層130外圍還形成有密封環120。
6、其中，焊盤110用于連接ddr裸片上的金屬化區域和外部電路的接觸點。
7、其中，焊盤110由鋁、銅導電材料制成，位于ddr裸片表面。
8、其中，密封環120為環形，位于芯片和封裝外殼之間，密封環的材料為金屬、塑料或橡膠中的一種。
9、其中，emc層130使用熱固性樹脂材質。
10、其中，電介質層dl2140和電介質層dl1160，用于絕緣不同的導電層；電介質層dl2140上有dl2開窗141，電介質層dl1160上有dl1開窗161；rdl層150通過dl2開窗141和焊盤110電連接，ubm層170通過dl1開窗161和rdl層150電連接。
11、其中，rdl層150用于重新布線芯片上的電路，rdl層150和所述焊盤110形成電連接，所述rdl層150和所述ubm層170形成電連接。
12、其中，ubm層170,電介質層dl1160上濺射一層ti/cu金屬層作為ubm層170，ubm層170形成所述bga焊球180和所述rdl層150之間的金屬化過渡。
13、其中，bga焊球180陣列排布形成fc凸點，所述bga焊球180與所述ubm層170形成電連接。
14、(三)有益效果
15、上述技術方案所提供的基于ddr裸片的rdl扇出結構，通過重布線技術實現三維集成互聯的解決方案，并創新性將位于ddr裸片中間的焊盤陣列為在芯片上平均排布的fc凸點，從而優化了電源分布和信號完整性；擴展了rdl技術實現三維集成能力和技術水平，為同類產品設計或更復雜系統芯片集成提供有效技術支撐；該專利技術信號質量高，可靠性較好。
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1.一種基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，包括：形成在DDR裸片上的EMC層(130)、形成在EMC層(130)上的焊盤(110)、形成在DDR裸片上方且與焊盤(110)電連接的電介質層DL2(140)、形成在電介質層DL2(140)上方且與焊盤(110)電連接的RDL層(150)、形成在RDL層(150)上方的電介質層DL1(160)、形成在電介質層DL1(160)上方且與RDL層(150)電連接的UBM層(170)，以及形成在UBM層(170)上方的BGA焊球(180)。
2.如權利要求1所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，EMC層(130)外圍還形成有密封環(120)。
3.如權利要求2所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，焊盤(110)用于連接DDR裸片上的金屬化區域和外部電路的接觸點。
4.如權利要求3所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，焊盤(110)由鋁、銅導電材料制成，位于DDR裸片表面。
5.如權利要求4所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，密封環(120
6.如權利要求5所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，EMC層(130)使用熱固性樹脂材質。
7.如權利要求6所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，電介質層DL2(140)和電介質層DL1(160)，用于絕緣不同的導電層；電介質層DL2(140)上有DL2開窗(141)，電介質層DL1(160)上有DL1開窗(161)；RDL層(150)通過DL2開窗(141)和焊盤(110)電連接，UBM層(170)通過DL1開窗(161)和RDL層(150)電連接。
8.如權利要求7所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，RDL層(150)用于重新布線芯片上的電路，RDL層(150)和所述焊盤(110)形成電連接，所述RDL層(150)和所述UBM層(170)形成電連接。
9.如權利要求8所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，UBM層(170),電介質層DL1(160)上濺射一層Ti/Cu金屬層作為UBM層(170)，UBM層(170)形成所述BGA焊球(180)和所述RDL層(150)之間的金屬化過渡。
10.如權利要求9所述的基于DDR裸片的RDL扇出結構，其特征在于，BGA焊球(180)陣列排布形成FC凸點，所述BGA焊球(180)與所述UBM層(170)形成電連接。
...【技術特征摘要】
1.一種基于ddr裸片的rdl扇出結構，其特征在于，包括：形成在ddr裸片上的emc層(130)、形成在emc層(130)上的焊盤(110)、形成在ddr裸片上方且與焊盤(110)電連接的電介質層dl2(140)、形成在電介質層dl2(140)上方且與焊盤(110)電連接的rdl層(150)、形成在rdl層(150)上方的電介質層dl1(160)、形成在電介質層dl1(160)上方且與rdl層(150)電連接的ubm層(170)，以及形成在ubm層(170)上方的bga焊球(180)。
2.如權利要求1所述的基于ddr裸片的rdl扇出結構，其特征在于，emc層(130)外圍還形成有密封環(120)。
3.如權利要求2所述的基于ddr裸片的rdl扇出結構，其特征在于，焊盤(110)用于連接ddr裸片上的金屬化區域和外部電路的接觸點。
4.如權利要求3所述的基于ddr裸片的rdl扇出結構，其特征在于，焊盤(110)由鋁、銅導電材料制成，位于ddr裸片表面。
5.如權利要求4所述的基于ddr裸片的rdl扇出結構，其特征在于，密封環(120)為環形，位于芯片和封裝外殼之間，密封環的材料為金屬、塑料或橡膠中的一種。
6.如權利要求5所述的基于ddr裸片的rdl扇...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱琳，曾永紅，朱天成，張楠，徐藝軒，付月，
申請(專利權)人：天津津航計算技術研究所，
類型：發明
國別省市：
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