【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體，更具體地，涉及一種封裝結構。
技術介紹
1、如圖1a所示，qfn(quad?flat?no-leads?package，方形扁平無引腳封裝)、aqfn(advanced?quad?flat?no-leads?package，高級方形扁平無引腳封裝)結構10通過其厚引線框(lead?frame)基板12來散熱，但這在需要更好散熱性能的大功率多芯片產(chǎn)品中散熱性能是不夠的。
2、傳統(tǒng)的引線框基板上的wb(wire?bond，接合線)或fc(flip?chip，倒裝芯片)不滿足大功率多芯片集成封裝件或高電壓充電產(chǎn)品中的散熱要求，造成在這些產(chǎn)品中產(chǎn)生大量熱量。很難通過有機基板散熱。如圖1b所示，用模塑化合物18上的附加散熱部件19來散熱也是不夠的。已經(jīng)開發(fā)了高導熱模塑化合物來解決散熱問題，例如emc(epoxy?moldingcompound，環(huán)氧樹脂模塑料)。但emc的任何變化都需要漫長的產(chǎn)品鑒定，以確保高組裝產(chǎn)量和長期性能監(jiān)控，從而確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
3、如圖2a、圖2b所示，emuf(暴露模封底部填充料，exposed?molded?underfill)22和emuf?22上的散熱部件24都可以表現(xiàn)出增強的散熱性能。但是通常，倒裝芯片/后扇出芯片26的散熱結構是將包封芯片26的emuf?22研磨至芯片26的背側由cpd/emuf?22暴露，然后將芯片26暴露的背側熱連接至散熱部件24。然而，研磨背側很容易造成芯片26的損壞25(見圖2a)。
4、a-easi(advanced
技術實現(xiàn)思路
1、針對以上問題，本申請?zhí)岢鲆环N具有改進的散熱性能的封裝結構。
2、本申請的技術方案是這樣實現(xiàn)的：
3、根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種封裝結構，其包括：基板，包括芯層和設置在芯層上的金屬層；管芯，設置在金屬層上，其中，管芯包括有源面和與有源面相對的無源面，無源面面向金屬層；金屬柱，設置在金屬層上，其中，金屬柱包括設置在金屬層上的下部和設置在下部上的上部，其中，上部在水平方向上的寬度小于下部的寬度。
4、在一些實施例中，芯層的硬度大于金屬層的硬度。
5、在一些實施例中，芯層為陶瓷材料。
6、在一些實施例中，金屬層在水平方向上的寬度小于芯層的寬度。
7、在一些實施例中，芯層由金屬層暴露。
8、在一些實施例中，金屬層的側表面包括彎曲表面。
9、在一些實施例中，封裝結構還包括：第二管芯，設置在金屬層上，其中，金屬柱設置在管芯與第二管芯之間。
10、在一些實施例中，金屬層包括溝槽、第一部分和第二部分，其中，溝槽位于第一部分與第二部分之間，管芯設置在第一部分上，第二管芯設置在第二部分上。
11、在一些實施例中，溝槽穿透金屬層而暴露芯層。
12、在一些實施例中，封裝結構還包括：引線框架，引線框架位于金屬柱和管芯上方，其中，金屬柱直接連接引線框架。
13、本申請的上述技術方案，通過使用金屬柱代替現(xiàn)有源極和漏極通孔或引線接合來進行散熱，可以比現(xiàn)有不同縱橫比的通孔提供更大的散熱面積/散熱路徑，改善了散熱效率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術保護點】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，
6.根據(jù)權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，
7.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
8.根據(jù)權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，
9.根據(jù)權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，
10.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，
6.根據(jù)...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：凱·史提芬·艾斯格，尚·馬克·揚努，顏尤龍，博恩·卡爾·艾皮特，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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