【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)實(shí)施例涉及一種影像感測裝置。
技術(shù)介紹
1、包含影像傳感器的集成電路(ic)廣泛用于相機(jī)和手機(jī)等現(xiàn)代電子裝置中。互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)影像傳感器(cis)已變得流行。與電荷耦合裝置(charge-coupleddevice，ccd)相比，cis由于功耗低、像素尺寸小、數(shù)據(jù)處理速度快和制造成本低而越來越受到青睞。隨著像素尺寸越來越小，制造變得越來越困難，限制像素之間的串?dāng)_也變得越來越困難。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)實(shí)施例是涉及一種影像感測裝置，其包括：半導(dǎo)體主體，具有第一側(cè)和第二側(cè)；光檢測區(qū)域，包括在所述半導(dǎo)體主體內(nèi)的感光結(jié)構(gòu)；以及超透鏡，配置在所述第二側(cè)上或所述第二側(cè)處，其中所述超透鏡被配置為將電磁輻射聚焦在所述感光結(jié)構(gòu)上。
2、本技術(shù)實(shí)施例是涉及一種影像感測裝置，其包括：半導(dǎo)體主體，包括第一側(cè)和第二側(cè)，其中所述半導(dǎo)體主體具有第一折射率；光學(xué)材料，配置于所述第二側(cè)上，其中所述光學(xué)材料具有與所述第一折射率不同的第二折射率；光檢測區(qū)域，包括配置在所述半導(dǎo)體主體內(nèi)的感光結(jié)構(gòu)；以及超透鏡，由所述光學(xué)材料和所述半導(dǎo)體主體形成，其中所述超透鏡被構(gòu)造為將近紅外光聚焦在所述感光結(jié)構(gòu)上。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種影像感測裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，所述超透鏡包括形成在所述半導(dǎo)體主體的所述第二側(cè)中的納米結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)是同心環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)在所述第二側(cè)上突出到光學(xué)材料膜中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)具有相對于所述感光結(jié)構(gòu)的中心的距離變化的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，所述超透鏡包括從所述第二側(cè)突出到所述半導(dǎo)體主體中的光學(xué)材料柱的配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，所述超透鏡包括納米結(jié)構(gòu)，其高度隨著從所述感光結(jié)構(gòu)的中心的距離而系統(tǒng)關(guān)系變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，所述超透鏡包括納米結(jié)構(gòu)，所述納米結(jié)構(gòu)通過深度、間隔或尺寸中的兩個(gè)或更多個(gè)的變化來實(shí)現(xiàn)聚焦效果。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，還包括在所述超透鏡
10.一種影像感測裝置，其特征在于，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種影像感測裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置，其特征在于，所述超透鏡包括形成在所述半導(dǎo)體主體的所述第二側(cè)中的納米結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)是同心環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)在所述第二側(cè)上突出到光學(xué)材料膜中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的影像感測裝置，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)具有相對于所述感光結(jié)構(gòu)的中心的距離變化的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測裝置...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王苡璇，黃正宇，莊君豪，周耕宇，吳紋浩，江偉杰，張志光，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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