【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路設計領域，具體涉及一種具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路。
技術介紹
1、基準源作為電子系統中的關鍵組件，被廣泛應用于信號處理系統、精密儀器儀表、電源管理模塊等領域，其發展緊密關聯著電子技術的革新與電子設備的性能提升。隨著科技的飛速發展和市場需求的不斷變化，也對基準源提出了新的設計需求，在某些adc電路應用中，基準源作為參考電壓，其輸出端由于adc電路中電容電荷的再分配，導致基準源出現雙向電流負載情況的發生，即基準源向外拉電流或向基準源灌入電流。
2、傳統的基準源僅具備單向電流負載能力，由于其負載變化時，負載調整性能較差，導致基準源的輸出電壓穩定性較低。隨著ad/da轉換器的發展，對基準源的負載調整性能的需求也逐步增加，具備較差負載調整性能的基準源無法滿足當前快速增長的應用需求。
3、因此，亟待一種具備雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路，以滿足后端所需同時具備灌電流能力和拉電流能力的應用需求。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提出一種具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路，期以解決上述問題。
2、本專利技術所述具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路包括：npn三極管qn1～qn17、pnp三極管qp1～qp14、電阻r1～r18、內部基準核；
3、下述連接關系中，偏置電路由4個npn三極管qn14～qn17、2個pnp三極管qp13～qp14、4個電阻r15～r18構成；誤差運算放大電路
4、本專利技術所述具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路的連接方式為：
5、所述qn1，基極連接于qn2的基極、集電極連接于qp1的集電極、發射極接地、基極還與自身集電極相連；所述qn2，集電極連接于qp5的集電極、發射極接地；所述qn3，基極連接于qn7的發射極、集電極連接于qp6的集電極、發射極連接于qp3的集電極；所述qn4，基極連接于qn3的基極、集電極連接于qp7的集電極、發射極連接于qp4的集電極；所述qn5，基極連接于qn4的集電極、集電極連接于qp8的集電極、發射極連接于r8；所述qn6，基極連接于qn2的基極、集電極連接于r8、發射極接地；所述qn7，基極連接于qn3的集電極、集電極接高電平、發射極連接于qn9的集電極；
6、所述qn8，基極連接于qn9的基極、集電極連接于qp9的集電極、發射極接地、基極還與自身集電極相連；所述qn9，發射極接地；所述qn10，基極連接于qn11的基極、集電極連接于qp10的集電極、發射極連接于r11、基極還與自身集電極相連；所述qn11，集電極連接于qp11的集電極、發射極接地；所述qn12，基極連接于r12、集電極連接于qn11的基極、發射極接地；所述qn13，基極連接于誤差運算放大器、集電極連接于qp12的集電極、發射極接地、集電極還連接于反饋電阻串；所述qn14，基極連接于qn15的基極、集電極連接于r15、發射極接地、基極還與自身集電極相連；所述qn15，集電極連接于qn16的集電極、發射極連接于qn16的發射極；所述qn16，基極連接于qn17的基極、集電極連接于qp13的集電極、發射極連接于r18；所述qn17，集電極連接于qp14的集電極、發射極接地、基極還與自身集電極相連；
7、所述qp1，基極連接于qp2的基極、集電極連接于qn1的集電極、發射極連接于r2；所述qp2，基極連接于偏置電路、集電極連接于qp3的發射極、發射極連接于r1；所述qp3，基極連接于反饋電阻串、發射極連接于qp4的發射極；所述qp4，基極連接于內部基準核；所述qp5，基極連接于qp6的基極、發射極連接于r3、基極還與自身集電極相連；所述qp6，發射極連接于r4；所述qp7，基極連接于qp5的基極、發射極連接于r5；所述qp8，基極連接于qp9的基極、發射極接高電平、基極還與自身集電極相連；所述qp9，發射極接高電平；所述qp10，基極連接于qp2的基極、發射極連接于r9；所述qp11，基極連接于輸出級、發射極連接于r10、基極還與自身集電極相連；所述qp12，基極連接于誤差運算放大器、發射極接高電平；所述qp13，基極連接于qp14的基極、發射極連接于r16、基極還與自身集電極相連；所述qp14，發射極連接于r17；
8、所述r1，一端連接于qp2的發射極、一端接高電平；所述r2，一端連接于qp1的發射極、一端接高電平；所述r3，一端連接于qp5的發射極、一端接高電平；所述r4，一端連接于qp6的發射極、一端接高電平；所述r5，一端連接于qp7的發射極、一端接高電平；所述r6，一端連接于qn3的發射極、一端接地；所述r7，一端連接于qn4的發射極、一端接地；所述r8，一端連接于qn5的發射極、一端連接于qn6的集電極；所述r9，一端連接于qp10的發射極、一端接高電平；所述r10，一端連接于qp11的發射極、一端接高電平；所述r11，一端連接于qn10的發射極、一端接地；所述r12，一端連接于qn12的基極、一端連接于qn6的集電極、連接qn6的集電極的一端還與輸出級相連，不相連于qp11的基極；所述r13，一端連接于輸出級、一端連接于r14；所述r14，一端連接于r13、連接r13的一端還連接于誤差運算放大器、一端接地；所述r15，一端接qn14的集電極、一端接高電平；所述r16，一端接qp13的發射極、一端接高電平；所述r17，一端接qp14的發射極、一端接高電平；所述r18，一端接qn16的發射極、一端接地。
9、進一步地，負反饋環路1由qn3、qn4、qn5、qn8、qn9、qp8、qp9構成；正反饋環路2由qn3、qn4、qn7構成。
10、本專利技術的有益效果有：
11、通過引入雙反饋環路，能夠有效地在負載變化時抑制基準源的輸出電壓的變化，進而降低電路的負載調整性能，提升電路的穩定性；為基準源或線性穩壓器的設計提供了一種設計思路。
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1.一種具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路，包括偏置電路、誤差運算放大電路、輸出級、內部基準核、反饋電阻串；偏置電路與誤差運算放大器相連、內部基準核與誤差運算放大器相連、輸出級與誤差運算放大器相連、反饋電阻串與輸出級相連；其特征在于：所述誤差運算放大電路包括：12個NPN三極管QN1～QN12、11個PNP三極管QP1～QP11、12個電阻R1～R12，其中，QN3、QN4、QN5、QN8、QN9、QP8、QP9構成負反饋回路1；QN3、QN4、QN7構成正反饋回路2。
2.根據權利要求1所述高負載調整性能基準源電路，其特征在于，所述偏置電路包括：4個NPN三極管QN14～QN17、2個PNP三極管QP13～QP14、4個電阻R15～R18，其連接方式為：
3.根據權利要求1所述高負載調整性能基準源電路，其特征在于，所述誤差運算放大電路連接方式為：
4.根據權利要求1所述高負載調整性能基準源電路，其特征在于，所述輸出級電路包括：NPN三極管QN13，PNP三極管QP12，其連接方式為：
5.根據權利要求1所述高負載調整性能基
...【技術特征摘要】
1.一種具有雙向電流驅動的高負載調整性能基準源電路，包括偏置電路、誤差運算放大電路、輸出級、內部基準核、反饋電阻串；偏置電路與誤差運算放大器相連、內部基準核與誤差運算放大器相連、輸出級與誤差運算放大器相連、反饋電阻串與輸出級相連；其特征在于：所述誤差運算放大電路包括：12個npn三極管qn1～qn12、11個pnp三極管qp1～qp11、12個電阻r1～r12，其中，qn3、qn4、qn5、qn8、qn9、qp8、qp9構成負反饋回路1；qn3、qn4、qn7構成正反饋回路2。
2.根據權利要求1所述高負載調整性能基...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曾秋桂，周震，朱哲序，梁盛銘，徐敏，劉詩豪，馮舉林，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第二十四研究所，
類型：發明
國別省市：
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