【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體生產，尤其涉及的是一種動態的低氧結構及具有其的等離子清洗機。
技術介紹
1、晶圓加工是半導體工業中的一項重要工藝，其中等離子清洗是晶圓加工過程中的一環。等離子清洗的主要作用是去除晶圓表面的污染物和殘留物，保證晶圓加工的質量和穩定性。
2、而低氧環境下的電漿清洗技術為半導體制造提供了更潔凈、穩定的加工條件，能夠有效提高產品質量和制造效率。
3、目前的等離子清洗機一般采用非在線式，通常是先將預清洗的晶圓放入料盒，而后將料盒放入等離子清洗腔內，隨后將腔體密封，將保護氣體充入腔體內，再進行清洗，然而上述等離子清洗機存在以下問題：設備體積大，保護氣體消耗量大，生產成本高，且難以控制腔體內的含氧量，不能實現自動上下料，不能和產線結合，只能單獨使用，需要人工配合，生產效率低。
技術實現思路
1、針對現有技術存在的不足，本專利技術目的是提供一種動態的低氧結構及具有其的等離子清洗機，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。為實現上述目的，本專利技術所采用了下述的技術方案：
2、第一方面，本專利技術公開了一種動態的低氧結構，包括：蓋板，其中部貫穿設置有清洗通道；
3、清洗模塊，設置于所述蓋板的第一側，其工作端與所述清洗通道滑動連接；
4、加熱臺，設置于所述蓋板的第二側，所述加熱臺靠近所述蓋板的一側設置有清洗區，當所述加熱臺靠近所述蓋板時，所述清洗區和所述蓋板的第二側形成清洗腔室；
5、鋼帶，設置于所述清洗模塊上，并位于
6、第一氣體通道，設置于所述加熱臺一側，并與所述清洗腔室連通。
7、可選地，所述加熱臺的四周設置有邊框，所述邊框高于所述清洗區，所述第一氣體通道設置于所述清洗區一側的所述邊框上。
8、可選地，所述清洗區遠離所述第一氣體通道一側的邊框上貫穿開設有排氣通道。
9、可選地，還包括支撐模塊，所述支撐模塊包括y軸組件和z軸組件，所述z軸組件設置于所述y軸組件的工作端，所述加熱臺設置于所述z軸組件上。
10、可選地，所述支撐模塊還包括多根支撐桿，多根所述支撐桿分別設置于所述z軸組件周側，并分別貫穿所述加熱臺，且分別與所述加熱臺滑動連接。
11、可選地，所述蓋板的第二側圍繞所述清洗通道并對應鋼帶設置有第二氣體通道。
12、可選地，清洗模塊包括y軸模塊和清洗頭，所述清洗頭設置于所述y軸模塊的工作端，并與所述清洗通道滑動連接。
13、可選地，所述清洗通道兩端的所述蓋板上分別轉動設置有輥筒，所述鋼帶分別與兩個所述輥筒滾動連接，其兩端分別與所述清洗頭的兩側連接。
14、可選地，所述支撐模塊還包括x軸組件，所述y軸組件設置于所述x軸組件的工作端。
15、第二方面，本專利技術公開了一種等離子清洗機，所述的等離子清洗機包括上述的動態的低氧結構。
16、相對于現有技術的有益效果是，采用上述方案，本專利技術通過在加熱臺頂部設置清洗區，使清洗區和蓋板之間形成清洗腔室，通過清洗模塊帶動鋼帶運動，實現對清洗通道的動態密封；通過第一氣體通道和第二氣體通道對清洗腔室內充入保護氣體，并密封鋼帶和蓋板之間的間隙，降低了清洗腔室內的含氧量，保證晶圓清洗效果，同時大大減少了保護氣體的消耗量，降低了生產成本；通過清洗模塊和加熱臺的十字交叉運動對晶圓進行清洗，大大減小了設備體積；通過支撐模塊和外部機械手配合，實現在線式無人自動化生產。
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1.一種動態的低氧結構，其特征在于，包括：蓋板，其中部貫穿設置有清洗通道；
2.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述加熱臺的四周設置有邊框，所述邊框高于所述清洗區，所述第一氣體通道設置于所述清洗區一側的所述邊框上。
3.根據權利要求2所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述清洗區遠離所述第一氣體通道一側的邊框上貫穿開設有排氣通道。
4.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，還包括支撐模塊，所述支撐模塊包括Y軸組件和Z軸組件，所述Z軸組件設置于所述Y軸組件的工作端，所述加熱臺設置于所述Z軸組件上。
5.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述支撐模塊還包括多根支撐桿，多根所述支撐桿分別設置于所述Z軸組件周側，并分別貫穿所述加熱臺，且分別與所述加熱臺滑動連接。
6.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述蓋板的第二側圍繞所述清洗通道并對應鋼帶設置有第二氣體通道。
7.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，清洗模塊包括Y軸模塊和清洗頭
8.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述清洗通道兩端的所述蓋板上分別轉動設置有輥筒，所述鋼帶分別與兩個所述輥筒滾動連接，其兩端分別與所述清洗頭的兩側連接。
9.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述支撐模塊還包括X軸組件，所述Y軸組件設置于所述X軸組件的工作端。
10.一種等離子清洗機，其特征在于，所述的等離子清洗機包括權利要求1-9任意一項所述的動態的低氧結構。
...【技術特征摘要】
1.一種動態的低氧結構，其特征在于，包括：蓋板，其中部貫穿設置有清洗通道；
2.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述加熱臺的四周設置有邊框，所述邊框高于所述清洗區，所述第一氣體通道設置于所述清洗區一側的所述邊框上。
3.根據權利要求2所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述清洗區遠離所述第一氣體通道一側的邊框上貫穿開設有排氣通道。
4.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，還包括支撐模塊，所述支撐模塊包括y軸組件和z軸組件，所述z軸組件設置于所述y軸組件的工作端，所述加熱臺設置于所述z軸組件上。
5.根據權利要求1所述的一種動態的低氧結構，其特征在于，所述支撐模塊還包括多根支撐桿，多根所述支撐桿分別設置于所述z軸組件周側，并分別貫穿所述加熱臺，且分別與所述加熱...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張翔，李高勇，高友浪，王永龍，
申請(專利權)人：深圳市軸心自控技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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