【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種托盤組件、承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)是一種氣相外延生長技術(shù)，其原理為將混合有包含薄膜元素的化合物的工藝氣體通入工藝腔室，工藝氣體流經(jīng)加熱至較高溫度的襯底表面，化合物在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以外延生長成化合物單晶薄膜。溫度是半導(dǎo)體制備工藝中的重要指標(biāo)，溫度的均勻性直接影響膜厚的均勻性。
2、現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，工藝腔室內(nèi)通常設(shè)置有托盤組件來承載晶片(wafer)。具體的，托盤組件的托盤包括本體和凸出設(shè)置在本體上的凸臺，凸臺背向本體的一面為承載面，承載面用于供晶片放置。
3、然而，采用該半導(dǎo)體工藝設(shè)備制備得到的薄膜的均勻性較差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種托盤組件、承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
2、本技術(shù)的第一方面提供了一種托盤組件，包括：托盤和壓環(huán)；壓環(huán)壓蓋在托盤上，壓環(huán)在托盤的上表面的正投影與托盤的上表面的周向邊緣區(qū)域存在重合，壓環(huán)的內(nèi)周面與托盤的上表面共同圍成安裝空間；托盤的上表面上設(shè)置有多個支撐凸部，所有支撐凸部設(shè)置于安裝空間內(nèi)，所有支撐凸部在托盤的上表面上排布成至少一圈，每圈支撐凸部的中心位于壓環(huán)的中心軸線上，至少一圈支撐凸部用于支撐晶片；并且，各個支撐凸部均被配置成與晶片的接觸面為弧面。
3、如上所述的托盤組件，其中，支撐凸部包括支承部，支承部具
4、如上所述的托盤組件，其中，支撐凸部還包括位于支承部下方的固定座，固定座的底部與托盤的上表面固定連接，固定座的頂部與支承部固定連接。
5、如上所述的托盤組件，其中，固定座為圓臺結(jié)構(gòu)或者棱臺結(jié)構(gòu)；固定座在垂直于壓環(huán)的中心軸線的方向上的橫截面的面積由固定座的底部至頂部逐漸減小。
6、如上所述的托盤組件，其中，支撐凸部的熱傳導(dǎo)率低于托盤的熱傳導(dǎo)率。
7、如上所述的托盤組件，其中，支撐凸部的外表面上設(shè)置有涂層，涂層的導(dǎo)熱系數(shù)低于托盤的導(dǎo)熱系數(shù)。
8、如上所述的托盤組件，其中，其中一圈支撐凸部用于支撐晶片，排成一圈的多個支撐凸部環(huán)繞壓環(huán)的中心軸線間隔分布。
9、如上所述的托盤組件，其中，沿豎直方向，用于支撐晶片的其中一圈支撐凸部的高度大于等于350μm、且小于等于400μm。
10、如上所述的托盤組件，其中，所有支撐凸部在托盤的上表面上排布成多圈，多圈支撐凸部沿托盤的徑向間隔設(shè)置；
11、沿托盤的徑向，各圈支撐凸部的高度由托盤的中心向托盤的邊緣逐漸增大，最外圈支撐凸部用于支撐晶片；或者，
12、沿托盤的徑向，各圈支撐凸部的高度由托盤的中心向托盤的邊緣逐漸減小，最內(nèi)圈支撐凸部用于支撐晶片。
13、如上所述的托盤組件，其中，相鄰兩圈支撐凸部的高度差小于50μm；和/或，相鄰兩圈支撐凸部沿壓環(huán)的周向交錯設(shè)置。
14、本技術(shù)的第二方面提供了一種承載裝置，包括：基座以及本技術(shù)的第一方面提供的任一種托盤組件，托盤組件疊置在基座上，基座用于承載托盤組件。
15、本技術(shù)的第三方面提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：工藝腔室以及本技術(shù)的第二方面提供的任一種承載裝置，承載裝置的托盤組件位于工藝腔室內(nèi)。
16、本技術(shù)具有以下有益效果：
17、利用具備本技術(shù)提供的托盤組件的半導(dǎo)體工藝設(shè)備來進(jìn)行外延工藝，晶片產(chǎn)生翹曲變形的過程中，晶片的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的加熱方式始終保持一致，托盤能持續(xù)穩(wěn)定的通過熱輻射方式對晶片的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域進(jìn)行加熱，使得晶片在翹曲變形過程中正面和背面的溫度差較為穩(wěn)定，有效降低熱應(yīng)力的產(chǎn)生，進(jìn)而可有效抑制晶片的邊緣繼續(xù)產(chǎn)生翹曲變形。這樣，可有效改善晶片表面的溫度均勻性，從而提高了薄膜的均勻性。
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1.一種托盤組件，其特征在于，包括：托盤和壓環(huán)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤組件，其特征在于，所述支撐凸部包括支承部，所述支承部具有所述弧面，所述支承部的橫截面形狀呈圓形、半圓形、弧形或者橢圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的托盤組件，其特征在于，所述支撐凸部還包括位于所述支承部下方的固定座，所述固定座的底部與所述托盤的上表面固定連接，所述固定座的頂部與所述支承部固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的托盤組件，其特征在于，所述固定座為圓臺結(jié)構(gòu)或者棱臺結(jié)構(gòu)；所述固定座在垂直于所述壓環(huán)的中心軸線的方向上的橫截面的面積由所述固定座的底部至頂部逐漸減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤組件，其特征在于，所述支撐凸部的熱傳導(dǎo)率低于所述托盤的熱傳導(dǎo)率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的托盤組件，其特征在于，所述支撐凸部的外表面上設(shè)置有涂層，所述涂層的導(dǎo)熱系數(shù)低于所述托盤的導(dǎo)熱系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的托盤組件，其特征在于，其中一圈所述支撐凸部用于支撐所述晶片，排成一圈的多個所述支撐凸部環(huán)繞所述壓環(huán)的中心軸線間隔分布。
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