【技術實現步驟摘要】
本申請的實施例涉及一種封裝結構。
技術介紹
1、在3d堆疊結構中，如圖1所示，堆疊結構10的頂部電子元件16以面對面接合的方式堆疊在底部電子元件12上(諸如高溫接合)，并且密封在模制化合物15中。在一些實施例中，頂部電子元件16是功能芯片，并且底部電子元件12是vrm(電壓調節模組)/ivr(集成電壓調節器)。在如圖1所示的堆疊結構10中，頂部電子元件16通過中間層再分布結構13b接合至底部電子元件12，并且底部電子元件12通過底部再分布結構(rdl)13a接合至基板11。在進一步實施例中，導熱柱14(由導熱材料形成)設置在底部電子元件12周圍。此外，如圖1所示，將散熱片17設置在頂部電子元件16和底部電子元件12上方并且圍繞頂部電子元件16和底部電子元件12以用于散熱。外部連接件18設置在基板11的與散熱片17相對的側上，以用于進行外部連接。
2、可見，在現有的堆疊結構10中，底部電子元件12較靠近基板11，為了降低底部電子元件12產生的熱影響基板11的金屬線路導致熱阻上升，因此，目前會通過設置導熱柱14將底部電子元件12的熱往上導熱至散熱片17，然而，如圖1a所示，這樣會面臨導熱路徑較長(即，導熱路徑tlong為：底部再分布結構(rdl)13a＞導熱柱14＞中間層再分布結構13b＞上部模制化合物15)而使熱傳遞較差，從而影響導熱效率。
3、綜上，在現有技術的底部電子元件12為vrm/ivr的情況下，盡管散熱片17也用于穿過厚芯片/晶片(頂部電子元件16和底部電子元件12)的厚堆疊結構10，但是熱擴散受
技術實現思路
1、本申請的封裝結構可借由形成垂直路徑直接連接底部電子元件來解決如上堆疊結構中的底部電子元件通過導熱柱將熱向上導熱至散熱片會面臨導熱路徑較長(導熱路徑tlong，即：底部再分布結構(rdl)13a＞導熱柱14＞中間層再分布結構13b＞上部模制化合物15)而影響導熱效率的問題。
2、本申請的一些實施例提供了一種封裝結構，包括：導線結構；第一電子元件，內埋于所述導線結構內；熱通孔，穿過所述導線結構并接觸所述第一電子元件。
3、在一些實施例中，該封裝結構還包括：第二電子元件，設置在所述導線結構上，其中，所述第二電子元件與所述熱通孔在水平方向上重疊。
4、在一些實施例中，所述導線結構包括凹部，并且所述第二電子元件設置在所述凹部內。
5、在一些實施例中，該封裝結構還包括：第一導熱件，設置在所述第一電子元件下方和所述第一電子元件周圍并且與所述熱通孔接觸。
6、在一些實施例中，所述第一導熱件在與所述熱通孔垂直的方向上延伸。
7、在一些實施例中，該封裝結構還包括：第二導熱件，暴露于所述封裝結構外部，其中，所述第二導熱件通過所述熱通孔連接至所述第一導熱件。
8、在一些實施例中，所述第一電子元件具有面向所述導線結構的有源面。
9、在一些實施例中，所述第一電子元件還包括與所述有源面相對的下表面以及連接所述有源面和所述下表面的側面，其中，所述熱通孔接觸所述第一電子元件的有源面和側面。
10、在一些實施例中，所述第一電子元件具有遠離所述導線結構的下表面，其中，所述第一導熱件接觸所述第一電子元件的下表面。
11、在一些實施例中，所述熱通孔在朝向所述第一電子元件的方向上具有漸縮的形狀。
12、在一些實施例中，所述第二導熱件是連續延伸的導熱件。
13、在一些實施例中，所述第一導熱件包括離散分布的多個子導熱件。
14、在一些實施例中，所述多個子導熱件位于不同的水平面處。
15、在一些實施例中，該封裝結構還包括：模制化合物，密封所述第二電子元件和所述熱通孔，其中，所述模制化合物的頂面與所述第二電子元件和所述熱通孔的頂面齊平，所述模制化合物、所述第二電子元件和所述熱通孔的頂面是遠離所述導線結構的表面。
16、在一些實施例中，所述第二導熱件與所述第一導熱件在相同的方向上延伸。
17、在一些實施例中，所述熱通孔由石墨烯制成。
18、在一些實施例中，所述第一導熱件和所述第二導熱件均由石墨烯制成。
19、本申請的另一些實施例還提供了一種封裝結構，其特征在于，包括：導線結構；第一電子元件，嵌入在所述導線結構內；導熱結構，延伸穿過所述導線結構并且設置在所述第一電子元件周圍，其中，所述導熱結構與所述第一電子元件的上表面和下表面均接觸，所述上表面與所述下表面相對。
20、在一些實施例中，所述導熱結構包括延伸穿過所述導線結構的熱通孔以及與所述熱通孔接觸的第一導熱件和第二導熱件。
21、在一些實施例中，所述第一導熱件設置在所述第一電子元件下方和所述第一電子元件周圍，其中，所述熱通孔與所述第一電子元件的所述上表面接觸，并且所述第一導熱件與所述第一電子元件的所述下表面接觸。
22、本申請提供的封裝結構具有較好的散熱性能，利用石墨烯制成的熱通孔可以用于增強封裝結構中的高導熱性能。
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1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一導熱件在與所述熱通孔垂直的方向上延伸。
5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一電子元件還包括面向所述導線結構的有源面以及與所述有源面相對的下表面以及連接所述有源面和所述下表面的側面，
7.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一電子元件具有遠離所述導線結構的下表面，
8.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，所述第二導熱件是連續延伸的導熱件。
9.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一導熱件包括離散分布的多個子導熱件。
10.根據權利要求9所述的封裝結構，其特征在于，所述多個子導熱件位于不同的水平面處。
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一導熱件在與所述熱通孔垂直的方向上延伸。
5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一電子元件還包括面向所述導線結構的有源面以及與所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂文隆，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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