【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種透明導電電極及其制備方法，以及應用該透明導電電極的半導體器件。
技術介紹
1、透明導電電極是太陽能電池、液晶顯示器、發光二極管以及觸摸屏等各種光電設備的重要組成部分，例如，透明導電電極在汽車內飾智能表面、車載顯示觸摸屏中應用廣泛，隨著汽車智能化發展，對透明導電電極的需求也增長迅速。
2、目前使用最廣泛的透明導電電極材料是氧化銦錫(indium?tin?oxide，ito)，然而，ito透明導電層的方阻相對較高，通常在100ω/sq-200ω/sq，如果將ito透明導電層加厚或者在其中摻雜微量銀等金屬或者與金屬導流條結合，可以把方阻降到10ω/sq-30ω/sq，但此時，ito透明導電層的透過率就會大大降低，霧度也會升高，犧牲了光學性能；而且金屬通常容易被腐蝕，導致透明導電層及使用其的器件的穩定性降低。
3、因此，如何使得透明導電電極兼顧良好的導電性、透光性和穩定性，成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、為解決上述技術問題，本申請實施例提供了一種透明導電電極及其制備方法，以及應用該透明導電電極的半導體器件，以使得透明導電電極兼顧良好的導電性、透光性和穩定性。
2、為實現上述目的，本申請實施例提供了如下技術方案：
3、一種透明導電電極，包括：
4、透明基底，所述透明基底具有第一表面；
5、透明導電層，位于所述透明基底的第一表面上；
6、金屬線層，位于所述
7、所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層，且所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面設置有保護層，所述保護層的材質為所述金屬線層中的金屬的氧化物。
8、可選的，所述多條金屬線包括沿第一方向延伸的金屬線和沿第二方向延伸的金屬線，所述第一方向與所述第二方向相交，且所述第一方向和所述第二方向均平行于所述透明基底的第一表面。
9、可選的，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層包括：
10、所述透明導電層裸露所述金屬線層中所述金屬線背離所述基底的至少部分表面；
11、所述保護層覆蓋所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面。
12、可選的，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層還包括：
13、所述透明導電層還裸露所述金屬線層中所述金屬線的至少部分側面；
14、所述保護層還覆蓋所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線的側面。
15、可選的，所述金屬線層中的金屬包括al、mg、zn、fe、ti和sn中的至少一種，所述保護層相應包括al2o3、mgo、zno、fe2o3、fe3o4、tio和sno中的至少一種。
16、一種透明導電電極的制備方法，包括：
17、提供一透明基底，所述透明基底具有第一表面；
18、在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層，所述透明導電層位于所述透明基底的第一表面上，所述金屬線層位于所述透明導電層背離所述透明基底的表面上，或者，在垂直于所述透明基底的第一表面的方向上嵌入至少部分所述透明導電層內，所述金屬線層包括多條金屬線，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層；
19、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層，所述保護層的材質為所述金屬線層中的金屬的氧化物。
20、可選的，在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層具體包括：
21、在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層；
22、在所述透明導電層背離所述透明基底的表面上形成金屬線層，所述金屬線層包括多條金屬線，所述透明導電層裸露所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面以及所述金屬線的側面；
23、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層包括：
24、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面以及所述金屬線的側面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面以及所述金屬線的側面形成保護層。
25、可選的，在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層具體包括：
26、在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層；
27、在所述透明導電層背離所述透明基底的表面上形成金屬線層，所述金屬線層包括多條金屬線；
28、在垂直于所述透明基底的第一表面的方向上，將所述金屬線層壓入至少部分所述透明導電層內，使所述透明導電層至少裸露所述金屬線層中所述金屬線背離所述基底的表面；
29、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層包括：
30、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面形成保護層。
31、可選的，在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層具體包括：
32、在所述透明基底的第一表面形成金屬線層，所述金屬線層包括多條金屬線；
33、在所述透明基底的第一表面除所述金屬線層所在區域之外的其他區域形成透明導電層，使所述透明導電層至少裸露所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的部分表面；
34、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層包括：
35、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線背離所述透明基底的表面形成保護層。
36、可選的，所述透明導電層還裸露所述金屬線層中所述金屬線的部分側面，對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層還包括：
37、對所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線的側面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層中所述金屬線的側面形成保護層。
38、可選的，對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理的過程包括：
39、在氧氣濃度≥20％、相對濕度≤50％以及溫度≥20℃的空氣環境下，使所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面的金屬與氧氣反應，氧化時間≥24h，從而在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成所述保護層。
40、一種半導體器件，包括透明導電電極，所述透明導電電極為上述任一項所述的透明導電電極，或者由上述任本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種透明導電電極，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的透明導電電極，其特征在于，所述多條金屬線包括沿第一方向延伸的金屬線和沿第二方向延伸的金屬線，所述第一方向與所述第二方向相交，且所述第一方向和所述第二方向均平行于所述透明基底的第一表面。
3.根據權利要求1所述的透明導電電極，其特征在于，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層包括：
4.根據權利要求3所述的透明導電電極，其特征在于，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層還包括：
5.根據權利要求1-4任一項所述的透明導電電極，其特征在于，所述金屬線層中的金屬包括Al、Mg、Zn、Fe、Ti和Sn中的至少一種，所述保護層相應包括Al2O3、MgO、ZnO、Fe2O3、Fe3O4、TiO和SnO中的至少一種。
6.一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層具體包括：
8.根據權利要求6所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于
9.根據權利要求6所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，在所述透明基底的第一表面上形成透明導電層和金屬線層具體包括：
10.根據權利要求8或9所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，所述透明導電層還裸露所述金屬線層中所述金屬線的部分側面，對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理，在所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面形成保護層還包括：
11.根據權利要求6所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，對所述透明導電層裸露的所述金屬線層表面進行氧化處理的過程包括：
12.一種半導體器件，其特征在于，包括透明導電電極，所述透明導電電極為權利要求1-5任一項所述的透明導電電極，或者由權利要求6-11任一項所述的方法制備得到的透明導電電極。
...【技術特征摘要】
1.一種透明導電電極，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的透明導電電極，其特征在于，所述多條金屬線包括沿第一方向延伸的金屬線和沿第二方向延伸的金屬線，所述第一方向與所述第二方向相交，且所述第一方向和所述第二方向均平行于所述透明基底的第一表面。
3.根據權利要求1所述的透明導電電極，其特征在于，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層包括：
4.根據權利要求3所述的透明導電電極，其特征在于，所述透明導電層裸露至少部分所述金屬線層還包括：
5.根據權利要求1-4任一項所述的透明導電電極，其特征在于，所述金屬線層中的金屬包括al、mg、zn、fe、ti和sn中的至少一種，所述保護層相應包括al2o3、mgo、zno、fe2o3、fe3o4、tio和sno中的至少一種。
6.一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，在所述透明基底的第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李梟雄，張琦松，洪義平，
申請(專利權)人：北京鮮猿電子設備制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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