【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及能使導體穿過的管、套領域，尤其涉及一種穿墻套管。
技術介紹
1、在“雙碳”背景下，環保型、無氟化的開關設備將具備廣泛應用前景，絕緣體是環保開關設備不可或缺的元器件，而現有的絕緣體存在環氧樹脂用量大、體積大的問題。如申請公布號為cn117080963a的中國專利技術專利公布了一種穿墻套管，該穿墻套管包括絕緣套和澆注在絕緣套內的中心導體，絕緣套的套體內還澆注有高壓屏蔽件和接地屏蔽件，高壓屏蔽件呈筒狀套裝在中心導體上并與中心導體等電位連接，且其兩端分別延伸至接近絕緣套的兩端端面的位置；接地屏蔽件同心套裝在中心導體外并與金屬連接嵌件連接以實現穿墻套管的接地。其中，高壓屏蔽件呈筒狀且其兩端延伸至絕緣套兩端端面，如此，在澆注絕緣材料時，絕緣材料需經過中心導體以及高壓屏蔽罩端部的空隙才能進入兩者之間的間隙空間將中心導體包覆，絕緣材料具有一定的稠度，因此澆注時不可避免會形成澆注缺陷，同時，絕緣套呈圓柱狀，因絕緣套需保證穿墻套管的絕緣特性，則需按照最大場強處設置絕緣套的厚度，如此，絕緣材料用量大，絕緣套的體積也較大。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種穿墻套管，以解決現有的穿墻套管為保證其絕緣特性，絕緣材料用量大導致絕緣套體積較大的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術一種穿墻套管包括絕緣體以及澆注在絕緣體內的中心導體，絕緣體具有用于與氣箱連接的連接結構，絕緣體內還澆注有高壓屏蔽件和接地屏蔽件，接地屏蔽件為管狀，中心導體從接地屏蔽件中穿過，高壓屏蔽件處于絕緣
3、本專利技術針對現有技術中穿墻套管為保證其絕緣特性，絕緣材料用量大最終導致絕緣套體積較大的問題提出了一種全新的技術方案，將高壓屏蔽件套裝在中心導體外、位于絕緣體端部的位置，并使用具有鼓凸部以及凹陷部的絕緣體將高壓屏蔽件、接地屏蔽件以及中心導體包覆在其中，接地屏蔽件的端部以及其端部外側的高壓屏蔽件均處于鼓凸部內，凹陷部對應于接地屏蔽件的端部和連接結構之間的位置設置。高壓屏蔽件和接地屏蔽件的端部（即高場強區域）外包覆較厚的絕緣層，可以保證絕緣件的絕緣特性，而接地屏蔽件的端部和連接結構之間的位置（即低場強區域）則不需要較厚的絕緣材料，可在其外包覆較薄的絕緣層，如此，可節省絕緣材料的用量。本專利技術根據中心導體的沿面場強設計絕緣體的厚度，相較于現有技術，在保證穿墻套管的絕緣性的前提下，可降低絕緣材料用量15%-20%，減小了絕緣體的體積。
4、進一步地，所述高壓屏蔽件包括第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件，第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件在垂直于中心導體軸線的方向上延伸，并沿中心導體的軸線方向間隔設置。
5、進一步地，所述第一高壓屏蔽件更靠近中心導體的端部，且第二高壓屏蔽件的直徑大于第一高壓屏蔽件的直徑。
6、進一步地，所述第一高壓屏蔽件的截面呈碗狀，且開口朝向中心導體端部，絕緣體在與中心導體以及空氣的交界處設置有環形內陷，環形內陷的至少部分區域位于第一高壓屏蔽件內。
7、進一步地，所述連接結構位于絕緣體的一端，高壓屏蔽件位于絕緣體的另一端。
8、進一步地，所述連接結構位于絕緣體的中部，高壓屏蔽件處于絕緣體的兩端。
9、進一步地，所述中心導體為一端開口的筒狀導體，筒狀導體的封口端從絕緣體的第一端伸出，開口端沉于絕緣體的第二端內，絕緣體的第二端在對應于筒狀導體開口的位置具有避讓出線電纜以供出線電纜插入筒狀導體內的避讓孔，高壓屏蔽件位于絕緣體的第一端。
10、進一步地，在中心導體的開口端處還設置有第三高壓屏蔽件，第三高壓屏蔽件的截面呈碗狀，開口朝向絕緣體的第二端并將中心導體的開口端罩在內部，接地屏蔽件從連接結構處向第一端延伸并將第三高壓屏蔽件罩在內部。
11、進一步地，所述高壓屏蔽件上設置有有助于絕緣材料流動澆注的過流孔。
12、進一步地，所述高壓屏蔽件包括環狀屏蔽端以及連接環狀屏蔽端與中心導體的連接柱，高壓屏蔽件連接在中心導體上后，相鄰連接柱之間的空間構成所述的過流孔。
13、進一步地，所述高壓屏蔽件包括環板狀的屏蔽端，環板狀的屏蔽端的中心孔供中心導體穿過，中心孔的內壁面與中心導體連接，且其環面上設置有貫通孔，貫通孔構成所述的過流孔。
14、進一步地，所述環板狀的屏蔽端從邊緣向中間厚度逐漸增大，且端部到中間為圓弧形過渡。
15、進一步地，所述高壓屏蔽件為屏蔽網，屏蔽網包括呈筒狀套裝在中心導體上的豎直延伸端以及從豎直延伸端端部延伸的水平延伸端，屏蔽網的網孔構成所述的過流孔。
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1.一種穿墻套管，其特征在于：包括絕緣體以及澆注在絕緣體內的中心導體，絕緣體具有用于與氣箱連接的連接結構，絕緣體內還澆注有高壓屏蔽件和接地屏蔽件，接地屏蔽件為管狀，中心導體從接地屏蔽件中穿過，高壓屏蔽件處于絕緣體的端部附近位置且套在中心導體外側，高壓屏蔽件處于接地屏蔽件的軸向外側，絕緣體的外輪廓為圓滑曲線，且具有徑向凸出的鼓凸部以及相對鼓凸部內凹的凹陷部，鼓凸部處于絕緣體的遠離連接結構的端部位置，接地屏蔽件的端部以及其端部外側的高壓屏蔽件均處于鼓凸部內，凹陷部對應于接地屏蔽件的端部和連接結構之間的位置設置。
2.根據權利要求1所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件包括第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件，第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件在垂直于中心導體軸線的方向上延伸，并沿中心導體的軸線方向間隔設置。
3.根據權利要求2所述的穿墻套管，其特征在于：第一高壓屏蔽件更靠近中心導體的端部，且第二高壓屏蔽件的直徑大于第一高壓屏蔽件的直徑。
4.根據權利要求3所述的穿墻套管，其特征在于：所述第一高壓屏蔽件的截面呈碗狀，且開口朝向中心導體端部，絕緣體在與中心導
5.根據權利要求4所述的穿墻套管，其特征在于：所述連接結構位于絕緣體的一端，高壓屏蔽件位于絕緣體的另一端。
6.根據權利要求4所述的穿墻套管，其特征在于：所述連接結構位于絕緣體的中部，高壓屏蔽件處于絕緣體的兩端。
7.根據權利要求5所述的穿墻套管，其特征在于：所述中心導體為一端開口的筒狀導體，筒狀導體的封口端從絕緣體的第一端伸出，開口端沉于絕緣體的第二端內，絕緣體的第二端在對應于筒狀導體開口的位置具有避讓出線電纜以供出線電纜插入筒狀導體內的避讓孔，高壓屏蔽件位于絕緣體的第一端。
8.根據權利要求7所述的穿墻套管，其特征在于：在中心導體的開口端處還設置有第三高壓屏蔽件，第三高壓屏蔽件的截面呈碗狀，開口朝向絕緣體的第二端并將中心導體的開口端罩在內部，接地屏蔽件從連接結構處向第一端延伸并將第三高壓屏蔽件罩在內部。
9.根據權利要求1所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件上設置有有助于絕緣材料流動澆注的過流孔。
10.根據權利要求9所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件包括環狀屏蔽端以及連接環狀屏蔽端與中心導體的連接柱，高壓屏蔽件連接在中心導體上后，相鄰連接柱之間的空間構成所述的過流孔。
11.根據權利要求9所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件包括環板狀的屏蔽端，環板狀的屏蔽端的中心孔供中心導體穿過，中心孔的內壁面與中心導體連接，且其環面上設置有貫通孔，貫通孔構成所述的過流孔。
12.根據權利要求11所述的穿墻套管，其特征在于：所述環板狀的屏蔽端從邊緣向中間厚度逐漸增大，且端部到中間為圓弧形過渡。
13.根據權利要求9所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件為屏蔽網，屏蔽網包括呈筒狀套裝在中心導體上的豎直延伸端以及從豎直延伸端端部延伸的水平延伸端，屏蔽網的網孔構成所述的過流孔。
...【技術特征摘要】
1.一種穿墻套管，其特征在于：包括絕緣體以及澆注在絕緣體內的中心導體，絕緣體具有用于與氣箱連接的連接結構，絕緣體內還澆注有高壓屏蔽件和接地屏蔽件，接地屏蔽件為管狀，中心導體從接地屏蔽件中穿過，高壓屏蔽件處于絕緣體的端部附近位置且套在中心導體外側，高壓屏蔽件處于接地屏蔽件的軸向外側，絕緣體的外輪廓為圓滑曲線，且具有徑向凸出的鼓凸部以及相對鼓凸部內凹的凹陷部，鼓凸部處于絕緣體的遠離連接結構的端部位置，接地屏蔽件的端部以及其端部外側的高壓屏蔽件均處于鼓凸部內，凹陷部對應于接地屏蔽件的端部和連接結構之間的位置設置。
2.根據權利要求1所述的穿墻套管，其特征在于：所述高壓屏蔽件包括第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件，第一高壓屏蔽件和第二高壓屏蔽件在垂直于中心導體軸線的方向上延伸，并沿中心導體的軸線方向間隔設置。
3.根據權利要求2所述的穿墻套管，其特征在于：第一高壓屏蔽件更靠近中心導體的端部，且第二高壓屏蔽件的直徑大于第一高壓屏蔽件的直徑。
4.根據權利要求3所述的穿墻套管，其特征在于：所述第一高壓屏蔽件的截面呈碗狀，且開口朝向中心導體端部，絕緣體在與中心導體以及空氣的交界處設置有環形內陷，環形內陷的至少部分區域位于第一高壓屏蔽件內。
5.根據權利要求4所述的穿墻套管，其特征在于：所述連接結構位于絕緣體的一端，高壓屏蔽件位于絕緣體的另一端。
6.根據權利要求4所述的穿墻套管，其特征在于：所述連接結構位于絕緣體的中部，高壓屏蔽件處于絕緣體的兩端。
7.根據權利要求5所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳小釗，李猛，白維正，張玉蟬，湯清雙，趙瑩，遵明偉，張鵬，梁利娟，
申請(專利權)人：許繼德理施爾電氣有限公司，
類型：發明
國別省市：
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