【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及半導體結構的制備方法。
技術介紹
1、常規的半導體結構容易發生電壓下降的情況，是由于金屬、焊料膏、銅片或鉬片與摻氧多晶硅接觸，導致摻氧多晶硅失效。因此需要對摻氧多晶硅進行保護。
2、現有技術通常應用鈍化層保護摻氧多晶硅，而常規的鈍化層通常以氧化層為主，但是氧化層自身存在鈉離子和鉀離子，且對封裝要求較高，會出現良率下降和可靠性失效的情況。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種半導體結構及半導體結構的制備方法，以避免摻氧多晶硅層失效，提高半導體結構的良率及可靠性。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種半導體結構，該半導體結構包括：襯底；襯底的表面包括芯片單元；
3、第一氧化層；第一氧化層位于襯底的一側；
4、摻氧多晶硅層；摻氧多晶硅層位于第一氧化層遠離襯底的一側；摻氧多晶硅層在襯底的投影面積小于第一氧化層在襯底的投影面積；
5、氮化硅層；氮化硅層位于摻氧多晶硅層遠離襯底的一側；氮化硅層覆蓋摻氧多晶硅層；
6、第二氧化層；第二氧化層位于氮化硅層遠離襯底的一側；第二氧化層覆蓋氮化硅層。
7、可選的，芯片單元包括pn結；
8、第一氧化層通過低壓化學氣相沉積工藝形成；
9、第一氧化層的厚度為大于或等于5000埃米且小于或等于6000埃米。
10、可選的，摻氧多晶硅層通過分解硅烷形成；
11、摻氧多晶硅層的厚度為大于
12、可選的，氮化硅層通過二氯氫硅和氨氣反應形成；
13、氮化硅層的厚度為大于或等于1000埃米且小于或等于3000埃米。
14、可選的，第二氧化層的厚度大于氮化硅層的厚度；
15、形成第二氧化層所需的溫度小于形成第一氧化層所需的溫度。
16、可選的，氮化硅層和第二氧化層均為絕緣層；摻氧多晶硅層為半絕緣層。
17、可選的，半絕緣層的電阻大于半導體且小于絕緣體；半絕緣層的電介質常數大于絕緣體且小于半導體。
18、可選的，該半導體結構還包括：金屬層；
19、金屬層位于第二氧化層遠離襯底的一側；
20、金屬層覆蓋部分第二氧化層。
21、可選的，金屬層包括至少四層金屬結構；至少四層金屬結構包括鋁、鈦、鎳或銀；
22、至少四層金屬結構按照預設順序依次沉積。
23、根據本專利技術的另一方面，提供了一種半導體結構的制備方法，該半導體結構的制備方法包括：
24、提供襯底；襯底的表面包括芯片單元；
25、在襯底的一側形成第一氧化層；
26、在第一氧化層遠離襯底的一側形成摻氧多晶硅層；其中，摻氧多晶硅層在襯底的投影面積小于第一氧化層在襯底的投影面積；
27、在摻氧多晶硅層遠離襯底的一側形成氮化硅層；氮化硅層覆蓋摻氧多晶硅層；
28、在氮化硅層遠離襯底的一側形成第二氧化層；第二氧化層覆蓋氮化硅層。
29、本專利技術實施例的技術方案，在襯底的一側設置第一氧化層，在第一氧化層遠離襯底的一側設置摻氧多晶硅層，且摻氧多晶硅層在襯底的投影面積小于第一氧化層在襯底的投影面積，在摻氧多晶硅層遠離襯底的一側設置氮化硅層，且氮化硅層覆蓋摻氧多晶硅層，在氮化硅層遠離襯底的一側設置第二氧化層，第二氧化層覆蓋氮化硅層，進而形成高可靠性的鈍化層，保護摻氧多晶硅層，避免摻氧多晶硅層接觸金屬、焊料膏、銅片或鉬片而引發失效，提高半導體結構的良率及可靠性。
30、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本專利技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術的范圍。本專利技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
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1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述芯片單元包括PN結；
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述摻氧多晶硅層通過分解硅烷形成；
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述氮化硅層通過二氯氫硅和氨氣反應形成；
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第二氧化層的厚度大于所述氮化硅層的厚度；
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述氮化硅層和所述第二氧化層均為絕緣層；所述摻氧多晶硅層為半絕緣層。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述半絕緣層的電阻大于半導體且小于絕緣體；所述半絕緣層的電介質常數大于絕緣體且小于半導體。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：金屬層；
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬層包括至少四層金屬結構；所述至少四層金屬結構包括鋁、鈦、鎳或銀；
10.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述芯片單元包括pn結；
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述摻氧多晶硅層通過分解硅烷形成；
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述氮化硅層通過二氯氫硅和氨氣反應形成；
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第二氧化層的厚度大于所述氮化硅層的厚度；
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹善通，管國棟，張常軍，芮濤濤，
申請(專利權)人：馬鞍山市檳城電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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