【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶圓清洗，特別涉及一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽。
技術介紹
1、伴隨ic集成度的提高，晶圓表面的潔凈度對于獲得ic器件高性能和高成品率至關重要，晶圓清洗也顯得尤為重要叫。清洗是為了減少玷污,因玷污會影響器件的性能，導致可靠性問題，降低成品率，這就要求在每層的下一步工藝前進行徹底地清洗。通常，在槽式的濕法清洗設備中，晶圓在每一道化學液清洗流程后，一般會緊接著快速排水清洗步驟，來除去上一道工藝流程中沾附在晶圓上的材料微粒和化學液殘留物。目前，在晶圓的清洗潔凈過程中，利用快排槽進行快速排水清洗法是比較常見的一種晶圓清洗方式。所謂快速排水清洗法是先將晶圓完全浸泡于快排槽的去離子水中,再快速地排除清洗槽中的去離子水，與此同時,利用噴嘴對晶圓噴灑去離子水，用于達到清洗晶圓的目的。
2、現有的濕法清洗設備中快排槽是清洗工序中不可缺少的一部分，它主要用于去除晶圓表面微粒雜質和殘留的化學藥液，使晶圓表面達到潔凈。其結構可參考授權公告號為cn?115945434b的中國專利。
3、上述專利中的槽體的內壁上設置磁體，通過磁體對去離子水中做上升運動的氮氣泡產生磁場作用，由于氮氣具有逆磁形，通過磁場作用可使得氮氣泡做遠離電阻率檢測探頭的運動，進而提高檢測精度；在實際應用中，針對不同微粒雜質和殘留的化學藥液的清洗，其去離子水的溫度需要發生相應的改變，而去離子水的溫度對氮氣氣泡的上升速度產生影響（溫度越高，氮氣氣泡上升的速度就越快），此時需要根據溫度的不同更換安裝不同磁場強度的磁體以滿足驅動汽包遠離電阻率檢測探頭以
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，用于解決現有技術中需要根據去離子水溫度的不同人工更換安裝不同磁場強度的磁體的技術問題。
2、為實現上述目的，本申請提供如下技術方案：一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，包括內腔底部安裝有氮氣曝氣管的晶圓快排槽，所述晶圓快排槽上設置有噴淋管和用于對槽內去離子水進行電阻率檢測的檢測單元，所述晶圓快排槽靠近所述檢測單元一側的外壁上設置有磁體，所述磁體設置為電磁鐵，還包括安裝在所述晶圓快排槽上的自動調磁單元，根據所述晶圓快排槽內去離子水的溫度變化自動調節所述磁體的磁性大小，以滿足利用磁場驅離氮氣泡的要求。
3、作為本實施例中的一種優選地實施方式，所述自動調磁單元包括下端安裝在所述晶圓快排槽內壁上的導熱管，所述導熱管的上方設置有活動立桿，且所述活動立桿的下端位于所述導熱管的內腔，所述活動立桿的下端固定有彈性密封頭，且所述彈性密封頭的外壁與所述導熱管的內壁滑動抵觸，所述活動立桿的上端安裝有齒板，且所述齒板與電流控制器的調節旋鈕齒接，所述電流控制器設置在所述晶圓快排槽的上方；
4、所述活動立桿的下端與所述導熱管內壁之間圍成的膨脹腔內填充有氦氣；
5、所述電流控制器與所述磁體電性連接。
6、作為本實施例中的一種優選地實施方式，還包括分段上升單元，用于控制所述齒板分段向上運動。
7、作為本實施例中的一種優選地實施方式，所述分段上升單元包括空心管，所述空心管套設在所述導熱管上端外圍并與所述活動立桿固定連接，所述空心管的下端位于所述晶圓快排槽的上端，所述空心管的內壁上設置設置有接觸頭，且所述接觸頭的上下面均設置有斜面，所述導熱管靠近所述接觸頭的外壁上均呈下至上依次排列設置有空心柱，且所述空心柱的內腔通過彈簧連接有伸縮頭，所述伸縮頭的上下端均設置有斜面。
8、作為本實施例中的一種優選地實施方式，還包括無接觸驅動單元，使得移動的所述接觸頭能夠無接觸帶動相對應的所述伸縮頭做進出所述空心柱內腔的運動。
9、作為本實施例中的一種優選地實施方式，所述無接觸驅動單元包括設置所述接觸頭以及所述伸縮頭的兩個斜面上的永磁體，所述接觸頭上方設置的所述永磁體的上端磁極與所述伸縮頭下方設置的所述永磁體的下端磁極相同；
10、所述接觸頭下方設置的所述永磁體的下端磁極與所述伸縮頭上方設置的所述永磁體的上端磁極相同。
11、作為本實施例中的一種優選地實施方式，多個所述空心柱中從下至上數，相鄰兩個所述空心柱之間的間距越來小，且相對應所述從下至上數，所述彈簧的彈性系數越來越大。
12、作為本實施例中的一種優選地實施方式，所述接觸頭相對設置為兩組，相對應所述空心柱、所述彈簧以及所述伸縮頭設置為兩排。
13、綜上，本專利技術的技術效果和優點：
14、本專利技術結構合理，通過設置的自動調磁單元，根據晶圓快排槽內去離子水的溫度變化自動調節磁體的磁性大小，以滿足利用磁場驅離氮氣泡的要求；
15、本專利技術中，還設置有分段上升單元，用于控制齒板分段向上運動，這種分段上升的方式實現了一種對溫度的精確響應，從而實現對磁場強度的精確控制，同時由于每次上升都是有限的，因此即使在水溫突然升高的情況下，齒板也不會一下子上升到極限位置，從而避免了因過度調整而導致的系統失衡，進一步提高系統的穩定性和可靠性；
16、本專利技術中，下至上數，相鄰兩個所述空心柱之間的間距越來小，且相對應所述從下至上數，所述彈簧的彈性系數越來越大，這種設置使得在水溫逐漸升高的過程中，能夠更細膩地響應溫度的變化，從而實現對水溫變化的更細致控制。
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1.一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，包括內腔底部安裝有氮氣曝氣管（2）的晶圓快排槽（1），所述晶圓快排槽（1）上設置有噴淋管（4）和用于對槽內去離子水進行電阻率檢測的檢測單元（5），所述晶圓快排槽（1）靠近所述檢測單元（5）一側的外壁上設置有磁體（3），其特征在于；所述磁體（3）設置為電磁鐵，還包括安裝在所述晶圓快排槽（1）上的自動調磁單元（6），根據所述晶圓快排槽（1）內去離子水的溫度變化自動調節所述磁體（3）的磁性大小，以滿足利用磁場驅離氮氣泡的要求。
2.根據權利要求1所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述自動調磁單元（6）包括下端安裝在所述晶圓快排槽（1）內壁上的導熱管（61），所述導熱管（61）的上方設置有活動立桿（66），且所述活動立桿（66）的下端位于所述導熱管（61）的內腔，所述活動立桿（66）的下端固定有彈性密封頭（67），且所述彈性密封頭（67）的外壁與所述導熱管（61）的內壁滑動抵觸，所述活動立桿（66）的上端安裝有齒板（65），且所述齒板（65）與電流控制器（63）的調節旋鈕（64）齒接，所述電流控制器（63）設置在所述
3.根據權利要求2所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：還包括分段上升單元，用于控制所述齒板（65）分段向上運動。
4.根據權利要求3所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述分段上升單元包括空心管（62），所述空心管（62）套設在所述導熱管（61）上端外圍并與所述活動立桿（66）固定連接，所述空心管（62）的下端位于所述晶圓快排槽（1）的上端，所述空心管（62）的內壁上設置設置有接觸頭（611），且所述接觸頭（611）的上下面均設置有斜面，所述導熱管（61）靠近所述接觸頭（611）的外壁上均呈下至上依次排列設置有空心柱（68），且所述空心柱（68）的內腔通過彈簧（69）連接有伸縮頭（610），所述伸縮頭（610）的上下端均設置有斜面。
5.根據權利要求4所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：還包括無接觸驅動單元，使得移動的所述接觸頭（611）能夠無接觸帶動相對應的所述伸縮頭（610）做進出所述空心柱（68）內腔的運動。
6.根據權利要求5所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述無接觸驅動單元包括設置所述接觸頭（611）以及所述伸縮頭（610）的兩個斜面上的永磁體（612），所述接觸頭（611）上方設置的所述永磁體（612）的上端磁極與所述伸縮頭（610）下方設置的所述永磁體（612）的下端磁極相同；
7.根據權利要求4所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：多個所述空心柱（68）中從下至上數，相鄰兩個所述空心柱（68）之間的間距越來小，且相對應所述從下至上數，所述彈簧（69）的彈性系數越來越大。
8.根據權利要求4所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述接觸頭（611）相對設置為兩組，相對應所述空心柱（68）、所述彈簧（69）以及所述伸縮頭（610）設置為兩排。
...【技術特征摘要】
1.一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，包括內腔底部安裝有氮氣曝氣管（2）的晶圓快排槽（1），所述晶圓快排槽（1）上設置有噴淋管（4）和用于對槽內去離子水進行電阻率檢測的檢測單元（5），所述晶圓快排槽（1）靠近所述檢測單元（5）一側的外壁上設置有磁體（3），其特征在于；所述磁體（3）設置為電磁鐵，還包括安裝在所述晶圓快排槽（1）上的自動調磁單元（6），根據所述晶圓快排槽（1）內去離子水的溫度變化自動調節所述磁體（3）的磁性大小，以滿足利用磁場驅離氮氣泡的要求。
2.根據權利要求1所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述自動調磁單元（6）包括下端安裝在所述晶圓快排槽（1）內壁上的導熱管（61），所述導熱管（61）的上方設置有活動立桿（66），且所述活動立桿（66）的下端位于所述導熱管（61）的內腔，所述活動立桿（66）的下端固定有彈性密封頭（67），且所述彈性密封頭（67）的外壁與所述導熱管（61）的內壁滑動抵觸，所述活動立桿（66）的上端安裝有齒板（65），且所述齒板（65）與電流控制器（63）的調節旋鈕（64）齒接，所述電流控制器（63）設置在所述晶圓快排槽（1）的上方；
3.根據權利要求2所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：還包括分段上升單元，用于控制所述齒板（65）分段向上運動。
4.根據權利要求3所述的一種具有磁性自調節功能的晶圓快排槽，其特征在于：所述分段上升單元包括空心管（62），所述空心管（62）套設在所述導熱管（61）上端外圍并與所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王剛，邵毅，馮校亮，
申請(專利權)人：安徽富樂德長江半導體材料股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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