【技術實現步驟摘要】
本申請涉及芯片，例如涉及一種用于芯片的模擬量測量電路和模擬量測量設備。
技術介紹
1、目前，隨著集成電路工藝的發展，芯片的集成度越來越高，功能越來越多。
2、相關技術中，為了保證芯片各電路的正常工作，除了在裸片(die)上設置用于正常驅動芯片工作的io引腳之外，還需要放置多個用于對芯片進行壓力測試或者模擬量測量的測試引腳。然而，在芯片上設置較多的測試引腳，會增加芯片的設計難度，并且會浪費芯片面積，不利于芯片的小型化。
3、需要說明的是，在上述
技術介紹
部分公開的信息僅用于加強對本申請的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
技術實現思路
1、為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。所述概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵/重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細說明的序言。
2、本公開實施例提供了一種用于芯片的模擬量測量電路和模擬量測量設備，能夠降低芯片的設計難度，減少芯片面積的浪費，有利于芯片的小型化。
3、在一些實施例中，用于芯片的模擬量測量電路，包括：控制電路、正高壓開關電路、正低壓開關電路和模擬量開關電路；正高壓開關電路與芯片的測試引腳和控制電路連接，用于響應控制電路生成的第一控制信號，使芯片的測試引腳與待測正高壓的輸出端連通；正低壓開關電路與芯片的測試引腳和控制電路連接，用于響應控制電路生成的第二控制信號，使芯片的測試引腳與待測正低壓的輸出端連通；模擬量
4、可選地，正高壓開關電路包括：第一pmos管、第二pmos管、第一電平轉換電路和第二電平轉換電路；第一pmos管的源極和襯底與芯片的測試引腳連接；第二pmos管的源極和襯底與待測正高壓的輸出端連接，第二pmos管的漏極與第一pmos管的漏極連接；第一電平轉換電路的第一輸入端與控制電路連接，第二輸入端與芯片的測試引腳連接，第二輸出端與第一pmos管的柵極連接；第二電平轉換電路的第一輸入端與控制電路連接，第二輸入端與待測正高壓的輸出端連接，第二輸出端與第二pmos管的柵極連接。
5、可選地，正低壓開關電路包括：第三pmos管、第四pmos管、第三電平轉換電路和第四電平轉換電路；第三pmos管的源極和襯底與芯片的測試引腳連接；第四pmos管的源極和襯底與待測正低壓的輸出端連接，第四pmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接；第三電平轉換電路的第一輸入端與控制電路連接，第二輸入端與芯片的測試引腳連接，第二輸出端與第三pmos管的柵極連接；第四電平轉換電路的第一輸入端與控制電路連接，第二輸入端與待測正低壓的輸出端連接，第二輸出端與第四pmos管的柵極連接。
6、可選地，模擬量開關電路包括：第一nmos管和第五電平轉換電路；第一nmos管的源極與芯片的測試引腳連接，第一nmos管的漏極與待測模擬量的輸出端連接；第五電平轉換電路的第一輸入端與控制電路連接，第二輸入端與待測正低壓的輸出端連接，第一輸出端與第一nmos管的柵極連接。
7、可選地，用于芯片的模擬量測量電路還包括：上拉電路；上拉電路的輸出端與芯片的測試引腳連接，用于降低芯片的測試引腳處于懸空狀態時受到的電磁干擾。
8、可選地，上拉電路包括：上拉電源和第二nmos管；第二nmos管的柵極與控制電路連接，第二nmos管的源極與上拉電源連接，第二nmos管的漏極與芯片的測試引腳連接。
9、可選地，用于芯片的模擬量測量電路還包括：保護電路；保護電路的輸入端與芯片的測試引腳連接，輸出端與地線連接。
10、可選地，保護電路包括：第三nmos管和保護電阻；第三nmos管的源極與芯片的測試引腳連接，第三nmos管的漏極與地線連接；保護電阻的一端與第三nmos管的柵極連接，另一端與第三nmos管的漏極連接。
11、可選地，控制電路為邏輯控制電路或者微控制器。
12、在一些實施例中，用于芯片的模擬量測量設備，包括：設備本體；如上述的用于芯片的模擬量測量電路，設置于設備本體。
13、本公開實施例提供的用于芯片的模擬量測量電路和模擬量測量設備，可以實現以下技術效果：
14、本公開實施例中，提供了一種包括控制電路、正高壓開關電路、正低壓開關電路和模擬量開關電路的用于芯片的模擬量測量電路。其中，正高壓開關電路與芯片的測試引腳和控制電路連接，可以響應控制電路生成的第一控制信號，使芯片的測試引腳與待測正高壓的輸出端連通，實現對芯片的正高壓的測量。正低壓開關電路與芯片的測試引腳和控制電路連接，可以響應控制電路生成的第二控制信號，芯片的測試引腳與待測正低壓的輸出端連通，實現對芯片的正低壓的測量。模擬量開關電路與芯片的測試引腳和控制電路連接，可以響應控制電路生成的第三控制信號，使芯片的測試引腳與待測模擬量的輸出端連通，實現對芯片的其他模擬量的測量。這樣，只需在芯片上設置一個測試引腳，就可以實現對芯片的壓力測試或者模擬量測量。因此，本公開實施例能夠降低芯片的設計難度，減少芯片面積的浪費，實現芯片的小型化。
15、以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用于限制本申請。
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1.一種用于芯片的模擬量測量電路，其特征在于，包括：控制電路、正高壓開關電路、正低壓開關電路和模擬量開關電路；
2.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，正高壓開關電路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一電平轉換電路和第二電平轉換電路；
3.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，正低壓開關電路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三電平轉換電路和第四電平轉換電路；
4.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，模擬量開關電路包括：第一NMOS管和第五電平轉換電路；
5.根據權利要求1至4中任一項所述的模擬量測量電路，其特征在于，還包括：上拉電路；
6.根據權利要求5所述的模擬量測量電路，其特征在于，上拉電路包括：上拉電源和第二NMOS管；
7.根據權利要求1至4中任一項所述的模擬量測量電路，其特征在于，還包括：保護電路；
8.根據權利要求7所述的模擬量測量電路，其特征在于，保護電路包括：第三NMOS管和保護電阻；
9.根據權利要求1至4中任一項所述的模
10.一種用于芯片的模擬量測量設備，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種用于芯片的模擬量測量電路，其特征在于，包括：控制電路、正高壓開關電路、正低壓開關電路和模擬量開關電路；
2.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，正高壓開關電路包括：第一pmos管、第二pmos管、第一電平轉換電路和第二電平轉換電路；
3.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，正低壓開關電路包括：第三pmos管、第四pmos管、第三電平轉換電路和第四電平轉換電路；
4.根據權利要求1所述的模擬量測量電路，其特征在于，模擬量開關電路包括：第一nmos管和第五電平轉換電路；
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐依然，唐明，黃金煌，
申請(專利權)人：北京紫光青藤微系統有限公司，
類型：發明
國別省市：
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