【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜，具體涉及一種半導體制程保護膜及其制備方法。
技術介紹
1、隨著電子行業的迅猛發展，消費電子產品的不斷升級，其生產過程也不斷向著快速、多元化、多功能的方向發展，各種新工藝、新制程不斷被開發，生產自動化程度與精密程度也進一步提升，對相關加工過程當中起保護作用的制程保護膜也不斷提出新的要求。
2、芯片制造是一個高度精密且制程復雜的過程，晶圓的移動是芯片制造過程中的必要步驟，為了避免此過程中異物對晶圓產生污染，會在晶圓表面粘貼一層粘性在100-200gf/25mm的保護膜，以保證后續制程的正常進行。在新的制造工藝標準下，傳統的透明保護膜因不能被識別導致無法進行自動撕膜，嚴重影響了芯片的加工制造。
3、新工藝要求保護膜在粘附力穩定的情況下使用不透明的材料，使芯片制造設備能有效識別到保護膜，從而讓撕膜機實現精準撕膜，保證芯片加工過程的完整性和流暢性。在此背景下，急需開發一種適配新型芯片制造工藝的保護膜材料。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術的目的是提供一種半導體制程保護膜及其制備方法，該保護膜能夠有效阻擋光線通過，大幅降低了光透過率，解決了現有保護膜因光透過率較高無法被機器有效識別的問題。
2、本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下：提供一種半導體制程保護膜的制備方法，包括以下步驟：
3、(1)將鹽酸多巴胺在室溫下溶解于tris緩沖液中，調節ph值為7-9，然后加入碳材料攪拌混合，在40-60℃溫度下反應2
4、(2)將聚丙烯酸加入蒸餾水中，然后加入偶聯劑和鹽酸多巴胺，在室溫下攪拌反應，反應過程中調節ph為5-6，反應完成后依次在氯化鈉溶液和蒸餾水中透析，最后進行冷凍干燥，得功能化paa；
5、(3)按質量比100：100-150：5-25：0.5-2取用步驟(2)所得功能化paa、有機溶劑、步驟(1)所得功能填料和固化劑，將功能化paa溶解于部分有機溶劑中制得膠液，將功能填料分散于剩余有機溶劑中制得功能填料懸浮液，將功能填料懸浮液過濾加入膠液中，然后加入固化劑，攪拌混合均勻，得壓敏膠液；
6、(4)將步驟(3)所得壓敏膠液涂布于基膜上，在90-120℃溫度下干燥1-5min，然后在真空條件下140-165℃交聯3-7min，得半導體制程保護膜。
7、進一步，步驟(1)中，碳材料為片層石墨和多孔碳中的一種。
8、片層石墨厚度<15nm，片徑3-6μm，比表面積為>2cm2/g；多孔碳粒徑為1-3μm，孔徑10-100nm，孔容>1cm3/g。也可為其他具有片層結構和孔隙結構的碳材料。
9、進一步，步驟(1)中，鹽酸多巴胺也可替換為其他多酚類和吲哚類帶有氨基具備光吸收能力的可聚合的小分子單體。
10、進一步，步驟(1)中，鹽酸多巴胺和碳材料的質量比為1：1-3。
11、進一步，步驟(1)中，在70℃真空干燥6-8h。
12、進一步，步驟(2)中，偶聯劑為n-(3-二甲基氨基丙基)-n-乙基碳二亞胺鹽酸鹽(edc)、n-羥基琥珀酰亞胺(nhs)和1-羥基苯并三唑(hobt)中的一種。
13、進一步，步驟(2)中，聚丙烯酸、偶聯劑、鹽酸多巴胺和水的質量比為3-8：2：0.5-1：50-100。
14、進一步，步驟(2)中，先在氯化鈉溶液純化40-50小時，然后在蒸餾水中透析5-7h。
15、進一步，步驟(3)中，有機溶劑為丙酮、甲基乙基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯和四氯化碳中的至少一種。有機溶劑可以為酮類、酯類、芳香族和脂肪族中的一種或多種。
16、進一步，步驟(3)中，固化劑為端基為異氰酸酯基團的二異氰酸酯類或多異氰酸酯類小分子。
17、進一步，步驟(3)中，功能化paa在2000-2500r/min轉速下攪拌90-120min溶解于有機溶劑；功能填料在2000-2500r/min轉速下攪拌10-20min分散于有機溶劑。
18、進一步，步驟(3)中，使用400-500目紗布過濾。
19、進一步，步驟(4)中，基膜為黑色pet薄膜；基膜厚度為10-15μm。
20、進一步，步驟(4)中，壓敏膠液涂布的厚度為1-3μm。
21、本專利技術還公開了半導體制程保護膜的制備方法制得的半導體制程保護膜。
22、本專利技術具有以下有益效果：
23、1、本專利技術方法利用多巴胺對paa進行功能化改性，使其具有一定的吸光能力，并改變其折光系數，使薄膜與膠層的折光系數間產生差異，當光線通過薄膜射入膠層時，在兩相界面發生大角度折射或反射，以此減少射入膠層的光線數量，當paa引入多巴胺支鏈后，有利于整個體系相容性和穩定性的提升。
24、2、本專利技術方法中所加入的碳材料具有片層和孔隙結構，能夠阻擋光線的通過，碳材料自身的孔隙結構以及碳材料與碳材料間的界面能夠形成足夠多的折射面，能有效減緩光線通過膠層的時間，且當光線在膠層中折射和反射時，會消耗一部分光的能量。
25、3、本專利技術方法通過在碳材料表面生長聚多巴胺，再結合碳材料的空隙和界面，將膠層內反射和折射的光線轉換為熱能進行耗散，以此提高光吸收能力，產生的熱能可以通過碳材料均勻的傳導至保護膜表面。
26、4、本專利技術方法中膠層首先在90-120℃環境下，將固化劑小分子與paa進行交聯，然后通過在140-165℃真空環境下使聚多巴胺的氨基與paa中的羧基進行交聯反應，通過兩種交聯方式形成雜化的互穿交聯網絡，大幅度提升膠層的內聚力，避免膠層破損，阻止膠層中組分的遷移。
27、5、多巴胺中的兒茶酚結構能具有獨特的粘附性能，能在一定程度上提升整個膠層的潤濕性與粘附性。
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1.一種半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述碳材料為片層石墨和多孔碳中的一種。
3.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述鹽酸多巴胺和所述碳材料的質量比為1：1-3。
4.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述偶聯劑為N-(3-二甲基氨基丙基)-N-乙基碳二亞胺鹽酸鹽、N-羥基琥珀酰亞胺和1-羥基苯并三唑中的一種。
5.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述聚丙烯酸、偶聯劑、鹽酸多巴胺和水的質量比為3-8：2：0.5-1：50-100。
6.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，先在氯化鈉溶液純化40-50小時，然后在蒸餾水中透析5-7h。
7.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，使用400-500目紗布過濾。
8.如
9.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，所述壓敏膠液涂布的厚度為1-3μm。
10.權利要求1-9任一項所述的半導體制程保護膜的制備方法制得的半導體制程保護膜。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述碳材料為片層石墨和多孔碳中的一種。
3.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述鹽酸多巴胺和所述碳材料的質量比為1：1-3。
4.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述偶聯劑為n-(3-二甲基氨基丙基)-n-乙基碳二亞胺鹽酸鹽、n-羥基琥珀酰亞胺和1-羥基苯并三唑中的一種。
5.如權利要求1所述的半導體制程保護膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述聚丙烯酸、偶聯劑、鹽酸多巴胺和水的質量比為3-8：...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳郭忠，代申強，王鵬程，胡章潤，劉洋洋，
申請(專利權)人：四川羽璽新材料股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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