【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及識別領域，尤其涉及光子突觸器件在圖像識別方面的運用。
技術介紹
1、圖像識別技術在當今的自動駕駛、安防監控和醫療影像等領域中發揮著至關重要的作用。隨著應用需求的增加，如何提高圖像識別的精度、速度以及對復雜圖像場景的處理能力，已成為業界關注的焦點。
2、傳統的圖像識別系統主要依賴于數字計算架構，通過對大量圖像數據的處理和分析，來實現目標識別。然而，這種系統在應對復雜圖像場景時，往往受限于計算速度和功耗的問題，難以滿足實時處理和高精度識別的需求。因此，開發新型的器件和技術，以更好地支持圖像識別的高效實現，具有重要意義。
3、在此背景下，光子突觸器件因其能夠模擬生物神經元行為的獨特優勢，逐漸引起了研究者們的關注。這種器件通過光與材料的相互作用來模擬神經突觸行為，并且在圖像識別中應用時可以顯著增強圖像處理效果。與傳統的電子器件相比，光子突觸器件在低功耗、高響應速度以及光學信號處理方面展現出顯著優勢。
4、目前，憶阻器和場效應晶體管雖然被認為是實現突觸可塑性的理想電子器件，但它們仍存在一定的缺陷：憶阻器的突觸特性有待進一步提高，且器件本身存在不可避免的噪聲；而場效應晶體管的制造過程復雜且成本高，限制了其大規模生產的可行性，因此，現有的突觸器件還有待改進和發展。
技術實現思路
1、鑒于上述現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種應用于圖像識別的光子突觸器件及其制備方法，從而解決現有突觸器件突觸特性、穩定性差，制備成本高的問題，并且提出光子突
2、本專利技術的技術方案如下：
3、一種應用于圖像識別的光子突觸器件，其中，所述器件為垂直結構。從上至下依次為頂部電極、mos2功能層、cspbbr3量子點功能層、底部電極。
4、所述的光子突觸器件，其中，所述頂部電極和底部電極均為ito玻璃。
5、一種應用于圖像識別的光子突觸器件的制備方法，包括步驟：
6、(1)提供mos2溶液和cspbbr3量子點溶液；
7、(2)轉移mos2溶液至底部電極ito玻璃上，并在真空干燥箱中以130℃退火20分鐘得到mos2功能層；
8、(3)在所述mos2功能層表面沉積cspbbr3量子點溶液，并再次在真空干燥箱以170℃退火20分鐘，形成cspbbr3量子點功能層；
9、(4)在所述cspbbr3量子點功能層表面覆蓋上一塊ito導電玻璃作為頂部電極，制得光子突觸器件。
10、進一步的，步驟(1)所述mos2溶液的制備流程包括步驟：
11、(1)將mos2微晶分散在100毫升的乙醇和水的混合物中，其中，所述混合物中乙醇和水比例為9:11。
12、(2)將分散體用直徑6mm的探針進行超聲處理，其中，所述的探針超聲功率為150w，處理時間為30分鐘。
13、(3)將處理后的分散體進行水浴超聲處理，其中，所述的超聲頻率為40khz，功率為100w，處理時間為3小時。
14、(4)將所得溶液以10000轉每分鐘離心15分鐘后取溶液。
15、(5)將離心后的溶液通過不同孔徑的微孔濾膜進行兩次過濾操作，以獲得直徑為1到2微米的均勻mos2溶液。其中，所述的兩次過濾操作中第一次過濾使用孔徑為2微米的微孔濾膜，然后將上述經過第一次過濾的溶液進行第二次過濾，使用孔徑為1微米的微孔濾膜。
16、本專利技術公開的光子突觸器件，利用其光響應特性，通過改變光照強度和波長，模擬神經元的短期可塑性(stp)和長期可塑性(ltp)，實現學習、記憶功能。可應用于圖像識別，有效提高識別精度。
17、有益效果：
18、第一，本專利技術公開的一種應用于圖像識別的光子突觸器件，以mos2和cspbbr3量子點層作為功能層，結合量子點材料cspbbr3本身獨特的光學性質，如窄的激子結合能，出色的吸收特性，高穩定性，高電荷載流子遷移率和長載流子壽命，使其具有巨大的應用潛力。
19、第二，本專利技術公開的一種應用于圖像識別的光子突觸器件，其中所述的mos2溶液制備方法，制備所得mos2溶液中mos2顆粒大小更加均勻，在真空干燥箱退火得到mos2功能層更加平整，能夠提高光子突觸器件的電子遷移率、光電性能、穩定性及界面質量，從而顯著提升光子突觸器件的整體性能。
20、第三，本專利技術公開的一種應用于圖像識別的光子突觸器件，利用不同波長、不同光強光照的響應性，實現突觸可塑性功能，包括短期塑性(stp)、長期可塑性(ltp)等。
21、第四，本專利技術將cspbbr3量子點層與mos2層層疊制成功能層，通過簡單的調節光照波長、光照強度來改變電子器件中的光生電流數值，進而模擬人腦中突觸后電流增強，結合反向電場刺激可實現對突觸后電流的減弱；同時通過調節脈沖光刺激的數量和寬度實現對人腦中短期記憶向長期記憶的轉變過程。因此，本專利技術基于cspbbr3量子點的光子突觸器件具有易調控、低功耗等優點，可應用于圖像識別，有效提高識別精度。
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1.一種應用于圖像識別的光子突觸器件，其特征在于，從上至下依次為頂部電極、MoS2功能層、CsPbBr3量子點功能層、底部電極。
2.根據權利要求1所述的光子突觸器件，其特征在于，所述頂部電極和底部電極均為氧化銦錫(ITO)玻璃。
3.一種應用于圖像識別的光子突觸器件的制備方法，其特征在于，制備流程包括：
4.根據權利要求3所述的應用于圖像識別的光子突觸器件的制備方法，其特征在于，所述MoS2溶液的制備流程包括：
5.根據權利要求1所述的光子突觸器件，其特征在于，所述光子突觸器件，利用其光響應特性，通過改變光照強度和波長，模擬神經元的短期可塑性(STP)和長期可塑性(LTP)，實現學習、記憶功能。
6.根據權利要求1所述的光子突觸器件，其特征在于，所述光子突觸器件應用于圖像識別，能夠有效提高識別精度。
【技術特征摘要】
1.一種應用于圖像識別的光子突觸器件，其特征在于，從上至下依次為頂部電極、mos2功能層、cspbbr3量子點功能層、底部電極。
2.根據權利要求1所述的光子突觸器件，其特征在于，所述頂部電極和底部電極均為氧化銦錫(ito)玻璃。
3.一種應用于圖像識別的光子突觸器件的制備方法，其特征在于，制備流程包括：
4.根據權利要求3所述的應用于圖像識別的光...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳瑋，李晨，趙煒，柴孝帥，
申請(專利權)人：南京市知馬力網絡科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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